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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG4PC30FPBF | - |  | 1765 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 100 W | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 480v, 17a, 23ohm, 15V | - | 600 V | 31 A | 120 A | 1.8v @ 15V, 17a | 230 µJ (Encendido), 1.18MJ (apaguado) | 51 NC | 21ns/200ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6645TRPBF | 1.8200 | | 21 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico SJ | IRF6645 | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ sj | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 100 V | 5.7a (TA), 25a (TC) | 10V | 35mohm @ 5.7a, 10V | 4.9V @ 50 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 890 pf @ 25 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS127 E6327 | - | | 7554 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 21 Ma (TA) | 4.5V, 10V | 500ohm @ 16 Ma, 10v | 2.6V @ 8 µA | 1 NC @ 10 V | ± 20V | 28 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDB23E60ATMA1 | - | | 3073 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IDB23 | Estándar | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 23 A | 120 ns | 50 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 41a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fp75r12kt4b11bosa1 | 220.1300 | | 40 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP75R12 | 385 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 2.15V @ 15V, 75a | 1 MA | Si | 4.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPG16N10S4-61 | 1.0000 | | 9444 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | IPG16N | Mosfet (Óxido de metal) | 29W (TC) | PG-TDSON-8-4 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 16a (TC) | 61mohm @ 16a, 10v | 3.5V @ 9 µA | 7NC @ 10V | 490pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSO094N03S | - | | 6920 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 13a, 10v | 2V @ 30 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 2300 pf @ 15 V | - | 1.56W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF2907ZPBF | 3.3600 | | 238 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF2907 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 75 V | 160A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 7500 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKZA50N65RH5XKSA1 | 11.8300 | | 3092 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Ikza50 | Estándar | 305 W | PG-TO247-4-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 200 A | 2.1V @ 15V, 50A | 200 µJ (ON), 180 µJ (OFF) | 120 NC | 21ns/180ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R280P7ATMA1 | 2.1100 | | 8005 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 280mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 190 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 761 pf @ 400 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SPD08N50C3BTMA1 | - | | 4559 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SPD08N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 560 V | 7.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirf7342q | - | | 6069 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Auirf7342 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001515748 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Dual) | 55V | 3.4a | 105mohm @ 3.4a, 10v | 3V @ 250 µA | 38nc @ 10V | 690pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP039N10N5AKSA1 | 4.0000 | | 3721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP039 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 50A, 10V | 3.8V @ 125 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 50 V | - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP75R12N3T7B11BPSA1 | 206.2200 | | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Econo3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 1.8v @ 15V, 75a | 13 µA | Si | 15.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auxhmf1404zstrl | - | | 5271 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001518892 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DF11MR12W1M1PB11BPSA1 | - | | 3849 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | DF11MR12 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 20MW | Ag-Easy1b-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 30 | 2 Canal N (Dual) | 1200V (1.2kv) | 50A (TJ) | 22.5mohm @ 50A, 15V | 5.55V @ 20 mm | 124nc @ 15V | 3680pf @ 800V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD90N06S4L05ATMA2 | 1.6800 | | 7852 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD90 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 90a, 10v | 2.2V @ 60 µA | 110 NC @ 10 V | ± 16V | 8180 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bar 63-02W E6327 | - | | 7453 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | SC-80 | Barra 63 | SCD-80 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 250 MW | 0.3pf @ 5V, 1MHz | PIN - Single | 50V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR2705TRPBF | - | | 6224 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001558392 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 28a (TC) | 4V, 10V | 40mohm @ 17a, 10v | 2V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 880 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP25R12W2T7BPSA1 | 61.1600 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | EasyPim ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FP25R12 | 20 MW | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Easy2b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 25 A | - | 5.6 µA | Si | 4.77 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ihd06n60ra | - | | 3414 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | 88 W | PG-TO252-3-11 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 6a, 14.7ohm, 15V | Zanja | 600 V | 12 A | 18 A | 1.9V @ 15V, 6a | 150 µJ | 42 NC | 25ns/125ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirfr024ntrl | 1.8700 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirfr024 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 17a (TC) | 75mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | 370 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ddb6u180n16rr | - | | 2421 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo | 515 W | Estándar | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Picador de freno dual | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 140 A | 2.2V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 6.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH8337TR2PBF | - | | 4060 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 30 V | 12A (TA), 35A (TC) | 12.8mohm @ 16.2a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 10 NC @ 10 V | 790 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS300R12OE4BOSA1 | 629.4800 | | 1325 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS300R12 | 1650 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 460 A | 2.1V @ 15V, 300A | 3 MA | Si | 18.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ddb6u84n16rrbosa1 | - | | 3125 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Ddb6u84 | 350 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Piquero | Escrutinio | 1200 V | 50 A | 3.2V @ 20V, 50A | 1 MA | No | 3.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817-16W | 0.0200 | | 207 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | BC817 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI045N10N3GXKSA1 | 4.0900 | | 1062 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI045 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 6V, 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 3.5V @ 150 µA | 117 NC @ 10 V | ± 20V | 8410 pf @ 50 V | - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDC50S120C5X7SA1 | 55.0800 | | 1333 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | - | IDC50S120 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPTC020N13NM6ATMA1 | 4.5336 | | 4576 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IPTC020N13NM6ATMA1TR | 1.800 |
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