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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
IDFW60C65D1XKSA1	5.1120	RFQ	9423	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	TO-247-3	IDFW60	Estándar				PG-TO247-3-AI	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	240		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																				1 par Cátodo Común	650 V	56a (DC)	1.75 v @ 30 a	112 ns	40 µA @ 650 V	-40 ° C ~ 175 ° C
Auxclfz24nstrl	-	RFQ	8412	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			55 V	17a (TC)	10V	70mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 45W (TC)
FF300R12KT4PHOSA1	202.4000	RFQ	8478	Infineon Technologies	hacer	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF300R12				Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	8	Medio puente																													Parada de Campo de Trinchera	1200 V	300 A	2.15V @ 15V, 300A	5 Ma	No	19 NF @ 25 V
IPC300N15N3RX2MA1	2.5600	RFQ	6	Infineon Technologies	Optimos®	Una granela	Activo	-	Montaje en superficie	Morir	IPC300N	Mosfet (Óxido de metal)				Morir	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0040	128			N-canal			150 V	-	10V	100mohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA		-		-	-
BSP612PH6327XTSA1	-	RFQ	6324	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-	-						-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001098612	EAR99	8541.29.0095	1,000							3a (TA)
BCX71GE6327	0.0400	RFQ	47	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			330 MW			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	7,454																															45 V	100 mA		20NA (ICBO)			PNP	550mv @ 1.25 mA, 50 mA	120 @ 2mA, 5V	250MHz
Bfp650h6327xtsa1	0.6100	RFQ	240	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP650		500MW			PG-SOT343-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000					10.5db ~ 21.5db																										4.5V	150 Ma					NPN		110 @ 80mA, 3V	37 GHz	0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IRF6621TR1PBF	-	RFQ	3577	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico SQ		Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ sq	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			30 V	12A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	9.1mohm @ 12a, 10v	2.25V @ 250 µA	17.5 NC @ 4.5 V	± 20V	1460 pf @ 15 V	-	2.2W (TA), 42W (TC)
TT500N14KOFXPSA1	296.1350	RFQ	4477	Infineon Technologies	TT	Banda	Activo	125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo				Conexión de la Serie: Todos los SCRS			descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.30.0080	2				300 mA												1.4 kV	900 A	2.2 V	17000A @ 50Hz	250 Ma	500 A								2 SCRS
IRF7769L2TRPBF	-	RFQ	7954	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico L8		Mosfet (Óxido de metal)				DirectFet ™ Isométrico L8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal			100 V	375A (TC)	10V	3.5mohm @ 74a, 10v	4V @ 250 µA	300 NC @ 10 V	± 20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W (TA), 125W (TC)
BSD816SNL6327	-	RFQ	3499	Infineon Technologies	Optimos ™ 2	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT363-6-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	1			N-canal			20 V	1.4a (TA)	1.8V, 2.5V	160mohm @ 1.4a, 2.5V	950MV @ 3.7 µA	0.6 NC @ 2.5 V	± 8V	180 pf @ 10 V	-	500MW (TA)
Bfp460e6433htma1	-	RFQ	4119	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP460		230MW			PG-SOT343-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000					12.5db ~ 26.5db																										5.8v	70 Ma					NPN		90 @ 20MA, 3V	22 GHz	0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
IPB120N08S404ATMA1	4.1300	RFQ	2492	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB120	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			80 V	120a (TC)	10V	4.1mohm @ 100a, 10v	4V @ 120 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	6450 pf @ 25 V	-	179W (TC)
BSC065N06LS5ATMA1	1.5500	RFQ	17	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC065	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			60 V	64a (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 32a, 10v	2.3V @ 20 µA	13 NC @ 4.5 V	± 20V	1800 pf @ 30 V	-	46W (TC)
IAUC70N08S5N074ATMA1	1.8400	RFQ	9	Infineon Technologies	Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IAUC70	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-33	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			80 V	70A (TC)	6V, 10V	7.4mohm @ 35a, 10v	3.8V @ 36 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	2080 pf @ 40 V	-	83W (TC)
IPN80R1K4P7ATMA1	1.1500	RFQ	76	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	IPN80R1	Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal			800 V	4A (TC)	10V	1.4ohm @ 1.4a, 10V	3.5V @ 70 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	250 pf @ 500 V	-	7W (TC)
IPD60R600C6BTMA1	-	RFQ	7904	Infineon Technologies	CoolMos ™ C6	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			600 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 2.4a, 10V	3.5V @ 200 µA	20.5 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 100 V	-	63W (TC)
IRD3CH42DF6	-	RFQ	6322	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto				IRD3CH42						descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001539684	EAR99	8541.10.0080	1
IRF6706S2TRPBF	-	RFQ	2887	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico S1		Mosfet (Óxido de metal)				DirectFet ™ Isométrico S1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal			25 V	17A (TA), 63A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 17a, 10v	2.35V @ 25 µA	20 NC @ 4.5 V	± 20V	1810 pf @ 13 V	-	1.8W (TA), 26W (TC)
P3000ZL45X168APTHPSA1	10.0000	RFQ	8159	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Do-200ae					Estándar	BG-P16826K-1	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	Soltero																													Zanja	4500 V	3000 A	2.5V @ 15V, 3000A	200 µA	No	620 NF @ 25 V
T640N18TOFXPSA1	153.5625	RFQ	5948	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	DO-200AA, A-PUK	T640N18			Soltero			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	12				300 mA												1.8 kV	1250 A	2.2 V	9400A @ 50Hz	250 Ma	644 A								1 SCR
BSL302SNH6327XTSA1	-	RFQ	2939	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TSOP6-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal			30 V	7.1a (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 7.1a, 10v	2V @ 30 µA	6.6 NC @ 5 V	± 20V	750 pf @ 15 V	-	2W (TA)
TT190N18SOFHPSA1	59.7500	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TT190N18			Conexión de la Serie - SCR/Diodo			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	8				200 MA												1.8 kV	275 A	2.5 V	5200A @ 50Hz	145 Ma	190 A								1 scr, 1 diodo
SPB18P06P	-	RFQ	7720	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB18P	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			Canal P			60 V	18.7a (TA)	10V	130mohm @ 13.2a, 10v	4V @ 1MA	28 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	81.1W (TA)
BSZ042N04NSGATMA1	-	RFQ	4808	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			40 V	40A (TC)	10V	4.2mohm @ 20a, 10v	4V @ 36 µA	46 NC @ 10 V	± 20V	3700 pf @ 20 V	-	2.1W (TA), 69W (TC)
IRFR420TRPBF	-	RFQ	5226	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR420	Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal			500 V	2.4a (TC)	10V	3ohm @ 1.4a, 10v	4V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
IPA083N10N5XKSA1	2.4200	RFQ	420	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA083	Mosfet (Óxido de metal)				PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			100 V	44a (TC)	6V, 10V	8.3mohm @ 44a, 10v	3.8V @ 49 µA	37 NC @ 10 V	± 20V	2730 pf @ 50 V	-	36W (TC)
BSM400GA120DN2FSE32HOSA1	-	RFQ	8866	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto				BSM400						-					Obsoleto		1
Bfp420fh6327xtsa1	0.4400	RFQ	15	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-smd, planos de cables	BFP420		160MW			4-TSFP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000					19.5dB																										5.5V	35mA					NPN		60 @ 5 MMA, 4V	25 GHz	1.1DB @ 1.8GHz
Auirfr5410trl	2.8900	RFQ	16	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Auirfr5410	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P			100 V	13a (TC)	10V	205mohm @ 7.8a, 10V	4V @ 250 µA	58 NC @ 10 V	± 20V	760 pf @ 25 V	-	66W (TC)