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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Max | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG4BC15UD | - |  | 7709 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRG4BC15 | Estándar | 49 W | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRG4BC15UD | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 7.8a, 75ohm, 15V | 28 ns | - | 600 V | 14 A | 42 A | 2.4V @ 15V, 7.8a | 240 µJ (Encendido), 260 µJ (apaguado) | 23 NC | 17ns/160ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRG7PH46UPBF | - | | 2174 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Irg7ph | Estándar | 469 W | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 40A, 10ohm, 15V | Zanja | 1200 V | 130 A | 160 A | 2V @ 15V, 40A | 2.56mj (Encendido), 1.78mj (apaguado) | 220 NC | 45ns/410ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TD370N18KOFHPSA1 | 287.0900 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buz30AHXKSA1 | - | | 8987 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 21a (TC) | 10V | 130mohm @ 13.5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR3911TRPBF | - | | 6687 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001560664 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 115mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DD600N14KHPSA2 | - | | 3838 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | DD600N14 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1400 V | 600A | 1.32 v @ 1800 a | 40 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC 847BF E6327 | - | | 2279 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | BC 847 | 250 MW | PG-TSFP-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirf1324strl | - | | 4401 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirf1324 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001518546 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 24 V | 195a (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10v | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 7590 pf @ 24 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH4210DTRPBF | 2.5800 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IRFH4210 | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 V | 44a (TA) | 4.5V, 10V | 1.1mohm @ 50A, 10V | 2.1V @ 100 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 4812 pf @ 13 V | - | 3.5W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Spp24n60c3xksa1 | 6.6600 | | 175 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp24n60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 24.3a (TC) | 10V | 160mohm @ 15.4a, 10V | 3.9V @ 1.2MA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 240W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7413PBF | - | | 3364 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 7.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 79 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPG20N04S4L07AATMA1 | 1.7800 | | 1573 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8Powervdfn | IPG20N | Mosfet (Óxido de metal) | 65W | PG-TDSON-8-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 20A | 7.2mohm @ 17a, 10v | 2.2V @ 30 µA | 50nc @ 10V | 3980pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DZ600N16KB01HPSA1 | - | | 5310 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | DZ600N16 | Estándar | BG-PB501-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000091795 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 40 mA @ 1800 V | 150 ° C (Máximo) | 735A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFC4310EF | - | | 9338 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA092201FV4XWSA1 | - | | 7866 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas | PTFA092201 | 960MHz | Ldmos | H-37260-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 10 µA | 1.85 A | 220W | 18.5dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R950CEBTMA1 | - | | 5820 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 4.3a (TC) | 13V | 950mohm @ 1.2a, 13V | 3.5V @ 100 µA | 10.5 NC @ 10 V | ± 20V | 231 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPG20N06S2L35AATMA1 | 1.2800 | | 5813 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8Powervdfn | IPG20N | Mosfet (Óxido de metal) | 65W | PG-TDSON-8-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 55V | 20A (TC) | 35mohm @ 15a, 10v | 2V @ 27 µA | 23nc @ 10V | 790pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDB45E60ATMA1 | - | | 5128 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IDB45 | Estándar | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2 V @ 45 A | 140 ns | 50 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 71a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC037N025S G | - | | 8349 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 21a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 50A, 10V | 2V @ 50 µA | 29 NC @ 5 V | ± 20V | 3660 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DD200S33K2CC1NOSA1 | - | | 8701 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | A-IHV73-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 3300 V | 200a (DC) | 3.5 V @ 200 A | 275 A @ 1800 V | -40 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL211SPT | - | | 5779 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSOP6-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.7a (TA) | 2.5V, 4.5V | 67mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.2V @ 25 µA | 12.4 NC @ 4.5 V | ± 12V | 654 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC10UPBF | - | | 6174 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRG4BC10 | Estándar | 38 W | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 5A, 100OHM, 15V | 28 ns | - | 600 V | 8.5 A | 34 A | 2.6V @ 15V, 5A | 140 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) | 15 NC | 40ns/87ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR2905TRLPBF | 1.5600 | | 38 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR2905 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 25A, 10V | 2V @ 250 µA | 48 NC @ 5 V | ± 16V | 1700 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857SH6327XTSA1 | 0.3900 | | 70 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV 199 B6327 | - | | 6048 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV 199 | Estándar | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 30,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 80 V | 200 MMA | 1.25 V @ 150 Ma | 1.5 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DD260N14KHPSA1 | - | | 7584 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1400 V | 260a | 1.32 V @ 800 A | 30 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Spp16n50c3hksa1 | - | | 4644 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp16n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 560 V | 16a (TC) | 10V | 280mohm @ 10a, 10v | 3.9V @ 675 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFC262808SVV1R250XTMA1 | - | | 5974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | H-37275G-6/2 | 2.62GHz ~ 2.69GHz | Ldmos | H-37275G-6/2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001028998 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Dual | 10 µA | 56W | 19.5dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT17-05E6327HTSA1 | 0.0700 | | 12 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PG-SOT23-3-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 130 Ma | 150 MW | 0.75pf @ 0V, 1MHz | Schottky - 1 par Cátodo Común | 4v | 15ohm @ 5mA, 10kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB120N10S405ATMA1 | 3.9600 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 10V | 5mohm @ 100a, 10v | 3.5V @ 120 µA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 6540 pf @ 25 V | - | 190W (TC) |
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