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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPI70N04S406AKSA1	2.0500	RFQ	500	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI70N04		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal					40 V	70A (TC)	10V	6.5mohm @ 70a, 10v	4V @ 26 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	2550 pf @ 25 V	-	58W (TC)
BSC016N03MSGATMA1	1.6100	RFQ	15	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC016		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal					30 V	28a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	1.6mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	173 NC @ 10 V	± 20V	13000 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 125W (TC)
Irf7240tr	-	RFQ	7223	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P					40 V	10.5a (TA)	4.5V, 10V	15mohm @ 10.5a, 10v	3V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	9250 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
BSL308PEL6327HTSA1	-	RFQ	4918	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	BSL308		Mosfet (Óxido de metal)	500MW	PG-TSOP6-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)						30V	2a		80mohm @ 2a, 10v	1V @ 11 µA	5NC @ 10V		500pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IRFR13N20DPBF	-	RFQ	8809	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal					200 V	13a (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10v	5.5V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	830 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IRFR2407TR	-	RFQ	9697	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR2407		Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal					75 V	42a (TC)	10V	26mohm @ 25A, 10V	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Irfl1006tr	-	RFQ	4911	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					60 V	1.6a (TA)	10V	220mohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 20V	160 pf @ 25 V	-	1W (TA)
Auirfsl4115	-	RFQ	2853	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					150 V	99a (TC)	10V	12.1mohm @ 62a, 10v	5V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	5270 pf @ 50 V	-	375W (TC)
Auirfr2905ztr	-	RFQ	1465	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001522230	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal					55 V	42a (TC)		14.5mohm @ 36a, 10v	4V @ 250 µA	44 NC @ 10 V		1380 pf @ 25 V	-
IRFHS9301TR2PBF	-	RFQ	3085	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			Montaje en superficie	6-Powervdfn			Mosfet (Óxido de metal)		6-PQFN (2x2)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		Canal P					30 V	6a (TA), 13a (TC)		37mohm @ 7.8a, 10V	2.4V @ 25 µA	13 NC @ 10 V		580 pf @ 25 V	-
IPB200N25N3GATMA1	8.2000	RFQ	3565	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB200		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					250 V	64a (TC)	10V	20mohm @ 64a, 10V	4V @ 270 µA	86 NC @ 10 V	± 20V	7100 pf @ 100 V	-	300W (TC)
IRLB8743PBF	1.5400	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRLB8743		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001572884	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					30 V	78a (TC)	4.5V, 10V	3.2mohm @ 40a, 10V	2.35V @ 100 µA	54 NC @ 4.5 V	± 20V	5110 pf @ 15 V	-	140W (TC)
IRLU7843PBF	0.8618	RFQ	8436	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRLU7843		Mosfet (Óxido de metal)		IPAK (TO-251AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					30 V	161a (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 15a, 10v	2.3V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 20V	4380 pf @ 15 V	-	140W (TC)
IRF7604TRPBF	-	RFQ	7336	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		Micro8 ™	descascar		2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P					20 V	3.6a (TA)	2.7V, 4.5V	90mohm @ 2.4a, 4.5V	700mV @ 250 µA (min)	20 NC @ 4.5 V	± 12V	590 pf @ 15 V	-	1.8w (TA)
BSO301SPHXUMA1	2.1200	RFQ	3	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO301		Mosfet (Óxido de metal)		PG-dso-8	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P					30 V	12.6a (TA)	4.5V, 10V	8mohm @ 14.9a, 10v	2V @ 250 µA	136 NC @ 10 V	± 20V	5890 pf @ 25 V	-	1.79W (TA)
Bsc150n03ldgatma1	1.1100	RFQ	8042	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	BSC150		Mosfet (Óxido de metal)	26W	PG-TDSON-8-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)						30V	8A		15mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250 µA	13.2NC @ 10V		1100pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
Auirfs3107-7p	-	RFQ	7617	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)			Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (7-LEAD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					75 V	240a (TC)	10V	2.6mohm @ 160a, 10v	4V @ 250 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	9200 pf @ 50 V	-	370W (TC)
IPB60R299CPATMA1	-	RFQ	4761	Infineon Technologies	CoolMos ™ CP	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					600 V	11a (TC)	10V	299mohm @ 6.6a, 10v	3.5V @ 440 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 100 V	-	96W (TC)
IPD90N10S4L06ATMA1	2.9400	RFQ	10	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO252-3-313	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					100 V	90A (TC)	4.5V, 10V	6.6mohm @ 90a, 10v	2.1V @ 90 µA	98 NC @ 10 V	± 16V	6250 pf @ 25 V	-	136W (TC)
BCR116SE6327	-	RFQ	5291	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR116			250MW	PG-SOT363-6-1	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																		50V	100mA		100NA (ICBO)	2 NPN - Precializado (dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	150MHz	4.7 kohms	47 kohms
SPB35N10	-	RFQ	8807	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB35N		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					100 V	35A (TC)	10V	44mohm @ 26.4a, 10V	4V @ 83 µA	65 NC @ 10 V	± 20V	1570 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IRF6638TRPBF	-	RFQ	4606	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX			Mosfet (Óxido de metal)		Directfet ™ mx	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal					30 V	25A (TA), 140A (TC)	4.5V, 10V	2.9mohm @ 25A, 10V	2.35V @ 100 µA	45 NC @ 4.5 V	± 20V	3770 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IRFB4310ZGPBF	-	RFQ	4474	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001575544	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					100 V	120a (TC)	10V	6mohm @ 75a, 10V	4V @ 150 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	6860 pf @ 50 V	-	250W (TC)
IRF6201PBF	-	RFQ	4266	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal					20 V	27a (TA)	2.5V, 4.5V	2.45mohm @ 27A, 4.5V	1.1V @ 100 µA	195 NC @ 4.5 V	± 12V	8555 pf @ 16 V	-	2.5W (TA)
IRFS7530PBF	-	RFQ	9253	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					60 V	195a (TC)	6V, 10V	2mohm @ 100a, 10v	3.7V @ 250 µA	411 NC @ 10 V	± 20V	13703 pf @ 25 V	-	375W (TC)
IRF7465TRPBF	1.0800	RFQ	7	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7465		Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal					150 V	1.9a (TA)	10V	280mohm @ 1.14a, 10V	5.5V @ 250 µA	15 NC @ 10 V	± 30V	330 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IPL65R460CFDAUMA1	-	RFQ	3641	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-Powertsfn	IPL65R		Mosfet (Óxido de metal)		PG-VSON-4	descascar		2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	SP000949260	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					650 V	8.3a (TC)	10V	460mohm @ 3.4a, 10V	4.5V @ 300 µA	31.5 NC @ 10 V	± 20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W (TC)
PTFA081501F V1	-	RFQ	9511	Infineon Technologies	Goldmos®	Banda	Descontinuado en sic	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Fin Lidera		900MHz	Ldmos		H-31248-2	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			10 µA	950 Ma	150W	18dB											-			28 V
IPA60R060P7XKSA1	6.8000	RFQ	8048	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA60R060		Mosfet (Óxido de metal)		PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					600 V	48a (TC)	10V	60mohm @ 15.9a, 10v	4V @ 800 µA	67 NC @ 10 V	± 20V	2895 pf @ 400 V	-	29W (TC)
IRF7233TRPBF	-	RFQ	8296	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P					12 V	9.5a (TA)	2.5V, 4.5V	20mohm @ 9.5a, 4.5V	600mV @ 250 µA (min)	74 NC @ 5 V	± 12V	6000 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)