SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IRGP4066D-EPBF Infineon Technologies IRGP4066D-EPBF -
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRGP4066 Estándar 454 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 400V, 75a, 10ohm, 15V 155 ns Zanja 600 V 140 A 225 A 2.1V @ 15V, 75a 2.47MJ (Encendido), 2.16mj (apaguado) 150 NC 50ns/200ns
IRF7534D1TR Infineon Technologies IRF7534D1TR -
RFQ
 ECAD 7119 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 4.3a (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 4.3a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 15 NC @ 5 V ± 12V 1066 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.25W (TA)
IPP120N06NGAKSA1 Infineon Technologies IPP120N06NGAKSA1 -
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP120N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4V @ 94 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 30 V - 158W (TC)
IPA60R125CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R125CPXKSA1 4.5588
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 16A, 10V 3.5V @ 1.1MA 70 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 100 V - 35W (TC)
FS770R08A6P2BBPSA1 Infineon Technologies FS770R08A6P2BBPSA1 502.7400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hybridpack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS770R08 654 W Estándar Ag-Hybridd-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 750 V 450 A 1.35V @ 15V, 450a 1 MA Si 80 nf @ 50 V
IPL65R650C6SATMA1 Infineon Technologies IPL65R650C6SATMA1 0.8473
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IPL65R650 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSON-8-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 650 V 6.7a (TC) 10V 650mohm @ 2.1a, 10v 3.5V @ 210 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 100 V - 56.8W (TC)
IRGS4045DPBF Infineon Technologies IRGS4045DPBF -
RFQ
 ECAD 7345 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 77 W D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 6a, 47ohm, 15V 74 ns - 600 V 12 A 18 A 2V @ 15V, 6a 56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado) 19.5 NC 27ns/75ns
IRFU3418PBF Infineon Technologies Irfu3418pbf -
RFQ
 ECAD 7533 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu3418pbf EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 80 V 70A (TC) 10V 14mohm @ 18a, 10v 5.5V @ 250 µA 94 NC @ 10 V ± 20V 3510 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 140W (TC)
IRAM136-1561A2 Infineon Technologies IRAM136-1561A2 -
RFQ
 ECAD 5614 0.00000000 Infineon Technologies iMotion ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero 29 Módulo de Powerssip, 21 cables, formados de cables IGBT descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 80 3 fase 15 A 600 V 2000 VRMS
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Infineon Technologies BSZ014NE2LS5IFATMA1 2.3100
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ014 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 31a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 1.45mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 16V 2300 pf @ 12 V Diodo Schottky (Cuerpo) 2.1W (TA), 69W (TC)
TZ425N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ425N14KOFHPSA1 226.3100
RFQ
 ECAD 2445 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TZ425N14 Soltero descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 1.4 kV 800 A 1.5 V 14500A @ 50Hz 250 Ma 510 A 1 SCR
BSL202SNL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL202SNL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSOP6-6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 7.5a (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 7.5a, 4.5V 1.2V @ 30 µA 8.7 NC @ 4.5 V ± 12V 1147 pf @ 10 V - 2W (TA)
IM393L6E3XKLA1 Infineon Technologies IM393L6E3XKLA1 -
RFQ
 ECAD 2432 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 35 Potencias (0.866 ", 22.00 mm), 30 cables IGBT descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado SP001786902 EAR99 8542.39.0001 15 Inversor de 3 fase 15 A 600 V 2000 VRMS
IRL3715Z Infineon Technologies IRL3715Z -
RFQ
 ECAD 1998 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3715Z EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 45W (TC)
IRF8308MTR1PBF Infineon Technologies IRF8308MTR1PBF -
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX IRF8308 Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 27a (TA), 150a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 27a, 10v 2.35V @ 100 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 4404 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRLML2803TR Infineon Technologies IRLML2803TR -
RFQ
 ECAD 8686 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 1.2a (TA) 250MOHM @ 910MA, 10V 1V @ 250 µA 5 NC @ 10 V 85 pf @ 25 V -
IRF5852TRPBF Infineon Technologies IRF5852TRPBF -
RFQ
 ECAD 9590 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 IRF58 Mosfet (Óxido de metal) 960MW 6-TSOP descascar 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 2.7a 90mohm @ 2.7a, 4.5V 1.25V @ 250 µA 6NC @ 4.5V 400pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DD350N12K-K Infineon Technologies DD350N12K-K 162.8600
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Monte del Chasis Módulo Estándar Módulo descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1200 V 350A 1.28 V @ 1000 A 30 Ma @ 1200 V 150 ° C
TZ800N16KOFTIMHPSA1 Infineon Technologies TZ800N16KOFTIMHPSA1 583.8400
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TZ800N16 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 500 mA 1.8 kV 1500 A 2 V 35000A @ 50Hz 250 Ma 819 A 1 SCR
IRF1018EPBF Infineon Technologies IRF1018EPBF 1.3300
RFQ
 ECAD 7727 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF1018 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 60 V 79A (TC) 10V 8.4mohm @ 47a, 10v 4V @ 100 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2290 pf @ 50 V - 110W (TC)
D3041N58TXPSA1 Infineon Technologies D3041N58TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 8170 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Do-200ae D3041N48 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 5800 V 1.7 V @ 4000 A 100 mA @ 5800 V -40 ° C ~ 160 ° C 4090a -
IRF7751TRPBF Infineon Technologies IRF7751TRPBF -
RFQ
 ECAD 3926 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) IRF775 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 30V 4.5a 35mohm @ 4.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 44nc @ 10V 1464pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
FF600R12ME4CPBPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4CPBPSA1 410.6367
RFQ
 ECAD 2794 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF600R12 4050 W Estándar Agóndo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 1060 A 2.1V @ 15V, 600A 3 MA Si 37 NF @ 25 V
IPB180N03S4L01ATMA1 Infineon Technologies IPB180N03S4L01ATMA1 4.3100
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB180 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 180A (TC) 4.5V, 10V 1.05mohm @ 100a, 10v 2.2V @ 140 µA 239 NC @ 10 V ± 16V 17600 pf @ 25 V - 188W (TC)
BFP720H6327 Infineon Technologies BFP720H6327 0.2000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 100MW PG-SOT343-4-2 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 10.5dB ~ 28.5dB 4.7V 25 Ma NPN 160 @ 13MA, 3V 45 GHz 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz
IKB20N60TAATMA1 Infineon Technologies Ikb20n60taatma1 -
RFQ
 ECAD 1564 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ikb20n Estándar 156 W PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 600V, 20a, 12ohm, 15V 41 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 60 A 2.05V @ 15V, 20a 310 µJ (Encendido), 460 µJ (apagado) 120 NC 18ns/199ns
BAS70-07WE6327 Infineon Technologies BAS70-07WE6327 -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BAS70 Schottky PG-SOT343-4-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 4.750 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C
IRFR2405TRPBF Infineon Technologies IRFR2405TRPBF 1.6800
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR2405 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 56a (TC) 10V 16mohm @ 34a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2430 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRLHM620TR2PBF Infineon Technologies IRLHM620TR2PBF -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 vqfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (3x3) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 20 V 26a (TA), 40a (TC) 2.5mohm @ 20a, 4.5V 1.1V @ 50 µA 78 NC @ 4.5 V 3620 pf @ 10 V -
FF800R12KF4 Infineon Technologies FF800R12KF4 -
RFQ
 ECAD 5658 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FF800R12 5000 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000100500 EAR99 8541.29.0095 2 2 Independientes - 1200 V 800 A 3.2V @ 15V, 800A 16 Ma No 55 NF @ 25 V
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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