SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies IPP041N04NGXKSA1 1.5000
RFQ
 ECAD 279 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP041 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 4.1mohm @ 80a, 10v 4V @ 45 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 20 V - 94W (TC)
IRLR8721PBF Infineon Technologies IRLR8721PBF -
RFQ
 ECAD 8037 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 65a (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 25 µA 13 NC @ 4.5 V ± 20V 1030 pf @ 15 V - 65W (TC)
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R600P7SAUMA1 0.8800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 6a (TC) 10V 600mohm @ 1.7a, 10V 4V @ 80 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 363 pf @ 400 V - 30W (TC)
SPI47N10 Infineon Technologies SPI47N10 -
RFQ
 ECAD 2817 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi47n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000013951 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 47a (TC) 10V 33mohm @ 33a, 10V 4V @ 2mA 105 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 175W (TC)
DDB2U50N08W1RB23BOMA1 Infineon Technologies DDB2U50N08W1RB23BOMA1 -
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Descontinuado en sic descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000839690 EAR99 8541.10.0080 24
IPP65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R420CFDXKSA1 1.4606
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R420 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 340 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 100 V - 83.3W (TC)
BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DLCKHOSA1 -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo BSM100 830 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Medio puente - 1200 V 100 A - Si
IRF7171MTRPBF Infineon Technologies IRF7171MTRPBF -
RFQ
 ECAD 1405 0.00000000 Infineon Technologies Fastirfet ™, hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MN Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mn descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 100 V 15A (TA), 93A (TC) 10V 6.5mohm @ 56a, 10V 3.6V @ 150 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2160 pf @ 50 V - 2.8W (TA), 104W (TC)
IDH05SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH05SG60CXKSA2 2.2767
RFQ
 ECAD 8906 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Un 220-2 IDH05SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.3 V @ 5 A 0 ns 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 110pf @ 1V, 1 MHz
FZ1600R17HP4HOSA2 Infineon Technologies FZ1600R17HP4HOSA2 718.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FZ1600 10500 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Interruptor Único Zanja 1700 V 1600 A 2.25V @ 15V, 1300A 5 Ma No 130 NF @ 25 V
AUIRL1404ZSTRL Infineon Technologies Auirl1404zstrl 3.9600
RFQ
 ECAD 2617 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirl1404 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 160A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10v 2.7V @ 250 µA 110 NC @ 5 V ± 16V 5080 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRFS31N20DPBF Infineon Technologies IRFS31N20DPBF -
RFQ
 ECAD 3194 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 31a (TC) 10V 82mohm @ 18a, 10v 5.5V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 30V 2370 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 200W (TC)
IRF9530NS Infineon Technologies Irf9530ns -
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 14a (TC) 10V 200mohm @ 8.4a, 10v 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 79W (TC)
SDT08S60 Infineon Technologies SDT08S60 -
RFQ
 ECAD 2814 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Sdt08s Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 1.7 V @ 8 A 0 ns 300 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 280pf @ 0V, 1 MHz
BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies Bsc010n04lsatma1 2.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC010 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 38a (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1mohm @ 50a, 10v 2V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 139W (TC)
AUIRF1404ZL Infineon Technologies Auirf1404zl -
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 160A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 4340 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRF7749L1TRPBF Infineon Technologies IRF7749L1TRPBF 5.0300
RFQ
 ECAD 5158 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L8 IRF7749 Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ Isométrico L8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 33a (TA), 200a (TC) 10V 1.5mohm @ 120a, 10V 4V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 12320 pf @ 25 V - 3.3W (TA), 125W (TC)
IRLML2502TR Infineon Technologies IRLML2502TR -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 4.2a (TA) 45mohm @ 4.2a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 12 NC @ 5 V 740 pf @ 15 V -
IRF7102 Infineon Technologies IRF7102 -
RFQ
 ECAD 4981 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF71 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal N (Dual) 50V 2a 300mohm @ 1.5a, 10V 3V @ 250 µA 6.6nc @ 10V 120pf @ 25V -
IRF5804TR Infineon Technologies IRF5804TR -
RFQ
 ECAD 5696 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 198mohm @ 2.5a, 10v 3V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 2W (TA)
IDD09E60BUMA1 Infineon Technologies IDD09E60BUMA1 -
RFQ
 ECAD 7944 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IDD09E60 Estándar PG-TO252-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 9 A 75 ns 50 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 19.3a -
IPB70P04P409ATMA1 Infineon Technologies IPB70P04P409ATMA1 -
RFQ
 ECAD 9184 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB70P04 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 72a (TC) 10V 9.1mohm @ 70a, 10v 4V @ 120 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 4810 pf @ 25 V - 75W (TC)
IPP80N03S4L04AKSA1 Infineon Technologies IPP80N03S4L04AKSA1 -
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 45 µA 75 NC @ 10 V ± 16V 5100 pf @ 25 V - 94W (TC)
IRF8721TRPBF Infineon Technologies IRF8721TRPBF 0.7200
RFQ
 ECAD 4994 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF8721 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10v 2.35V @ 25 µA 12 NC @ 4.5 V ± 20V 1040 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
T300N16TOFXPSA1 Infineon Technologies T300N16TOFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 7870 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis A-200AA T300N16 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 18 200 MA 1.8 kV 400 A 2 V 3800A @ 50Hz 150 Ma 303 A 1 SCR
IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies IPD50N04S408ATMA1 1.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 50A (TC) 10V 7.9mohm @ 50A, 10V 4V @ 17 µA 22.4 NC @ 10 V ± 20V 1780 pf @ 6 V - 46W (TC)
IPI120N06S4H1AKSA1 Infineon Technologies IPI120N06S4H1AKSA1 -
RFQ
 ECAD 6795 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI120N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 200 µA 270 NC @ 10 V ± 20V 21900 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRFR13N20DCPBF Infineon Technologies IRFR13N20DCPBF -
RFQ
 ECAD 6143 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 200 V 13a (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10v 5.5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 830 pf @ 25 V - 110W (TC)
IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies IDM08G120C5XTMA1 5.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IDM08G120 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.95 v @ 8 a 0 ns 40 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 365pf @ 1V, 1 MHz
IDH10S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH10S60CAKSA1 -
RFQ
 ECAD 2049 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 IDH10S60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 1.7 V @ 10 A 0 ns 140 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 480pf @ 1V, 1 MHz
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