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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
BSL215CH6327XTSA1	0.6600	RFQ	5826	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	BSL215			Mosfet (Óxido de metal)	500MW		PG-TSOP6-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	N y p-canal complementario								20V	1.5a		140mohm @ 1.5a, 4.5V	1.2V @ 3.7 µA	0.73nc @ 4.5V		143pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	4171	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto					IPC60R							-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000857778	Obsoleto	0000.00.0000	1										-
IRG4BC15UD-STRL	-	RFQ	3556	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Estándar			49 W		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Irg4bc15udstrl	EAR99	8541.29.0095	800					480V, 7.8a, 75ohm, 15V																					28 ns		-	600 V	14 A	42 A	2.4V @ 15V, 7.8a	240 µJ (Encendido), 260 µJ (apaguado)	23 NC	17ns/160ns
BCW67BE6327	0.0500	RFQ	9	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3					330 MW		PG-SOT23-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	5,948																													32 V	800 Ma							20NA (ICBO)	700mv @ 50 mm, 500 mA	160 @ 100mA, 1V	200MHz
SPP77N06S2-12	-	RFQ	6787	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp77n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							55 V	80a (TC)	10V	12mohm @ 38a, 10V	4V @ 93 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	2350 pf @ 25 V	-	158W (TC)
IRFR4105Z	-	RFQ	6405	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal							55 V	30A (TC)	10V	24.5mohm @ 18a, 10v	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	740 pf @ 25 V	-	48W (TC)
IRF540Z	-	RFQ	8503	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF540Z	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							100 V	36A (TC)	10V	26.5mohm @ 22a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1770 pf @ 25 V	-	92W (TC)
BSL211SPL6327HTSA1	-	RFQ	3366	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6				Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSOP6-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P							20 V	4.7a (TA)	2.5V, 4.5V	67mohm @ 4.7a, 4.5V	1.2V @ 25 µA	12.4 NC @ 4.5 V	± 12V	654 pf @ 15 V	-	2W (TA)
IPW65R037C6FKSA1	19.2400	RFQ	51	Infineon Technologies	CoolMos ™ C6	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW65R037			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal							650 V	83.2a (TC)	10V	37mohm @ 33.1a, 10V	3.5V @ 3.3MA	330 NC @ 10 V	± 20V	7240 pf @ 100 V	-	500W (TC)
SPI80N03S2L-05	-	RFQ	2060	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Spi80n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	5.2mohm @ 55a, 10v	2V @ 110 µA	89.7 NC @ 10 V	± 20V	3320 pf @ 25 V	-	167W (TC)
Irfz48nl	-	RFQ	4693	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfz48nl	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							55 V	64a (TC)	10V	14mohm @ 32a, 10v	4V @ 250 µA	81 NC @ 10 V	± 20V	1970 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 130W (TC)
IRL8113LPBF	-	RFQ	9427	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							30 V	105A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 21a, 10v	2.25V @ 250 µA	35 NC @ 4.5 V	± 20V	2840 pf @ 15 V	-	110W (TC)
IRFR3704ZTRPBF	-	RFQ	9353	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal							20 V	60A (TC)	4.5V, 10V	8.4mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	14 NC @ 4.5 V	± 20V	1190 pf @ 10 V	-	48W (TC)
IPB030N08N3GATMA1	4.1700	RFQ	752	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	IPB030			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal							80 V	160A (TC)	6V, 10V	3mohm @ 100a, 10v	3.5V @ 155 µA	117 NC @ 10 V	± 20V	8110 pf @ 40 V	-	214W (TC)
IRF3305	-	RFQ	9646	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF3305	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							55 V	75A (TC)	10V	8mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	3650 pf @ 25 V	-	330W (TC)
T730N42TS03XPSA1	-	RFQ	4484	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		120 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Un 200ac	T730N					Soltero		-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1				300 mA															4.2 kV	1150 A	2.5 V	17600A @ 50Hz	300 mA	730 A			1 SCR
PTFA211801F V4	-	RFQ	8246	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA211801		2.14 GHz	Ldmos			H-37260-2	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40			10 µA			1.2 A	35W	15.5dB																	-											28 V
Irfl1006pbf	-	RFQ	9766	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)			SOT-223	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	80		N-canal							60 V	1.6a (TA)	10V	220mohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 20V	160 pf @ 25 V	-	1W (TA)
SI4420DYPBF	-	RFQ	6014	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal							30 V	12.5a (TA)	4.5V, 10V	9mohm @ 12.5a, 10v	1V @ 250 µA	78 NC @ 10 V	± 20V	2240 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IRF3710StrlPBF	2.3200	RFQ	20	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF3710			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal							100 V	57a (TC)	10V	23mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3130 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRFR4105ZTRL	-	RFQ	9090	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal							55 V	30A (TC)	10V	24.5mohm @ 18a, 10v	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	740 pf @ 25 V	-	48W (TC)
IRL530nstrl	-	RFQ	6490	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal							100 V	17a (TC)	4V, 10V	100mohm @ 9a, 10v	2V @ 250 µA	34 NC @ 5 V	± 20V	800 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 79W (TC)
IRF8736TRPBF	0.7800	RFQ	2845	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF8736			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal							30 V	18a (TA)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 18a, 10v	2.35V @ 50 µA	26 NC @ 4.5 V	± 20V	2315 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IRFB7540PBF	1.6900	RFQ	459	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB7540			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							60 V	110A (TC)	6V, 10V	5.1mohm @ 65a, 10V	3.7V @ 100 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	4555 pf @ 25 V	-	160W (TC)
IRF7807VD1TR	-	RFQ	4139	Infineon Technologies	Fetky ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal							30 V	8.3a (TA)	4.5V	25mohm @ 7a, 4.5V	3V @ 250 µA	14 NC @ 4.5 V	± 20V		Diodo Schottky (Aislado)	2.5W (TA)
IPP12CNE8N G	-	RFQ	9407	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP12C			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							85 V	67a (TC)	10V	12.9mohm @ 67a, 10v	4V @ 83 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	4340 pf @ 40 V	-	125W (TC)
Irf9520nstrl	-	RFQ	4603	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P							100 V	6.8a (TC)	10V	480mohm @ 4a, 10v	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 48W (TC)
IRL5602S	-	RFQ	7966	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal P							20 V	24a (TC)	2.5V, 4.5V	42mohm @ 12a, 4.5V	1V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 8V	1460 pf @ 15 V	-	75W (TC)
IRFR48ZTRPBF	1.4900	RFQ	6	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR48			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal							55 V	42a (TC)	10V	11mohm @ 37a, 10v	4V @ 50 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1720 pf @ 25 V	-	91W (TC)
Auirf2804	-	RFQ	2879	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Auirf2804			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001518528	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal							40 V	195a (TC)	10V	2.3mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	6450 pf @ 25 V	-	300W (TC)