SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BCX71JE6433HTMA1 Infineon Technologies BCX71JE6433HTMA1 0.0529
RFQ
 ECAD 1592 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 100 mA 20NA (ICBO) PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V 250MHz
BC846UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies BC846UPNE6327HTSA1 0.1260
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 BC846 250MW PG-SC74-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRFR3504TRRPBF Infineon Technologies IRFR3504TRPBF -
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 30A (TC) 10V 9.2mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRF7509TR Infineon Technologies IRF7509TR -
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) IRF7509 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 30V 2.7a, 2a 110mohm @ 1.4a, 10V 1V @ 250 µA 12NC @ 10V 210pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IPU039N03LGXK Infineon Technologies IPU039N03LGXK -
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Ipu039n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 15 V - 94W (TC)
SPP02N60C3 Infineon Technologies Spp02n60c3 0.4800
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 1.8a (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10v 3.9V @ 80 µA 12.5 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
IRG7PH42UD1MPBF Infineon Technologies IRG7PH42UD1MPBF -
RFQ
 ECAD 4625 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Irg7ph Estándar 313 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 600V, 30a, 10ohm, 15V Zanja 1200 V 85 A 200 A 2V @ 15V, 30a 1.21mj (apaguado) 270 NC -/270ns
TD330N16AOFHPSA1 Infineon Technologies TD330N16AOFHPSA1 191.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo TD330N16 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3
SMBT3906E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBT3906E6327HTSA1 0.3700
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MBT3906 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
SMBT3906SH6327XTSA1 Infineon Technologies SMBT3906SH6327XTSA1 0.0835
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 SMBT 3906 330MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA (ICBO) 2 PNP (dual) 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
BSL373SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL373SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 1810 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 2a (TA) 10V 230mohm @ 2a, 10v 4V @ 218 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 265 pf @ 25 V - 2W (TA)
SGP30N60HSXKSA1 Infineon Technologies Sgp30n60hsxksa1 -
RFQ
 ECAD 3618 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Sgp30n Estándar 250 W PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400V, 30a, 11ohm, 15V Escrutinio 600 V 41 A 112 A 3.15V @ 15V, 30a 1.15mj 141 NC 20ns/250ns
TT61N08KOFHPSA1 Infineon Technologies TT61N08KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TT61N Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 15 200 MA 800 V 120 A 1.4 V 1550A @ 50Hz 120 Ma 76 A 2 SCRS
IRL60S216 Infineon Technologies IRL60S216 -
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL60S216 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 195a (TC) 4.5V, 10V 1.95mohm @ 100a, 10v 2.4V @ 250 µA 255 NC @ 4.5 V ± 20V 15330 pf @ 25 V - 375W (TC)
IPP60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R250CPXKSA1 -
RFQ
 ECAD 1690 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R250 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 440 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 100 V - 104W (TC)
IRF6718L2TR1PBF Infineon Technologies IRF6718L2TR1PBF -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L6 Mosfet (Óxido de metal) Directfet l6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 61a (TA), 270a (TC) 4.5V, 10V 0.7mohm @ 61a, 10V 2.35V @ 150 µA 96 NC @ 4.5 V ± 20V 6500 pf @ 13 V - 4.3W (TA), 83W (TC)
IRLB3813PBF Infineon Technologies IRLB3813PBF 1.8700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRLB3813 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 260a (TC) 4.5V, 10V 1.95mohm @ 60a, 10v 2.35V @ 150 µA 86 NC @ 4.5 V ± 20V 8420 pf @ 15 V - 230W (TC)
BCP 68-25 E6327 Infineon Technologies BCP 68-25 E6327 -
RFQ
 ECAD 7341 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP 68 3 W PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 160 @ 500mA, 1V 100MHz
BFN26E6327HTSA1 Infineon Technologies Bfn26e6327htsa1 0.0859
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFN26 360 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 200 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 30 @ 30mA, 10V 70MHz
IRL7472L1TRPBF Infineon Technologies IRL7472L1TRPBF 4.5800
RFQ
 ECAD 535 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L8 IRL7472 Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ Isométrico L8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 375A (TC) 4.5V, 10V 0.59mohm @ 195a, 10V 2.5V @ 250 µA 330 NC @ 4.5 V ± 20V 20082 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 341W (TC)
IRG4BC20SPBFXKMA1 Infineon Technologies IRG4BC20SPBFXKMA1 -
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 60 W Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 480V, 10a, 50ohm, 15V - 600 V 19 A 38 A 1.6v @ 15V, 10a 120 µJ (Encendido), 2.05MJ (apagado) 27 NC 27ns/540ns
BAS3010B03WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAS3010B03WE6327HTSA1 0.4600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAS3010 Schottky PG-SOD323-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 20 µA @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A 40pf @ 5V, 1 MHz
IRG4BC30F-STRR Infineon Technologies IRG4BC30F-STRR -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 100 W D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado IRG4BC30FSTRR EAR99 8541.29.0095 25 480v, 17a, 23ohm, 15V - 600 V 31 A 120 A 1.8v @ 15V, 17a 230 µJ (Encendido), 1.18MJ (apaguado) 51 NC 21ns/200ns
IPA65R190E6 Infineon Technologies IPA65R190E6 -
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to20-3-111 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 650 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 3.5V @ 730 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 100 V - 34W (TC)
IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R008M2HXTMA1 51.9023
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IMBG120R008M2HXTMA1TR 1,000
D1030N26TXPSA1 Infineon Technologies D1030N26TXPSA1 192.2900
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Apretar Do-200ab, B-PUK D1030N26 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2600 V 1.11 V @ 10000 A 40 Ma @ 2600 V -40 ° C ~ 160 ° C 1030A -
BCX6925E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6925E6327HTSA1 0.5100
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX69 3 W PG-SOT89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 160 @ 500mA, 1V 100MHz
BSM50GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies Bsm50gd120dlcbosa1 -
RFQ
 ECAD 4281 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo BSM50G 350 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico - 1200 V 85 A 2.6V @ 15V, 50A 84 µA No 3.3 NF @ 25 V
IRFS31N20DTRRP Infineon Technologies IRFS31N20DTRRP -
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001552276 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 31a (TC) 10V 82mohm @ 18a, 10v 5.5V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 30V 2370 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 200W (TC)
IRFU3711ZPBF Infineon Technologies IRFU3711ZPBF -
RFQ
 ECAD 6111 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 27 NC @ 4.5 V ± 20V 2160 pf @ 10 V - 79W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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