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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPB136N08N3 G	-	RFQ	2427	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB136N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		80 V	45a (TC)	6V, 10V	13.6mohm @ 45a, 10v	3.5V @ 33 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1730 pf @ 40 V	-	79W (TC)
Irfc4768ed	-	RFQ	4472	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto											descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1						-
Bsm25gp120b2bosa1	-	RFQ	3936	Infineon Technologies	-	Banda	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	Bsm25g			230 W		Rectificador de Puente Trifásico	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Puente completo																							-	1200 V	45 A		2.55V @ 15V, 25A				500 µA	Si	1.5 NF @ 25 V
FZ800R33KF2CB3S2NDSA1	-	RFQ	7978	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FZ800			9600 W		Estándar	-	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	Medio puente																							-	3300 V	1 A		4.25V @ 15V, 800A				5 Ma	No	100 NF @ 25 V
IRFSL4310PBF	-	RFQ	6999	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		100 V	130A (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	250 nc @ 10 V	± 20V	7670 pf @ 50 V	-	300W (TC)
Ipp08cne8ng	0.8800	RFQ	925	Infineon Technologies	Optimos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1			N-canal		85 V	95A (TC)	10V	6.4mohm @ 95a, 10V	4V @ 130 µA	99 NC @ 10 V	± 20V	6690 pf @ 40 V	-	167W (TC)
Bsm300gb60dlchosa1	-	RFQ	5183	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	BSM300			1250 W		Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	2 Independientes																							-	600 V	375 A		2.45V @ 15V, 300A				1 MA	No	13 NF @ 25 V
BAS28WE6327BTSA1	-	RFQ	4369	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BAS28		Estándar				PG-SOT343-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad														2 Independientes	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	100 na @ 75 V	150 ° C (Máximo)
SPB100N03S2-03	-	RFQ	6740	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB100N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		30 V	100A (TC)	10V	3mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	7020 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IKB15N65EH5ATMA1	3.0500	RFQ	968	Infineon Technologies	Trenchstop ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IKB15N65	Estándar		105 W			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000				400V, 15a, 39ohm, 15V																70 ns				Parada de Campo de Trinchera	650 V	30 A	45 A	2.1V @ 15V, 15a	400 µJ (Encendido), 80 µJ (apaguado)	38 NC	16ns/145ns
Ff5mr20km1hhpsA1	762.8950	RFQ	2386	Infineon Technologies	-	Banda	Activo				FF5MR20		-					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado				10													-
IRGR4045DTRLPBF	-	RFQ	9851	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Irgr4045	Estándar		77 W			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001542342	EAR99	8541.29.0095	3.000				400V, 6a, 47ohm, 15V																74 ns				Zanja	600 V	12 A	18 A	2V @ 15V, 6a	56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado)	19.5 NC	27ns/75ns
Bcr48pne6327btsa1	-	RFQ	7847	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR48			250MW			PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																									50V	70 Ma, 100 Ma						-			1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	100MHz, 200MHz	47kohms, 2.2kohms	47 kohms
IPS060N03LGAKMA1	-	RFQ	2062	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO251-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal		30 V	50A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 15 V	-	56W (TC)
IRG5K100HF12A	-	RFQ	4446	Infineon Technologies	-	Caja	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo Powir® 34				620 W		Estándar	POWIR® 34	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001537392	EAR99	8541.29.0095	20	Medio puente																							-	1200 V	200 A		2.6V @ 15V, 100A				1 MA	No	12.9 NF @ 25 V
IPP65R280C6	-	RFQ	4893	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar						0000.00.0000	1			N-canal		650 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 4.4a, 10V	3.5V @ 440 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 100 V	-	104W (TC)
BSC100N03MSGATMA1	0.7900	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC100		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal		30 V	12A (TA), 44A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 30W (TC)
IPP60R190P6XKSA1	3.1800	RFQ	19	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP60R190		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		600 V	20.2a (TC)	10V	190mohm @ 7.6a, 10v	4.5V @ 630 µ	11 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 100 V	-	151W (TC)
IRFSL59N10D	-	RFQ	7447	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFSL59N10D	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal		100 V	59A (TC)	10V	25mohm @ 35.4a, 10V	5.5V @ 250 µA	114 NC @ 10 V	± 30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
2PS12017E44G35911NOSA1	-	RFQ	3097	Infineon Technologies	Primestack ™	Una granela	Obsoleto	-25 ° C ~ 55 ° C	Monte del Chasis	Módulo	2PS12017			2160 W		Estándar	Módulo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	Inversor trifásico																							-				2.45V @ 15V, 300A					Si
T1400N16H75VTXPSA1	314.2500	RFQ	12	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-	-		T1400N				-			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	4															-								-
IRF6620TRPBF	1.5600	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX	IRF6620		Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ mx	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal		20 V	27a (TA), 150a (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 27a, 10v	2.45V @ 250 µA	42 NC @ 4.5 V	± 20V	4130 pf @ 10 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
FZ400R17KE3HOSA1	214.2900	RFQ	3276	Infineon Technologies	hacer	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FZ400R17			2250 W		Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Soltero																							Parada de Campo de Trinchera	1700 V	620 A		2.45V @ 15V, 400A				3 MA	No	36 NF @ 25 V
FF800R12KL4CNOSA1	-	RFQ	8684	Infineon Technologies	hacer	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				5000 W		-	Ag-prime2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2	2 Independientes																							-	1200 V	1250 A		2.6V @ 15V, 800A				5 Ma	No	56 NF @ 25 V
IRFS4115TRL7PP	4.0300	RFQ	21	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb	IRFS4115		Mosfet (Óxido de metal)				D2PAK (7-LEAD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal		150 V	105A (TC)	10V	11.8mohm @ 63a, 10v	5V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	5320 pf @ 50 V	-	380W (TC)
IRFB11N50APBF	-	RFQ	9991	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)				Un 220b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		500 V	11a (TC)	10V	520mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250 µA	52 NC @ 10 V	± 30V	1423 pf @ 25 V	-	170W (TC)
IPB120N06S4H1ATMA2	4.3600	RFQ	8041	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB120		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		60 V	120a (TC)	10V	2.4mohm @ 100a, 10V	4V @ 200 µA	270 NC @ 10 V	± 20V	21900 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IM241S6S1JAUMA1	10.3800	RFQ	341	Infineon Technologies	IM241, CIPOS ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 23-Powersmd, Ala de la Gaviota	IM241S6			9 W		Estándar	23-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500	Inversor trifásico																							-	600 V			1.78V @ 15V, 500 Ma					Si
IPD90N04S40-4ATMA1	1.0000	RFQ	6641	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-313	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal		40 V	90A (TC)	10V	4.1mohm @ 90a, 10V	4V @ 35.2MA	43 NC @ 10 V	± 20V	3440 pf @ 25 V	-	71W (TC)
BSC042N03LSGATMA1	1.1500	RFQ	10	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC042		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal		30 V	20A (TA), 93A (TC)	4.5V, 10V	4.2mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	42 NC @ 10 V	± 20V	3500 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 57W (TC)