SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies BFR193L3E6327XTMA1 0.5800
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BFR193 580MW PG-TSLP-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 12.5db ~ 19db 12V 80mera NPN 70 @ 30mA, 8V 8GHz 1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
T420N12TOFXPSA1 Infineon Technologies T420N12TOFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Apretar DO-200AA, A-PUK T420N Soltero descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 1.8 kV 750 A 2 V 7200A @ 50Hz 200 MA 424 A 1 SCR
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N06S5N105ATMA1 0.3473
RFQ
 ECAD 8566 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-32 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 40A (TJ) 7V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10v 3.4V @ 13 µA 16.3 NC @ 10 V ± 20V 1099 pf @ 30 V - 42W (TC)
BF886H6327XTSA1 Infineon Technologies BF886H6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BF886 100MW PG-SOT343 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000834798 0000.00.0000 3.000 19dB 4v 25 Ma NPN - 45 GHz 0.5dB ~ 0.7dB @ 1.9Ghz ~ 5.5Ghz
IPP60R600C6 Infineon Technologies IPP60R600C6 -
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 0000.00.0000 1 N-canal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200 µA 20.5 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 100 V - 63W (TC)
SPU03N60S5 Infineon Technologies SPU03N60S5 -
RFQ
 ECAD 1061 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
IRFL024Z Infineon Technologies Irfl024z -
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 55 V 5.1a (TA) 10V 57.5mohm @ 3.1a, 10v 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 340 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRG7PH35U-EPBF Infineon Technologies IRG7PH35U-EPBF -
RFQ
 ECAD 5892 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto Irg7ph descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1
BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806NH6327XTSA1 0.4600
RFQ
 ECAD 587 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS806 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.3a (TA) 1.8V, 2.5V 57mohm @ 2.3a, 2.5V 750MV @ 11 µA 1.7 NC @ 2.5 V ± 8V 529 pf @ 10 V - 500MW (TA)
IRGR4607DTRLPBF Infineon Technologies IRGR4607DTRLPBF -
RFQ
 ECAD 5889 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar 58 W D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001549718 EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 4A, 100OHM, 15V 48 ns - 600 V 11 A 12 A 2.05V @ 15V, 4A 140 µJ (Encendido), 62 µJ (apaguado) 9 NC 27ns/120ns
IRG4BC40UPBF Infineon Technologies IRG4BC40UPBF -
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRG4BC40 Estándar 160 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480v, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 40 A 160 A 2.1V @ 15V, 20a 320 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) 100 NC 34ns/110ns
AUIRF1405ZS-7TRL Infineon Technologies Auirf1405zs-7trl 2.5748
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb Auirf1405 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 120a (TC) 10V 4.9mohm @ 88a, 10v 4V @ 150 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5360 pf @ 25 V - 230W (TC)
BCR 199T E6327 Infineon Technologies BCR 199t E6327 -
RFQ
 ECAD 1693 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 199 250 MW PG-SC75-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 70 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 200 MHz 47 kohms
IDH04G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH04G65C5XKSA1 -
RFQ
 ECAD 7539 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 Idh04g65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 v @ 4 a 0 ns 140 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 130pf @ 1V, 1 MHz
TT500N16KOFS01HPSA1 Infineon Technologies TT500N16KOFS01HPSA1 -
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TT500N Conexión de la Serie - SCR/Diodo - No Aplicable Alcanzar sin afectado SP000492386 EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 1.6 kV 900 A 2.2 V 17000A @ 50Hz 250 Ma 500 A 2 SCRS
BC846SE6433BTMA1 Infineon Technologies Bc846se6433btma1 -
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846S 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IGP06N60TXKSA1 Infineon Technologies IGP06N60TXKSA1 1.6000
RFQ
 ECAD 493 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IGP06N60 Estándar 88 W PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400V, 6a, 23ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 12 A 18 A 2.05V @ 15V, 6a 200 µJ 42 NC 9ns/130ns
TT390N18SOFHPSA1 Infineon Technologies TT390N18SOFHPSA1 123.7600
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Monte del Chasis Módulo TT390N18 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 150 Ma 1.8 kV 520 A 2 V 9500A @ 50Hz 150 Ma 380 A 2 SCRS
TZ810N22KOFB01HPSA1 Infineon Technologies TZ810N22KOFB01HPSA1 -
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo TZ810N Soltero - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 500 mA 2.2 kV 1500 A 2 V 39000A @ 50Hz 250 Ma 819 A 1 SCR
BFR360L3E6765XTMA1 Infineon Technologies BFR360L3E6765XTMA1 0.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BFR360 210MW PG-TSLP-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 11.5db ~ 16db 9V 35mA NPN 90 @ 15 Ma, 3V 14GHz 1DB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
BCW60FN Infineon Technologies BCW60FN -
RFQ
 ECAD 1988 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF7828TRPBF Infineon Technologies IRF7828TRPBF -
RFQ
 ECAD 2271 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 13.6a (TA) 4.5V 12.5mohm @ 10a, 4.5V 1V @ 250 µA 14 NC @ 5 V ± 20V 1010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
T930N32TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T930N32TOFVTXPSA1 -
RFQ
 ECAD 8865 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200ac T930N Soltero descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 500 mA 3.6 kV 2200 A 2.2 V 19500A @ 50Hz 250 Ma 930 A 1 SCR
BCR116E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR116E6327HTSA1 0.3600
RFQ
 ECAD 8743 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR116 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 4.7 kohms 47 kohms
IPL60R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R115CFD7AUMA1 5.2400
RFQ
 ECAD 3371 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - - - IPL60R - - descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - 22a (TC) - - - - - -
IRF7353D1TRPBF Infineon Technologies IRF7353D1TRPBF -
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 6.5a (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 650 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 2W (TA)
IRLZ44Z Infineon Technologies IRLZ44Z -
RFQ
 ECAD 6541 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLZ44Z EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 51a (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 31a, 10v 3V @ 250 µA 36 NC @ 5 V ± 16V 1620 pf @ 25 V - 80W (TC)
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ033NE2LS5ATMA1 1.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ033 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 18a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 18.3 NC @ 10 V ± 16V 1230 pf @ 12 V - 2.1W (TA), 30W (TC)
IPD60R600E6 Infineon Technologies IPD60R600E6 -
RFQ
 ECAD 2415 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ E6 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200 µA 20.5 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 100 V - 63W (TC)
IRAM136-1061A2 Infineon Technologies IRAM136-1061A2 -
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 Infineon Technologies iMotion ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero 29 Módulo de Powerssip, 21 cables, formados de cables IGBT descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 80 3 fase 12 A 600 V 2000 VRMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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