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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
IPA023N04NM3SXKSA1	-	RFQ	6574	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo	-			IPA023	-				-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			-				-	-	-	-		-		-	-
IDDD16G65C6XTMA1	7.2400	RFQ	6	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Activo		Montaje en superficie	Módulo de 10-PowerSop	IDDD16	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-HDSOP-10-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.700		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																					650 V			0 ns	53 µA @ 420 V	-55 ° C ~ 175 ° C	43a	783pf @ 1V, 1 MHz
BSC160N15NS5ATMA1	2.8900	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC160	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			150 V	56a (TC)	8V, 10V	16mohm @ 28a, 10v	4.6V @ 60 µA	23.1 NC @ 10 V	± 20V	1820 pf @ 75 V	-	96W (TC)
IRF3709PBF	-	RFQ	8735	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			30 V	90A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 15a, 10v	3V @ 250 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	2672 pf @ 16 V	-	3.1W (TA), 120W (TC)
IRF1405LPBF	-	RFQ	8407	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			55 V	131a (TC)	10V	5.3mohm @ 101a, 10V	4V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	5480 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRL3102strl	-	RFQ	9348	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			20 V	61a (TC)	4.5V, 7V	13mohm @ 37a, 7v	700mV @ 250 µA (min)	58 NC @ 4.5 V	± 10V	2500 pf @ 15 V	-	89W (TC)
IRF8304MTR1PBF	-	RFQ	2593	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX	IRF8304	Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			30 V	28a (TA), 170A (TC)	4.5V, 10V	2.2mohm @ 28a, 10v	2.35V @ 100 µA	42 NC @ 4.5 V	± 20V	4700 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 100W (TC)
IPP80N06S2L09AKSA1	-	RFQ	3897	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP80N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal			55 V	80a (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 52a, 10v	2V @ 125 µA	105 NC @ 10 V	± 20V	2620 pf @ 25 V	-	190W (TC)
BCR119WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	8919	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BCR119		250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																50 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	120 @ 5MA, 5V	150 MHz	4.7 kohms
BCR 162F E6327	-	RFQ	6346	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	Sot-723	BCR 162		200 MW		PG-TSFP-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																50 V	100 mA	100NA (ICBO)	PNP - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	20 @ 5MA, 5V	200 MHz	4.7 kohms	4.7 kohms
IRF6618TR1	-	RFQ	8342	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico Mt		Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mt	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			30 V	30A (TA), 170A (TC)	4.5V, 10V	2.2mohm @ 30a, 10V	2.35V @ 250 µA	65 NC @ 4.5 V	± 20V	5640 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
DD241S14KAHPSA1	-	RFQ	4773	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Monte del Chasis	Módulo		Estándar			Módulo	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																				Conexión de la Serie de 1 par	1400 V	261a	1.55 V @ 800 A		200 mA @ 1400 V	150 ° C
IRF7555TRPBF	-	RFQ	2102	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)	IRF7555	Mosfet (Óxido de metal)	1.25W		Micro8 ™	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal P (Dual)					20V	4.3a		55mohm @ 4.3a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	15NC @ 5V		1066pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
Bfp193we6327htsa1	-	RFQ	1014	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP193		580MW		PG-SOT343-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000					13.5db ~ 20.5db																											12V	80mera		NPN		70 @ 30mA, 8V	8GHz			1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BCP 56-10 H6433	-	RFQ	8771	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BCP 56		2 W		PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	4.000																																80 V	1 A	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	100MHz
EDD480N22P60HPSA1	-	RFQ	4514	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		Monte del Chasis	Módulo	Edd480	Estándar			BG-PB60ECO-1	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001880822	EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																				Conexión de la Serie de 1 par	2200 V	480a				-
IRFR13N20DTRL	-	RFQ	2469	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal			200 V	13a (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10v	5.5V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	830 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPS04N03LA G	-	RFQ	6542	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak	IPS04N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3-11	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal			25 V	50A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 50a, 10v	2V @ 80 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	5199 pf @ 15 V	-	115W (TC)
SPA07N60CFDXKSA1	-	RFQ	6698	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Spa07n	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal			650 V	6.6a (TC)	10V	700mohm @ 4.6a, 10V	5V @ 300 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	32W (TC)
IRF2807L	-	RFQ	6834	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF2807L	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			75 V	82a (TC)	10V	13mohm @ 43a, 10v	4V @ 250 µA	160 NC @ 10 V	± 20V	3820 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IRL3715Z	-	RFQ	1998	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3715Z	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			20 V	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	870 pf @ 10 V	-	45W (TC)
IRF9383MTRPBF	3.0200	RFQ	11	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX	IRF9383	Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			Canal P			30 V	22a (TA), 160A (TC)	4.5V, 10V	2.9mohm @ 22a, 10v	2.4V @ 150 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	7305 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 113W (TC)
IPB60R600C6ATMA1	-	RFQ	4501	Infineon Technologies	CoolMos ™ C6	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			600 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 2.4a, 10V	3.5V @ 200 µA	20.5 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 100 V	-	63W (TC)
IRLMS6802TRPBF	0.6900	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-23-6	IRLMS6802	Mosfet (Óxido de metal)			Micro6 ™ (TSOP-6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P			20 V	5.6a (TA)	2.5V, 4.5V	50mohm @ 5.1a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	16 NC @ 5 V	± 12V	1079 pf @ 10 V	-	2W (TA)
IPN60R2K1CEATMA1	0.6800	RFQ	7952	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	IPN60R2	Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal			600 V	3.7a (TC)	10V	2.1ohm @ 800 mA, 10V	3.5V @ 60 µA	6.7 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 100 V	-	5W (TC)
IRLR3714	-	RFQ	6414	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal			20 V	36A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 18a, 10v	3V @ 250 µA	9.7 NC @ 4.5 V	± 20V	670 pf @ 10 V	-	47W (TC)
TD280N16SOFHPSA1	106.3400	RFQ	6	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 130 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TD280N16			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3				150 Ma												1.6 kV	520 A	2 V	9000A @ 50Hz	150 Ma	280 A										1 scr, 1 diodo
IRFU4104PBF	-	RFQ	5182	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		Mosfet (Óxido de metal)			IPAK (TO-251AA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal			40 V	42a (TC)	10V	5.5mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	89 NC @ 10 V	± 20V	2950 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IPP120N06S4H1AKSA2	-	RFQ	7704	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP120N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal			60 V	120a (TC)	10V	2.4mohm @ 100a, 10V	4V @ 200 µA	270 NC @ 10 V	± 20V	21900 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IRL1104S	-	RFQ	1816	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL1104S	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			40 V	104a (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 62a, 10v	1V @ 250 µA	68 NC @ 4.5 V	± 16V	3445 pf @ 25 V	-	2.4W (TA), 167W (TC)