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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | IPW60R299CPFKSA1 | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 299mohm @ 6.6a, 10v | 3.5V @ 440 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 100 V | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfr4105ztr | - | ![]() | 8654 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1410N04TOFXPSA1 | 227.5178 | ![]() | 3798 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 140 ° C | Monte del Chasis | Do-200ab, B-PUK | T1410N04 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 9 | 300 mA | 600 V | 2500 A | 1.5 V | 23000A @ 50Hz | 250 Ma | 1490 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR148E6327HTSA1 | 0.3800 | ![]() | 350 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR148 | 200 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 100 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80P04P4L08AKSA1 | - | ![]() | 3833 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 40 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 8.2mohm @ 80a, 10v | 2.2V @ 120 µA | 92 NC @ 10 V | +5V, -16V | 5430 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 114T E6327 | - | ![]() | 1421 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BCR 114 | 250 MW | PG-SC75-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 160 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Spa20n60c3xksa1 | 6.3000 | ![]() | 1617 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Spa20n60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-31 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 20.7a (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10v | 3.9V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 34.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bsp297h6327xtsa1 | 0.8900 | ![]() | 7363 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BSP297 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 660MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.8ohm @ 660ma, 10V | 1.8V @ 400 µA | 16.1 NC @ 10 V | ± 20V | 357 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS5202VH643333TMA1 | 0.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BAS5202 | Schottky | PG-SC79-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 600 MV @ 200 Ma | 10 µA @ 45 V | 150 ° C (Máximo) | 750 MAPA | 10pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD750S65K3NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 6958 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | Módulo | DD750S65 | Estándar | A-IHV130-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 6500 V | - | 3.5 V @ 750 A | 1100 A @ 3600 V | -50 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bfp450e6433btma1 | - | ![]() | 2361 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP450 | 450MW | PG-SOT343-4-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 15.5dB | 5V | 100mA | NPN | 60 @ 50mA, 4V | 24GHz | 1.25db @ 1.8Ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC42D120H6X1SA3 | - | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Morir | SIDC42D | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.6 V @ 75 A | 27 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 75a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1081N65TXPSA1 | - | ![]() | 7606 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Un 200af | T1081N65 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 350 Ma | 7 kV | 2040 A | 2.5 V | 35000A @ 50Hz | 350 Ma | 1800 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM846SH6327XTSA1 | 0.1398 | ![]() | 4832 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM846 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU1010ZPBF | - | ![]() | 2678 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 10V | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1590N26TOFVTXPSA1 | 740.0050 | ![]() | 7672 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Do-200ad | T1590N26 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 2.8 kV | 3200 A | 3 V | 32000A @ 50Hz | 300 mA | 1590 A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirfsa8409-7p | - | ![]() | 5560 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Auirfsa8409 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001520354 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 523A (TC) | 10V | 0.69mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 250 µA | 460 NC @ 10 V | ± 20V | 13975 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRD3CH82DF6 | - | ![]() | 1532 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IRD3CH82 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001538740 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf1010zl | - | ![]() | 9312 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf1010zl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP183WE6327BTSA1 | - | ![]() | 9914 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BFP183 | 450MW | PG-SOT343-3D | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 22dB | 12V | 65mA | NPN | 70 @ 15 Ma, 8V | 8GHz | 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU80R1K4P7AKMA1 | 1.2500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU80R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-21 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 800 V | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.4a, 10V | 3.5V @ 700 µA | 10.05 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 500 V | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7748L1TRPBF | - | ![]() | 4893 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico L6 | IRF7748 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet l6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 60 V | 28a (TA), 148a (TC) | 10V | 2.2mohm @ 89a, 10V | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 8075 pf @ 50 V | - | 3.3W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3502SPBF | - | ![]() | 8861 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 110A (TC) | 4.5V, 7V | 7mohm @ 64a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 110 NC @ 4.5 V | ± 10V | 4700 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB80N03S2L-05 G | - | ![]() | 9028 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 55a, 10v | 2V @ 110 µA | 89.7 NC @ 10 V | ± 20V | 3320 pf @ 25 V | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP040N06N3GHKSA1 | - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP040N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000398032 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 10V | 4mohm @ 90a, 10v | 4V @ 90 µA | 98 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 30 V | - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT170N18KOFHPSA1 | - | ![]() | 4896 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT170N18 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1.8 kV | 350 A | 2 V | 5200A @ 50Hz | 200 MA | 223 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 166F E6327 | - | ![]() | 1601 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sot-723 | BCR 166 | 250 MW | PG-TSFP-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 160 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 196f E6327 | - | ![]() | 9938 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sot-723 | BCR 196 | 250 MW | PG-TSFP-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 70 Ma | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 47 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB47N10S33ATMA1 | - | ![]() | 8007 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB47N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 10V | 33mohm @ 33a, 10V | 4V @ 2mA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Spp21n50c3hksa1 | - | ![]() | 2699 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp21n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 560 V | 21a (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10v | 3.9V @ 1MA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 208W (TC) |
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