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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF200P223 | 6.9300 | ![]() | 277 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRF200 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 100A (TC) | 10V | 11.5mohm @ 60a, 10v | 4V @ 270 µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 5094 pf @ 50 V | - | 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA65R065C7XKSA1 | 10.2700 | ![]() | 442 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA65R065 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 65mohm @ 17.1a, 10v | 4V @ 850 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3020 pf @ 400 V | - | 34W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80P03P4L07AKSA1 | - | ![]() | 6389 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 80a, 10v | 2V @ 130 µA | 80 NC @ 10 V | +5V, -16V | 5700 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3709ZSTRRPBF | 1.6600 | ![]() | 4330 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF3709 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 87a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 21a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2130 pf @ 15 V | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB320N20N3GATMA1 | 3.6100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB320 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 34a (TC) | 10V | 32mohm @ 34a, 10V | 4V @ 90 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 100 V | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ240N12NS3GATMA1 | 1.6500 | ![]() | 1088 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSZ240 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 120 V | 37a (TC) | 10V | 24mohm @ 20a, 10v | 4V @ 35 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 60 V | - | 66W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7526D1TR | - | ![]() | 1153 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Micro8 ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 2a (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.2a, 10v | 1V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ICA32V20X1SA1 | - | ![]() | 6827 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001113920 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLU3636PBF | 2.3200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRLU3636 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001567320 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 50A, 10V | 2.5V @ 100 µA | 49 NC @ 4.5 V | ± 16V | 3779 pf @ 50 V | - | 143W (TC) | |||||||||||||||||||||||
IPI60R099CPAAKSA1 | - | ![]() | 5310 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI60R099 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 31a (TC) | 10V | 105mohm @ 18a, 10v | 3.5V @ 1.2MA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 100 V | - | 255W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7342PBF | - | ![]() | 6799 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF734 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001571984 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Dual) | 55V | 3.4a | 105mohm @ 3.4a, 10v | 1V @ 250 µA | 38nc @ 10V | 690pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO615CGHuma1 | - | ![]() | 8940 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BSO615 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 60V | 3.1a, 2a | 110mohm @ 3.1a, 10v | 2V @ 20 µA | 22.5nc @ 10V | 380pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT370N18KOFHPSA1 | 294.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N06S2L06ATMA1 | - | ![]() | 1493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 69a, 10v | 2V @ 180 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP17N25S3100AKSA1 | 3.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP17N25 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 17a, 10v | 4V @ 54 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7805PBF | - | ![]() | 5450 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V | 11mohm @ 7a, 4.5V | 3V @ 250 µA | 31 NC @ 5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR13N20DTR | - | ![]() | 8805 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 13a (TC) | 10V | 235mohm @ 8a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 830 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL60B216 | - | ![]() | 5439 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL60B216 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001568416 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 258 NC @ 4.5 V | ± 20V | 15570 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Bsc0911ndatma1 | 2.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC0911 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | PG-TISON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 25V | 18a, 30a | 3.2mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 12NC @ 4.5V | 1600pf @ 12V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirfs4127trl | 4.4729 | ![]() | 2865 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirfs4127 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001518830 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 72a (TC) | 10V | 22mohm @ 44a, 10V | 5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 5380 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7467TRPBF | - | ![]() | 2989 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 2.8V, 10V | 12mohm @ 11a, 10v | 2V @ 250 µA | 32 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2530 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLU3705ZPBF | - | ![]() | 5226 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | IPAK (TO-251AA) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 42a, 10v | 3V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 16V | 2900 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS400R07A1E3S7BOMA1 | 360.8100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hybridpack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS400R07 | 1250 W | Rectificador de Puente Trifásico | Ag-Hybrid1-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 16 | Inversor de puente entero | Parada de Campo de Trinchera | 705 V | 500 A | 1.7V @ 15V, 400A | 100 µA | Si | 28 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP 420F E6327 | - | ![]() | 6047 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | BFP 420 | 160MW | 4-TSFP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 19.5dB | 5V | 35mA | NPN | 60 @ 5 MMA, 4V | 25 GHz | 1.1DB @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bcx5316h643333xtma1 | 0.1920 | ![]() | 1574 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BCX5316 | 2 W | PG-SOT89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 2V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB10N10L | - | ![]() | 9710 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB10N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 10.3a (TC) | 10V | 154mohm @ 8.1a, 10v | 2V @ 21 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 444 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO094N03S | - | ![]() | 6920 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 13a, 10v | 2V @ 30 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 2300 pf @ 15 V | - | 1.56W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Spp07n65c3hksa1 | - | ![]() | 5296 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp07n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirfr5410trl | 2.8900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirfr5410 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 13a (TC) | 10V | 205mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 760 pf @ 25 V | - | 66W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
IKZA50N65RH5XKSA1 | 11.8300 | ![]() | 3092 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Ikza50 | Estándar | 305 W | PG-TO247-4-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 200 A | 2.1V @ 15V, 50A | 200 µJ (ON), 180 µJ (OFF) | 120 NC | 21ns/180ns |
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