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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - PrueBa
PTFB193408SVV1XWSA1	-	RFQ	4327	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	H-34275G-6/2		1.99 GHz	Ldmos		H-34275G-6/2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001028956	Obsoleto	0000.00.0000	1	Fuente Común Dual		-	2.65 A	80W	19dB											-	30 V
IPD096N08N3GATMA1	1.4000	RFQ	2	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD096		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					80 V	73a (TC)	6V, 10V	9.6mohm @ 46a, 10v	3.5V @ 46 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2410 pf @ 40 V	-	100W (TC)
PTFA212001F1V4XWSA1	-	RFQ	4759	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas		2.14 GHz	Ldmos		H-37260-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000432154	Obsoleto	0000.00.0000	1			-	1.6 A	50W	15.8db											-	30 V
BSO150N03	-	RFQ	2285	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO150		Mosfet (Óxido de metal)	1.4w	PG-dso-8	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)						30V	7.6a		15mohm @ 9.1a, 10v	2V @ 25 µA	15NC @ 5V		1890pf @ 15V	-
IPB50R199CPATMA1	2.0689	RFQ	6316	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB50R199		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					550 V	17a (TC)	10V	199mohm @ 9.9a, 10V	3.5V @ 660 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 100 V	-	139W (TC)
IPS060N03LGBKMA1	-	RFQ	3392	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO251-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000252576	EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal					30 V	50A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	23 NC @ 10 V		2400 pf @ 15 V	-	56W (TC)
IRL530NPBF	-	RFQ	5313	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRL530		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					100 V	17a (TC)	4V, 10V	100mohm @ 9a, 10v	2V @ 250 µA	34 NC @ 5 V	± 16V	800 pf @ 25 V	-	79W (TC)
BSB165N15NZ3GXUMA1	3.7100	RFQ	4989	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson	BSB165		Mosfet (Óxido de metal)		MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					150 V	9A (TA), 45A (TC)	8V, 10V	16.5mohm @ 30a, 10v	4V @ 110 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 75 V	-	2.8W (TA), 78W (TC)
IPD50R399CPBTMA1	-	RFQ	5281	Infineon Technologies	CoolMos ™ CP	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD50R		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3-313	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					500 V	9A (TC)	10V	399mohm @ 4.9a, 10v	3.5V @ 330 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	890 pf @ 100 V	-	83W (TC)
Spa11n60c3xksa1	3.7000	RFQ	7149	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Spa11n60		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					600 V	11a (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10v	3.9V @ 500 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	33W (TC)
IRLSL3034PBF	-	RFQ	9246	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001558586	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					40 V	195a (TC)	4.5V, 10V	1.7mohm @ 195a, 10v	2.5V @ 250 µA	162 NC @ 4.5 V	± 20V	10315 pf @ 25 V	-	375W (TC)
IRF7854TRPBF	1.6800	RFQ	9	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7854		Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal					80 V	10a (TA)	10V	13.4mohm @ 10a, 10v	4.9V @ 100 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	1620 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
Irfp140n	-	RFQ	2981	Infineon Technologies	Hexfet®	Bolsa	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3			Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfp140n	EAR99	8541.29.0095	25		N-canal					100 V	33A (TC)	10V	52mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	94 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Auirfr120z	-	RFQ	9248	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					100 V	8.7a (TC)	10V	190mohm @ 5.2a, 10v	4V @ 25 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	310 pf @ 25 V	-	35W (TC)
IPB60R280P6ATMA1	2.8900	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R280		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					600 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 5.2a, 10V	4.5V @ 430 µA	25.5 NC @ 10 V	± 20V	1190 pf @ 100 V	-	104W (TC)
IRLZ44ZLPBF	-	RFQ	7212	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					55 V	51a (TC)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 31a, 10v	3V @ 250 µA	36 NC @ 5 V	± 16V	1620 pf @ 25 V	-	80W (TC)
IRFH5025TR2PBF	-	RFQ	3304	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			Montaje en superficie	8Powervdfn			Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal					250 V	3.8a (TA)		100mohm @ 5.7a, 10V	5V @ 150 µA	56 NC @ 10 V		2150 pf @ 50 V	-
BSZ440N10NS3GATMA1	0.8900	RFQ	6	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ440		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					100 V	5.3a (TA), 18a (TC)	6V, 10V	44mohm @ 12a, 10v	2.7V @ 12 µA	9.1 NC @ 10 V	± 20V	640 pf @ 50 V	-	29W (TC)
IRFB7434GPBF	-	RFQ	8217	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Obsoleto		-	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					40 V	195a (TC)	6V, 10V	1.6mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 250 µA	324 NC @ 10 V	± 20V	10820 pf @ 25 V	-	-
BSS806NL6327HTSA1	-	RFQ	1972	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal					20 V	2.3a (TA)	1.8V, 2.5V	57mohm @ 2.3a, 2.5V	750MV @ 11 µA	1.7 NC @ 2.5 V	± 8V	529 pf @ 10 V	-	500MW (TA)
BSC010N04LSTATMA1	2.8100	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC010		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TDSON-8 FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					40 V	39A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	1mohm @ 50a, 10v	2V @ 250 µA	133 NC @ 10 V	± 20V	9520 pf @ 20 V	-	3W (TA), 167W (TC)
Bsc0908nsatma1	-	RFQ	5808	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)		PG-TDSON-8-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					34 V	14a (TA), 49A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	1220 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 30W (TC)
IRFS3207ZPBF	-	RFQ	9337	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					75 V	120a (TC)	10V	4.1mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	6920 pf @ 50 V	-	300W (TC)
Bsc0904nsiatma1	0.9100	RFQ	30	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC0904		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					30 V	20A (TA), 78A (TC)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 37W (TC)
BG3430RH6327XTSA1	-	RFQ	9448	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	8 V		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		800MHz	Mosfet		PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		25 Ma	14 MA	-	25db											1.3db	5 V
SPI80N06S-08	-	RFQ	1707	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Spi80n		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal					55 V	80a (TC)	10V	8mohm @ 80a, 10v	4V @ 240 µA	187 NC @ 10 V	± 20V	3660 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IRF1010ZSTRRPBF	-	RFQ	7626	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001563024	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					55 V	75A (TC)	10V	7.5mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	2840 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IPP65R074C6XKSA1	-	RFQ	1947	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP65R		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000898650	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal					650 V	57.7a (TC)	10V	74mohm @ 13.9a, 10v	3.5V @ 1.4MA	17 NC @ 10 V	± 20V	3020 pf @ 100 V	-	480.8W (TC)
IPI65R660CFDXKSA1	-	RFQ	3823	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI65R		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal					650 V	6a (TC)	10V	660mohm @ 2.1a, 10v	4.5V @ 200 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	615 pf @ 100 V	-	62.5W (TC)
BSC028N06NSTATMA1	2.8500	RFQ	7	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC028		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TDSON-8-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					60 V	24a (TA), 100a (TC)	6V, 10V	2.8mohm @ 50A, 10V	3.3V @ 50 µA	49 NC @ 10 V	± 20V	3375 pf @ 30 V	-	3W (TA), 100W (TC)