SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
FS150R07PE4BOSA1 Infineon Technologies FS150R07PE4BOSA1 211.6633
RFQ
 ECAD 1617 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 4 Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS150R07 430 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 650 V 150 A 1.95V @ 15V, 150a 1 MA Si 9.3 NF @ 25 V
IPD06P002NSAUMA1 Infineon Technologies IPD06P002NSAUMA1 -
RFQ
 ECAD 3789 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD06P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 35A (TC) 10V 38mohm @ 35a, 10v 4V @ 1.7MA 63 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 30 V - 125W (TC)
SPD30P06P Infineon Technologies SPD30P06P -
RFQ
 ECAD 5316 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD30P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 30A (TC) 10V 75mohm @ 21.5a, 10v 4V @ 1.7MA 48 NC @ 10 V ± 20V 1535 pf @ 25 V - 125W (TC)
FF200R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies FF200R12KS4PHOSA1 195.5800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FF200R12 1400 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 8 Medio puente - 1200 V 275 A 3.7V @ 15V, 200a 5 Ma No 13 NF @ 25 V
TT122N18KOFHPSA1 Infineon Technologies TT122N18KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 7905 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 140 ° C Monte del Chasis Módulo TT122N Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 8 200 MA 1.8 kV 160 A 1.4 V 1050a @ 50Hz 120 Ma 104 A 2 SCRS
IRFR2405TRPBF Infineon Technologies IRFR2405TRPBF 1.6800
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR2405 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 56a (TC) 10V 16mohm @ 34a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2430 pf @ 25 V - 110W (TC)
SN7002W L6327 Infineon Technologies SN7002W L6327 -
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 SN7002W Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 230 mA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 230mA, 10V 1.8V @ 26 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 45 pf @ 25 V - 500MW (TA)
IDW30E65D1 Infineon Technologies IDW30E65D1 -
RFQ
 ECAD 7942 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar PG-TO247-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 650 V 1.7 V @ 30 A 115 ns 40 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 60A -
IRFSL3307 Infineon Technologies IRFSL3307 -
RFQ
 ECAD 9127 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFSL3307 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 130A (TC) 10V 6.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 5150 pf @ 50 V - 250W (TC)
IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD08SG60CXTMA2 5.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IDD08SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.1 v @ 8 a 0 ns 70 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 240pf @ 1V, 1 MHz
IPP023NE7N3G Infineon Technologies IPP023NE7N3G -
RFQ
 ECAD 1271 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP023N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP000938080 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 273 µA 206 NC @ 10 V ± 20V 14400 pf @ 37.5 V - 300W (TC)
IPP80N06S2L06AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S2L06AKSA1 -
RFQ
 ECAD 7301 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 69a, 10v 2V @ 180 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 25 V - 250W (TC)
TT170N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TT170N14KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TT170N14 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 1.4 kV 350 A 2 V 5200A @ 50Hz 200 MA 223 A 2 SCRS
IRF7459TR Infineon Technologies IRF7459TR -
RFQ
 ECAD 6674 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 V 12a (TA) 2.8V, 10V 9mohm @ 12a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2480 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IRF3710ZLPBF Infineon Technologies IRF3710ZLPBF -
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 59A (TC) 10V 18mohm @ 35a, 10v 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 25 V - 160W (TC)
BA 595 B6327 Infineon Technologies BA 595 B6327 -
RFQ
 ECAD 6253 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 BA 595 PG-SOD323-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 30,000 50 Ma 0.6pf @ 10V, 1 MHz PIN - Single 50V 7ohm @ 10mA, 100MHz
IRL5602 Infineon Technologies IRL5602 -
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 20 V 24a (TC) 2.5V, 4.5V 42mohm @ 12a, 4.5V 1V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 8V 1460 pf @ 15 V - -
IRF1010EZL Infineon Technologies IRF1010EZL -
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf1010bezl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10v 4V @ 100 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRF3709STRL Infineon Technologies IRF3709Strl -
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 41 NC @ 5 V ± 20V 2672 pf @ 16 V - 3.1W (TA), 120W (TC)
IPD042P03L3GATMA1 Infineon Technologies IPD042P03L3GATMA1 2.1300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD042 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 70A (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 70a, 10v 2V @ 270 µA 175 NC @ 10 V ± 20V 12400 pf @ 15 V - 150W (TC)
IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies IPD50R2K0CEAUMA1 0.6500
RFQ
 ECAD 3183 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50R2 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 2.4a (TC) 13V 2ohm @ 600mA, 13V 3.5V @ 50 µA 6 NC @ 10 V ± 20V 124 pf @ 100 V - 33W (TC)
IPW65R110CFDFKSA1 Infineon Technologies IPW65R110CFDFKSA1 5.5135
RFQ
 ECAD 4015 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R110 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 31.2a (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10v 4.5V @ 1.3MA 118 NC @ 10 V ± 20V 3240 pf @ 100 V - 277.8W (TC)
D121N12BXPSA1 Infineon Technologies D121N12BXPSA1 -
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AA, DO-8, Semento D121N Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 20 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C 230A -
BB 659C-02V E7902 Infineon Technologies BB 659C-02V E7902 -
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BB 659C PG-SC79-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 2.75pf @ 28V, 1MHz Soltero 30 V 15.3 C1/C28 -
ACCESSORY33234NOSA1 Infineon Technologies Acesorio33234nosa1 -
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Acesorio3 - Alcanzar sin afectado 448-accesory33234nosa1 EAR99 8542.39.0001 1
BSC0805LSATMA1 Infineon Technologies Bsc0805lsatma1 2.5300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0805 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 79A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 40a, 10v 2.3V @ 49 µA 20 NC @ 4.5 V ± 20V 2700 pf @ 50 V - 83W (TC)
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ031NE2LS5ATMA1 1.3200
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ031 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 19a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 18.3 NC @ 10 V ± 16V 1230 pf @ 12 V - 2.1W (TA), 30W (TC)
IRL1104SPBF Infineon Technologies IRL1104SPBF -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10v 1V @ 250 µA 68 NC @ 4.5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 167W (TC)
IRFR2405TRLPBF Infineon Technologies IRFR2405TRLPBF 1.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR2405 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 56a (TC) 10V 16mohm @ 34a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2430 pf @ 25 V - 110W (TC)
BCR 133F E6327 Infineon Technologies BCR 133F E6327 -
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-723 BCR 133 250 MW PG-TSFP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130 MHz 10 kohms 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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