SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies AIKB15N65DH5ATMA1 3.7300
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab AIKB15 Estándar PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - Escrutinio 650 V 15 A - - -
IPA60R180P7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R180P7XKSA1 3.0000
RFQ
 ECAD 8254 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R Mosfet (Óxido de metal) PG-to220 Paqueto completo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 18a (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10v 4V @ 280 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1081 pf @ 400 V - 26W (TC)
IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon Technologies IAUC80N04S6L032ATMA1 1.0500
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUC80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.29mohm @ 40a, 10v 2V @ 18 µA 25 NC @ 10 V ± 16V 1515 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRGP4690DPBF Infineon Technologies IRGP4690DPBF -
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 454 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001534080 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 75a, 10ohm, 15V 155 ns - 600 V 140 A 225 A 2.1V @ 15V, 75a 2.47MJ (Encendido), 2.16mj (apaguado) 150 NC 50ns/200ns
IRF8313PBF Infineon Technologies IRF8313PBF -
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF8313 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal N (Dual) 30V 9.7a 15.5mohm @ 9.7a, 10v 2.35V @ 25 µA 90NC @ 4.5V 760pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SI4420DYTRPBF Infineon Technologies Si4420dytrpbf -
RFQ
 ECAD 8961 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10v 1V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 20V 2240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FS400R12A2T4BOSA1 Infineon Technologies FS400R12A2T4BOSA1 -
RFQ
 ECAD 6652 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Obsoleto descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000917120 EAR99 8541.29.0095 3
IPT60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT60R090CFD7XTMA1 7.2700
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IPT60R090 Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 90mohm @ 9.3a, 10v 4.5V @ 470 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1752 pf @ 400 V - 160W (TC)
IPW65R145CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R145CFD7AXKSA1 6.4300
RFQ
 ECAD 4517 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R145 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 17a (TC) 145mohm @ 8.5a, 10v 4.5V @ 420 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1694 pf @ 400 V - 98W (TC)
BSO4804 Infineon Technologies BSO4804 -
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO4804 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 8A 20mohm @ 8a, 10v 2V @ 30 µA 17NC @ 5V 870pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRF3709ZCSTRR Infineon Technologies IRF3709ZCSTRR -
RFQ
 ECAD 8210 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2130 pf @ 15 V - 79W (TC)
IRF540ZLPBF Infineon Technologies IRF540ZLPBF 1.6000
RFQ
 ECAD 863 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF540 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1770 pf @ 25 V - 92W (TC)
IRL1104SPBF Infineon Technologies IRL1104SPBF -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10v 1V @ 250 µA 68 NC @ 4.5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 167W (TC)
SMBTA92E6327HTSA1 Infineon Technologies SmbTA92E6327HTSA1 0.4800
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MBTA92 360 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 25 @ 30mA, 10V 50MHz
IPB120N06S402ATMA1 Infineon Technologies IPB120N06S402ATMA1 -
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 140 µA 195 NC @ 10 V ± 20V 15750 pf @ 25 V - 188W (TC)
BCP69-25E6327 Infineon Technologies BCP69-25E6327 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 3 W PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) 500mv @ 100 mm, 1a 160 @ 500mA, 1V 100MHz
IPU60R600C6AKMA1 Infineon Technologies IPU60R600C6AKMA1 -
RFQ
 ECAD 5338 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001292878 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200 µA 20.5 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 100 V - 63W (TC)
IRLR7833TRR Infineon Technologies IRLR7833TRR -
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 140A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10v 2.3V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 20V 4010 pf @ 15 V - 140W (TC)
IRL3103LPBF Infineon Technologies IRL3103LPBF -
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 34a, 10v 1V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 16V 1650 pf @ 25 V - 94W (TC)
T940N18TOFXPSA1 Infineon Technologies T940N18TOFXPSA1 210.4022
RFQ
 ECAD 5514 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK T940N18 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 9 300 mA 1.8 kV 1759 A 2.2 V 17500A @ 50Hz 250 Ma 959 A 1 SCR
94-3412PBF Infineon Technologies 94-3412pbf -
RFQ
 ECAD 9007 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7811 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V 12mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 33 NC @ 5 V ± 12V 2335 pf @ 16 V - 3.1W (TA)
IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP075N15N3GXKSA1 5.9100
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP075 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 100A (TC) 8V, 10V 7.5mohm @ 100a, 10v 4V @ 270 µA 93 NC @ 10 V ± 20V 5470 pf @ 75 V - 300W (TC)
BCR119SE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR119SE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR119 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 kohms -
BSP315PE6327T Infineon Technologies BSP315PE6327T -
RFQ
 ECAD 7341 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 1.17a (TA) 4.5V, 10V 800mohm @ 1.17a, 10V 2V @ 160 µA 7.8 NC @ 10 V ± 20V 160 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRLR3103TR Infineon Technologies IRLR3103TR -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10v 1V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 16V 1600 pf @ 25 V - 107W (TC)
IPL60R365P7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R365P7AUMA1 2.8100
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL60R365 Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 365mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 555 pf @ 400 V - 46W (TC)
IRF7328PBF Infineon Technologies IRF7328PBF -
RFQ
 ECAD 5269 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF732 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001555158 EAR99 8541.29.0095 3.800 2 Canal P (Dual) 30V 8A 21mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 78nc @ 10V 2675pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRLML2402TR Infineon Technologies IRLML2402TR -
RFQ
 ECAD 6495 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Micro3 ™/SOT-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.2a (TA) 250MOHM @ 930MA, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 3.9 NC @ 4.5 V 110 pf @ 15 V -
IRF6215PBF Infineon Technologies IRF6215PBF -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 150 V 13a (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRFU3709 Infineon Technologies IRFU3709 -
RFQ
 ECAD 8044 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFU3709 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 41 NC @ 4.5 V ± 20V 2672 pf @ 16 V - 120W (TC)
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