SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSC060P03NS3EGATMA1 1.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC060 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 30 V 17.7a (TA), 100A (TC) 6V, 10V 6mohm @ 50a, 10v 3.1V @ 150 µA 81 NC @ 10 V ± 25V 6020 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
AUIRLL014NTR Infineon Technologies Auirll014ntr -
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 2a (TA) 4V, 10V 140mohm @ 2a, 10v 2V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 16V 230 pf @ 25 V - 1W (TA)
BC856SE6327BTSA1 Infineon Technologies BC856SE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BCR48PNE6327BTSA1 Infineon Technologies Bcr48pne6327btsa1 -
RFQ
 ECAD 7847 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR48 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 70 Ma, 100 Ma - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 100MHz, 200MHz 47kohms, 2.2kohms 47 kohms
IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R065C7AUMA1 9.6200
RFQ
 ECAD 2394 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL60R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4-1 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 65mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 400 V - 180W (TC)
IPS06N03LZ G Infineon Technologies IPS06N03LZ G -
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak IPS06N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 30a, 10v 2V @ 40 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2653 pf @ 15 V - 83W (TC)
BC 807-16 E6327 Infineon Technologies BC 807-16 E6327 -
RFQ
 ECAD 4611 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC 807 330 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 200MHz
IRF1404STRRPBF Infineon Technologies IRF1404StrrPBF -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF1404 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001562994 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 162a (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 7360 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BCV29E6327HTSA1 Infineon Technologies Bcv29e6327htsa1 -
RFQ
 ECAD 2344 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCV29 1 W PG-SOT89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 150MHz
IRLR8503PBF Infineon Technologies IRLR8503PBF -
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 44a (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1650 pf @ 25 V - 62W (TC)
IRF7904TRPBF Infineon Technologies IRF7904TRPBF 1.1600
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7904 Mosfet (Óxido de metal) 1.4W, 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canales N (Medio Puente) 30V 7.6a, 11a 16.2mohm @ 7.6a, 10v 2.25V @ 25 µA 11NC @ 4.5V 910pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IPW65R065C7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R065C7XKSA1 10.6800
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10v 4V @ 850 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 3020 pf @ 400 V - 171W (TC)
BC857BWE6327BTSA1 Infineon Technologies BC857BWE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC857 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
PTFA190451FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA190451FV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA190451 1.96 GHz Ldmos H-37265-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 80 10 µA 450 Ma 11W 17.5dB - 28 V
IKW75N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKW75N120CH7XKSA1 12.8100
RFQ
 ECAD 2639 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKW75N120 Estándar 549 W PG-TO247-3-U06 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - 145 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 92 A 300 A 2.15V @ 15V, 75a 4.22mj (Encendido), 1.66mj (apaguado) 535 NC 55NS/461NS
D690S20TXPSA1 Infineon Technologies D690S20TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 3572 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK D690S20 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2000 V 2.7 V @ 3000 A 9 µs 25 Ma @ 2000 V -40 ° C ~ 150 ° C 690a -
AUIRF3805L-7P Infineon Technologies AuIRF3805L-7P -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 262-7 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001515798 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 160A (TC) 10V 2.6mohm @ 140a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 7820 pf @ 25 V - 300W (TC)
PTFA092201F V1 Infineon Technologies PTFA092201F V1 -
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Descontinuado en sic 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA092201 960MHz Ldmos H-37260-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 40 10 µA 1.85 A 220W 18.5dB - 30 V
BC847BE6433HTMA1 Infineon Technologies Bc847be6433htma1 0.0418
RFQ
 ECAD 5482 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRAM538-1065A Infineon Technologies IRAM538-1065A -
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - IGBT descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001544404 EAR99 8542.39.0001 130 3 fase 10 A 600 V -
IDB09E60ATMA1 Infineon Technologies IDB09E60ATMA1 -
RFQ
 ECAD 3827 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IDB09 Estándar PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 9 A 75 ns 50 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 19.3a -
ACCESSORY31804NOSA1 Infineon Technologies Acesorio31804nosa1 -
RFQ
 ECAD 9303 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Acesorio3 - Alcanzar sin afectado 448-accesory31804nosa1 EAR99 8542.39.0001 1
ICA32V04X1SA1 Infineon Technologies ICA32V04X1SA1 -
RFQ
 ECAD 9634 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000949952 Obsoleto 0000.00.0000 1
BGB 540 E6327 Infineon Technologies BGB 540 E6327 -
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 120MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 16dB ~ 17.5dB 3.5V 30mera NPN - - 1.3db ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz
BCX5610H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5610H6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX5610 2 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 100MHz
IRF7341QTRPBF Infineon Technologies IRF7341QTRPBF -
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF734 Mosfet (Óxido de metal) 2.4w 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 55V 5.1a 50mohm @ 5.1a, 10v 1V @ 250 µA (min) 44nc @ 10V 780pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies Bsc0909nsatma1 0.6700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0909 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 34 V 12A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 9.2mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1110 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 27W (TC)
IRFU3418PBF Infineon Technologies Irfu3418pbf -
RFQ
 ECAD 7533 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu3418pbf EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 80 V 70A (TC) 10V 14mohm @ 18a, 10v 5.5V @ 250 µA 94 NC @ 10 V ± 20V 3510 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 140W (TC)
BDP947E6327HTSA1 Infineon Technologies Bdp947e6327htsa1 -
RFQ
 ECAD 3443 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BDP947 5 W PG-SOT223-4-10 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 45 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200MA, 2a 100 @ 500 mA, 1V 100MHz
FP15R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies FP15R12KE3GBOSA1 73.6600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPIM ™ 2 Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FP15R12 105 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 25 A 2.15V @ 15V, 15a 1 MA Si 1.1 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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