SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IRF200P223 Infineon Technologies IRF200P223 6.9300
RFQ
 ECAD 277 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRF200 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 200 V 100A (TC) 10V 11.5mohm @ 60a, 10v 4V @ 270 µA 102 NC @ 10 V ± 20V 5094 pf @ 50 V - 313W (TC)
IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies IPA65R065C7XKSA1 10.2700
RFQ
 ECAD 442 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10v 4V @ 850 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 3020 pf @ 400 V - 34W (TC)
IPP80P03P4L07AKSA1 Infineon Technologies IPP80P03P4L07AKSA1 -
RFQ
 ECAD 6389 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 80a, 10v 2V @ 130 µA 80 NC @ 10 V +5V, -16V 5700 pf @ 25 V - 88W (TC)
IRF3709ZSTRRPBF Infineon Technologies IRF3709ZSTRRPBF 1.6600
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF3709 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 87a (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2130 pf @ 15 V - 79W (TC)
IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1 3.6100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB320 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 34a (TC) 10V 32mohm @ 34a, 10V 4V @ 90 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
BSZ240N12NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ240N12NS3GATMA1 1.6500
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ240 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 120 V 37a (TC) 10V 24mohm @ 20a, 10v 4V @ 35 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 60 V - 66W (TC)
IRF7526D1TR Infineon Technologies IRF7526D1TR -
RFQ
 ECAD 1153 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 2a (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.2a, 10v 1V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 1.25W (TA)
ICA32V20X1SA1 Infineon Technologies ICA32V20X1SA1 -
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001113920 Obsoleto 0000.00.0000 1
IRLU3636PBF Infineon Technologies IRLU3636PBF 2.3200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRLU3636 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001567320 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 100 µA 49 NC @ 4.5 V ± 16V 3779 pf @ 50 V - 143W (TC)
IPI60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies IPI60R099CPAAKSA1 -
RFQ
 ECAD 5310 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI60R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 31a (TC) 10V 105mohm @ 18a, 10v 3.5V @ 1.2MA 80 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 100 V - 255W (TC)
IRF7342PBF Infineon Technologies IRF7342PBF -
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF734 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001571984 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10v 1V @ 250 µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies BSO615CGHuma1 -
RFQ
 ECAD 8940 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO615 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 3.1a, 2a 110mohm @ 3.1a, 10v 2V @ 20 µA 22.5nc @ 10V 380pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
TT370N18KOFHPSA1 Infineon Technologies TT370N18KOFHPSA1 294.9300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3
IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA1 -
RFQ
 ECAD 1493 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 69a, 10v 2V @ 180 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 25 V - 250W (TC)
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon Technologies IPP17N25S3100AKSA1 3.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP17N25 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 17a (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10v 4V @ 54 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 25 V - 107W (TC)
IRF7805PBF Infineon Technologies IRF7805PBF -
RFQ
 ECAD 5450 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 13a (TA) 4.5V 11mohm @ 7a, 4.5V 3V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 12V - 2.5W (TA)
IRFR13N20DTR Infineon Technologies IRFR13N20DTR -
RFQ
 ECAD 8805 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 13a (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10v 5.5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 830 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRL60B216 Infineon Technologies IRL60B216 -
RFQ
 ECAD 5439 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL60B216 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001568416 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 195a (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10v 2.4V @ 250 µA 258 NC @ 4.5 V ± 20V 15570 pf @ 25 V - 375W (TC)
BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies Bsc0911ndatma1 2.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0911 Mosfet (Óxido de metal) 1W PG-TISON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 18a, 30a 3.2mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 12NC @ 4.5V 1600pf @ 12V Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
AUIRFS4127TRL Infineon Technologies Auirfs4127trl 4.4729
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirfs4127 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001518830 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 72a (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 5380 pf @ 50 V - 375W (TC)
IRF7467TRPBF Infineon Technologies IRF7467TRPBF -
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 11a (TA) 2.8V, 10V 12mohm @ 11a, 10v 2V @ 250 µA 32 NC @ 4.5 V ± 12V 2530 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRLU3705ZPBF Infineon Technologies IRLU3705ZPBF -
RFQ
 ECAD 5226 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 42a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 42a, 10v 3V @ 250 µA 66 NC @ 5 V ± 16V 2900 pf @ 25 V - 130W (TC)
FS400R07A1E3S7BOMA1 Infineon Technologies FS400R07A1E3S7BOMA1 360.8100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Hybridpack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS400R07 1250 W Rectificador de Puente Trifásico Ag-Hybrid1-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 16 Inversor de puente entero Parada de Campo de Trinchera 705 V 500 A 1.7V @ 15V, 400A 100 µA Si 28 NF @ 25 V
BFP 420F E6327 Infineon Technologies BFP 420F E6327 -
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables BFP 420 160MW 4-TSFP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 19.5dB 5V 35mA NPN 60 @ 5 MMA, 4V 25 GHz 1.1DB @ 1.8GHz
BCX5316H6433XTMA1 Infineon Technologies Bcx5316h643333xtma1 0.1920
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX5316 2 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 80 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
SPB10N10L Infineon Technologies SPB10N10L -
RFQ
 ECAD 9710 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB10N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 10.3a (TC) 10V 154mohm @ 8.1a, 10v 2V @ 21 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 444 pf @ 25 V - 50W (TC)
BSO094N03S Infineon Technologies BSO094N03S -
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10v 2V @ 30 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 2300 pf @ 15 V - 1.56W (TA)
SPP07N65C3HKSA1 Infineon Technologies Spp07n65c3hksa1 -
RFQ
 ECAD 5296 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
AUIRFR5410TRL Infineon Technologies Auirfr5410trl 2.8900
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr5410 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 13a (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 66W (TC)
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon Technologies IKZA50N65RH5XKSA1 11.8300
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Ikza50 Estándar 305 W PG-TO247-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 200 µJ (ON), 180 µJ (OFF) 120 NC 21ns/180ns
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AD9208BBPZ-3000

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