SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPA50R280CE Infineon Technologies IPA50R280CE -
RFQ
ECAD 7331 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 13a (TC) 13V 280mohm @ 4.2a, 13V 3.5V @ 350 µA 32.6 NC @ 10 V ± 20V 773 pf @ 100 V - 30.4W (TC)
IPP129N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies IPP129N10NF2SAKMA1 1.7100
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ 2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP129N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 12A (TA), 52A (TC) 6V, 10V 12.9mohm @ 30a, 10V 3.8V @ 30 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 50 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
IRGIB7B60KDPBF Infineon Technologies IRGIB7B60KDPBF -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Irgib7 Estándar 39 W Un entero de 220ab-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 8a, 50ohm, 15V 95 ns Escrutinio 600 V 12 A 24 A 2.2V @ 15V, 8a 160 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado) 29 NC 23ns/140ns
IRG4BC20FDPBF Infineon Technologies IRG4BC20FDPBF -
RFQ
ECAD 1085 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 60 W Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 9a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 V 16 A 64 A 2V @ 15V, 9a 250 µJ (Encendido), 640 µJ (apagado) 27 NC 43ns/240ns
D3501N32TS20XPSA1 Infineon Technologies D3501N32TS20XPSA1 -
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Do-200ae Estándar BG-D12035K-1 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 3200 V 1.27 V @ 4000 A 100 mA @ 3200 V 160 ° C 4870a -
IDW15G120C5BFKSA1 Infineon Technologies IDW15G120C5BFKSA1 11.2700
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 IDW15G120 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1200 V 24a (DC) 1.6 V @ 7.5 A 62 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
D820N20TXPSA1 Infineon Technologies D820N20TXPSA1 -
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis DO-200AA, A-PUK D820N20 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2000 V 1.25 V @ 750 A 40 Ma @ 2000 V -40 ° C ~ 180 ° C 820a -
D650N06TXPSA1 Infineon Technologies D650N06TXPSA1 -
RFQ
ECAD 4621 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis DO-200AA, A-PUK D650N06 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 950 MV @ 450 A 20 Ma @ 600 V -40 ° C ~ 180 ° C 650A -
SPP16N50C3XKSA1 Infineon Technologies Spp16n50c3xksa1 -
RFQ
ECAD 4345 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spp16n Mosfet (Óxido de metal) PG-to20-3-111 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000681056 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 560 V 16a (TC) 10V 280mohm @ 10a, 10v 3.9V @ 675 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 160W (TC)
IDP06E60 Infineon Technologies IDP06E60 -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 IDP06 Estándar PG-TO20-2-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 6 A 70 ns 50 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 14.7a -
IPP100N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP100N08N3GXKSA1 1.9800
RFQ
ECAD 643 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 70A (TC) 6V, 10V 10mohm @ 46a, 10v 3.5V @ 46 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2410 pf @ 40 V - 100W (TC)
IPW65R125C7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R125C7XKSA1 6.5500
RFQ
ECAD 135 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R125 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 18a (TC) 10V 125mohm @ 8.9a, 10v 4V @ 440 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1670 pf @ 400 V - 101W (TC)
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1 510.6300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF6MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW (TC) Ag-Easy2Bm-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001716496 EAR99 8541.21.0095 15 2 Canal N (Dual) 1200V (1.2kv) 200a (TJ) 5.63mohm @ 200a, 15V 5.55V @ 80MA 496nc @ 15V 14700pf @ 800V -
BSM15GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies BSM15GD120DLCE3224BOSA1 88.1650
RFQ
ECAD 1115 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo Bsm15g 145 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Puente completo - 1200 V 35 A 2.6V @ 15V, 15a 76 µA No 1 NF @ 25 V
IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies IPB120N06S403ATMA2 2.9800
RFQ
ECAD 8316 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 120 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 13150 pf @ 25 V - 167W (TC)
IRFS7762PBF Infineon Technologies IRFS7762PBF -
RFQ
ECAD 5475 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D²pak (TO-263AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 85A (TC) 6V, 10V 6.7mohm @ 51a, 10v 3.7V @ 100 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 4440 pf @ 25 V - 140W (TC)
IPP06N03LA Infineon Technologies IPP06N03LA -
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP06N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 30a, 10v 2V @ 40 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2653 pf @ 15 V - 83W (TC)
IRFR3504ZTRR Infineon Technologies IRFR3504ZTRR -
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 42a (TC) 10V 9mohm @ 42a, 10v 4V @ 50 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1510 pf @ 25 V - 90W (TC)
IRG8P08N120KD-EPBF Infineon Technologies IRG8P08N120KD-EPBF -
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG8P Estándar 89 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001532714 EAR99 8541.29.0095 25 600V, 5A, 47OHM, 15V 50 ns - 1200 V 15 A 15 A 2V @ 15V, 5A 300 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) 45 NC 20ns/160ns
BCR 519 E6327 Infineon Technologies BCR 519 E6327 -
RFQ
ECAD 6541 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 519 330 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 120 @ 50mA, 5V 100 MHz 4.7 kohms
IPB80N06S405ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S405ATMA2 2.2600
RFQ
ECAD 964 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 5.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 60 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 6500 pf @ 25 V - 107W (TC)
SPP100N08S2-07 Infineon Technologies SPP100N08S2-07 -
RFQ
ECAD 4330 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp100n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 75 V 100A (TC) 4.5V, 10V 7.1mohm @ 66a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 6020 pf @ 25 V - 300W (TC)
BAW79DH6327XTSA1 Infineon Technologies BAW79DH6327XTSA1 0.2765
RFQ
ECAD 7579 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie To-243AA Baw79 Estándar PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 500mA 1.6 v @ 1 a 1 µs 1 µA @ 400 V 150 ° C (Máximo)
SPD04N50C3ATMA1 Infineon Technologies SPD04N50C3ATMA1 1.7100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD04N50 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 470 pf @ 25 V - 50W (TC)
IPB230N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB230N06L3GATMA1 -
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB130N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 30A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 11 µA 10 NC @ 4.5 V ± 20V 1600 pf @ 30 V - 36W (TC)
BCR129SE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR129SE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 5552 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR129 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 10 kohms -
SIDC10D120H8X1SA2 Infineon Technologies SIDC10D120H8X1SA2 -
RFQ
ECAD 9261 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie Morir SIDC10 Estándar Aserrado en papel descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000527638 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.97 V @ 7.5 A 27 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A -
ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC230N10NM6ATMA1 0.4747
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC230N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 7.7a (TA), 31a (TC) 8V, 10V 23mohm @ 10a, 10v 3.3V @ 13 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 690 pf @ 50 V - 3W (TA), 48W (TC)
IRGR4607DPBF Infineon Technologies IRGR4607DPBF -
RFQ
ECAD 3238 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar 58 W D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001546134 EAR99 8541.29.0095 75 400V, 4A, 100OHM, 15V 48 ns - 600 V 11 A 12 A 2.05V @ 15V, 4A 140 µJ (Encendido), 62 µJ (apaguado) 9 NC 27ns/120ns
FF450R33T3E3B5P4BPMA1 Infineon Technologies FF450R33T3E3B5P4BPMA1 1.0000
RFQ
ECAD 7259 0.00000000 Infineon Technologies XHP ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF450R33 1000000 W Estándar AG-XHP100-6 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 3300 V 450 A 2.75V @ 15V, 450A 5 Ma No 84 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

    Almacén en stock