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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFA190451FV4R250XTMA1 | - |  | 3998 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas | PTFA190451 | 1.96 GHz | Ldmos | H-37265-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10 µA | 450 Ma | 11W | 17.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPG20N06S415ATMA1 | - | | 8826 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IPG20N | Mosfet (Óxido de metal) | 50W | PG-TDSON-8-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 20A | 15.5mohm @ 17a, 10v | 4V @ 20 µA | 29NC @ 10V | 2260pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLZ44ZS | - | | 4375 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLZ44ZS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 51a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 31a, 10v | 3V @ 250 µA | 36 NC @ 5 V | ± 16V | 1620 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7807A | - | | 1942 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7807A | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 8.3a (TA) | 4.5V | 25mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUC60N04S6L045HATMA1 | 2.0500 | | 29 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IAUC60 | Mosfet (Óxido de metal) | 52W (TC) | PG-TDSON-8-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | 60A (TJ) | 4.5mohm @ 30a, 10V | 2V @ 13 µA | 19NC @ 10V | 1136pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG8P75N65UD1PBF | - | | 2351 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | IRG8P | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7468PBF | - | | 9898 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001559918 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 40 V | 9.4a (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 9.4a, 10v | 2V @ 250 µA | 34 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2460 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7458PBF | - | | 1573 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001555388 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 10V, 16V | 8mohm @ 14a, 16V | 4V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 30V | 2410 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMBG65R057M1HXTMA1 | 11.8000 | | 940 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | IMBG65 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO263-7-12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IMBG65R057M1HXTMA1CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 39A (TC) | 18V | 74mohm @ 16.7a, 18V | 5.7V @ 5MA | 28 NC @ 18 V | +23V, -5V | 930 pf @ 400 V | - | 161W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT104N14KOFHPSA1 | 153.6500 | | 4380 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 140 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT104N | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 MA | 1.4 kV | 160 A | 1.4 V | 2050a @ 50Hz | 120 Ma | 104 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ipu80r1k4ceakma1 | - | | 6395 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU80R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001593930 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 800 V | 3.9a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.3a, 10v | 3.9V @ 240 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirfr2607z | - | | 4080 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001517366 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 42a (TC) | 10V | 22mohm @ 30a, 10v | 4V @ 50 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 1440 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS170WE6327HTSA1 | 0.4800 | | 44 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BAS170 | Schottky | PG-SOD323-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 15 Ma | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | 70 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bsc0925ndatma1 | 0.9500 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC0925 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | PG-TISON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 N Canal (Pechugador de Doble Dólar) | 30V | 15A | 5mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 17NC @ 10V | 1157pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IM240M6Y2BAKMA1 | 7.8900 | | 465 | 0.00000000 | Infineon Technologies | IM240-M6, CIPOS ™ | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) | IGBT | IM240M6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | - | 4 A | 600 V | 1900 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TD500N12KOFHPSA2 | 338.6100 | | 2312 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TD500N12 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 1.8 kV | 900 A | 2.2 V | 17000A @ 50Hz | 250 Ma | 500 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI60R299CPXKSA1 | - | | 8573 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 100 V | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | T1500N18TOFVTXPSA1 | 444.0625 | | 6269 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Do-200ab, B-PUK | T1500N18 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 4 | 500 mA | 1.8 kV | 3500 A | 2 V | 39000A @ 50Hz | 350 Ma | 1500 A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ETT510N16P60HPSA1 | 290.9000 | | 1425 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 135 ° C (TC) | Monte del Chasis | Módulo | ETT510 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2 | 300 mA | 1.6 kV | 700 A | 2 V | 15300A @ 50Hz | 250 Ma | 515 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFP640E6327BTSA1 | 0.6800 | | 155 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP640 | 200MW | PG-SOT343-3D | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 24db | 4.5V | 50mera | NPN | 110 @ 30mA, 3V | 40 GHz | 0.65db ~ 1.2db @ 1.8Ghz ~ 6Ghz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | T1080N02TOFXPSA1 | - | | 8805 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 140 ° C | Monte del Chasis | DO-200AA, A-PUK | T1080N | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 200 MA | 600 V | 2000 A | 2 V | 16000A @ 50Hz | 200 MA | 1078 A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLS4030-7PPBF | - | | 8432 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 190a (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 110a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 140 NC @ 4.5 V | ± 16V | 11490 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IHW30N160R5XKSA1 | 5.7700 | | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ihw30n160 | Estándar | 263 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 30a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 1600 V | 60 A | 90 A | 2.15V @ 15V, 30a | 2MJ (apaguado) | 205 NC | -/290ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW68HE6327HTSA1 | 0.4200 | | 117 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW68 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 800 Ma | 20NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Td92n16kofahpsa1 | - | | 2024 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | 140 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | TD92N | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 MA | 1.6 kV | 160 A | 1.4 V | 2050a @ 50Hz | 120 Ma | 102 A | 1 scr, 1 diodo | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848B-E6327 | - | | 2172 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD135N03LG | 1.0000 | | 8832 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR 158 B6327 | - | | 6174 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR 158 | 200 MW | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T2161N52TXPSA1 | - | | 2288 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Do-200ae | T2161N | Soltero | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 350 Ma | 5.2 kV | 3250 A | 2.5 V | 55000A @ 50Hz | 350 Ma | 2860 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKB15N65DH5ATMA1 | 3.7300 | | 5606 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | AIKB15 | Estándar | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | Escrutinio | 650 V | 15 A | - | - | - |
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