SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRF1324SPBF Infineon Technologies IRF1324SPBF -
RFQ
ECAD 7224 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001571208 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 24 V 195a (TC) 10V 1.65mohm @ 195a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 7590 pf @ 24 V - 300W (TC)
IPG20N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L08ATMA1 1.6900
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IPG20N Mosfet (Óxido de metal) 54W PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 40V 20A 8.2mohm @ 17a, 10v 2.2V @ 22 µA 39NC @ 10V 3050pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BCX55H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX55H6327XTSA1 0.1920
RFQ
ECAD 8172 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX55 2 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
IPI100N08N3GHKSA1 Infineon Technologies IPI100N08N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 9283 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 80 V 70A (TC) 6V, 10V 10mohm @ 46a, 10v 3.5V @ 46 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2410 pf @ 40 V - 100W (TC)
IDDD10G65C6XTMA1 Infineon Technologies IDDD10G65C6XTMA1 5.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Módulo de 10-PowerSop IDDD10 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-HDSOP-10-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.700 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 0 ns 33 µA @ 420 V -55 ° C ~ 175 ° C 29a 495pf @ 1v, 1 MHz
IRLS4030PBF Infineon Technologies IRLS4030PBF -
RFQ
ECAD 5280 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001568730 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 180A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 110a, 10V 2.5V @ 250 µA 130 NC @ 4.5 V ± 16V 11360 pf @ 50 V - 370W (TC)
DD260N12KHPSA1 Infineon Technologies DD260N12KHPSA1 -
RFQ
ECAD 1782 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo DD260N12 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1200 V 260a 1.32 V @ 800 A 30 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IM323S6G2XKMA1 Infineon Technologies IM323S6G2XKMA1 9.9800
RFQ
ECAD 7741 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero Módulo de 26 Poderos (1.043 ", 26.50 mm) IGBT IM323S6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 240 Inversor de 3 fase 6 A 600 V 2000 VRMS
BC860BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC860BE6327HTSA1 0.0555
RFQ
ECAD 9571 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC860 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
SN7002N L6327 Infineon Technologies SN7002N L6327 -
RFQ
ECAD 1071 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SN7002N Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 1.8V @ 26 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 45 pf @ 25 V - 360MW (TA)
BSC094N06LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC094N06LS5ATMA1 1.2400
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC094 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 47a (TC) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 24a, 10v 2.3V @ 14 µA 9.4 NC @ 4.5 V ± 20V 1300 pf @ 30 V - 36W (TC)
IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies IPD70R900P7SAUMA1 0.8900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 700 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60 µA 6.8 NC @ 10 V ± 16V 211 pf @ 400 V - 30.5W (TC)
BCR 192 B6327 Infineon Technologies BCR 192 B6327 -
RFQ
ECAD 5333 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 192 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
IRLR8726TRPBF Infineon Technologies IRLR8726TRPBF 0.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR8726 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 86a (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 50 µA 23 NC @ 4.5 V ± 20V 2150 pf @ 15 V - 75W (TC)
PTFA092211FLV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA092211FLV4XWSA1 -
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas 920MHz ~ 960MHz Ldmos H-34288-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000688948 5A991G 8541.29.0095 40 - 175 Ma 50W 18dB - 30 V
IRF6631TRPBF Infineon Technologies IRF6631TRPBF -
RFQ
ECAD 1437 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 13A (TA), 57A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 13a, 10v 2.35V @ 25 µA 18 NC @ 4.5 V ± 20V 1450 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BC847CWE6433HTMA1 Infineon Technologies Bc847cwe6433htma1 -
RFQ
ECAD 2888 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC847 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
IPC95R750P7X7SA1 Infineon Technologies IPC95R750P7X7SA1 -
RFQ
ECAD 9866 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo IPC95 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP002134100 0000.00.0000 1
IPD60R600E6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R600E6ATMA1 0.7269
RFQ
ECAD 9260 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ E6 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200 µA 20.5 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 100 V - 63W (TC)
IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies IPTC017N12NM6ATMA1 7.7100
RFQ
ECAD 1346 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 16-POWERSOP IPTC017 Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-16-U01 - 1 (ilimitado) 1.800 N-canal 120 V 32a (TA), 331A (TC) 8V, 10V 1.7mohm @ 150a, 10v 3.6V @ 275 µA 141 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 60 V - 3.8W (TA), 395W (TC)
FF1MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF1MR12KM1HHPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 3974 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo FF1MR12 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 10 -
IRF8308MTR1PBF Infineon Technologies IRF8308MTR1PBF -
RFQ
ECAD 3413 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX IRF8308 Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 27a (TA), 150a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 27a, 10v 2.35V @ 100 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 4404 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPD60R600CPATMA1 Infineon Technologies IPD60R600CPATMA1 -
RFQ
ECAD 1174 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000680642 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 6.1a (TC) 10V 600mohm @ 3.3a, 10V 3.5V @ 220 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 100 V - 60W (TC)
IRF3706STRRPBF Infineon Technologies IRF3706StrrPBF -
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 77a (TC) 2.8V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IRFR3706CTRLPBF Infineon Technologies IRFR3706CTRLPBF -
RFQ
ECAD 3370 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2410 pf @ 10 V - 88W (TC)
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies IPD90P03P4L04ATMA1 2.7500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD90 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 90a, 10V 2V @ 253 µA 160 NC @ 10 V +5V, -16V 11300 pf @ 25 V - 137W (TC)
BC 847CW B6327 Infineon Technologies BC 847CW B6327 -
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC 847 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
IKW03N120H Infineon Technologies IKW03N120H 1.2300
RFQ
ECAD 955 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 62.5 W PG-TO247-3-21 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 800V, 3a, 82ohm, 15V 42 ns - 1200 V 9.6 A 9.9 A 2.8V @ 15V, 3A 140 µJ (Encendido), 150 µJ (apaguado) 22 NC 9.2NS/281NS
IPI45N06S409AKSA2 Infineon Technologies IPI45N06S409AKSA2 1.8800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI45N06 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 45a (TC) 10V 9.4mohm @ 45a, 10v 4V @ 34 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 3785 pf @ 25 V - 71W (TC)
FS100R12KT4GPNPSA1 Infineon Technologies FS100R12KT4GPNPSA1 -
RFQ
ECAD 7220 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 515 W Estándar Módulo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de puente entero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 2.2V @ 15V, 100A 1 MA Si 6.3 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock