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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
BCX71GE6327	0.0400	RFQ	47	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	7,454																45 V	100 mA						20NA (ICBO)			PNP	550mv @ 1.25 mA, 50 mA	120 @ 2mA, 5V	250MHz
BSC065N06LS5ATMA1	1.5500	RFQ	17	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC065		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			60 V	64a (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 32a, 10v	2.3V @ 20 µA	13 NC @ 4.5 V	± 20V	1800 pf @ 30 V	-	46W (TC)
IRF6621TR1PBF	-	RFQ	3577	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico SQ			Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ sq	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			30 V	12A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	9.1mohm @ 12a, 10v	2.25V @ 250 µA	17.5 NC @ 4.5 V	± 20V	1460 pf @ 15 V	-	2.2W (TA), 42W (TC)
Bfp460e6433htma1	-	RFQ	4119	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BFP460			230MW		PG-SOT343-3D	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000				12.5db ~ 26.5db												5.8v	70 Ma									NPN		90 @ 20MA, 3V	22 GHz	0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
IRG4PC30FPBF	-	RFQ	1765	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		100 W		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400			480v, 17a, 23ohm, 15V												-	600 V	31 A	120 A	1.8v @ 15V, 17a	230 µJ (Encendido), 1.18MJ (apaguado)	51 NC	21ns/200ns
IPG16N10S4-61	1.0000	RFQ	9444	Infineon Technologies	Optimos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IPG16N		Mosfet (Óxido de metal)	29W (TC)		PG-TDSON-8-4	descascar					EAR99	8542.39.0001	1	2 Canal N (Dual)				100V	16a (TC)		61mohm @ 16a, 10v	3.5V @ 9 µA	7NC @ 10V		490pf @ 25V	-
SPB18P06P	-	RFQ	7720	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB18P		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P			60 V	18.7a (TA)	10V	130mohm @ 13.2a, 10v	4V @ 1MA	28 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	81.1W (TA)
IPF10N03LA	-	RFQ	7372	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPF10N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-23	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			25 V	30A (TC)	4.5V, 10V	10.4mohm @ 30a, 10v	2V @ 20 µA	11 NC @ 5 V	± 20V	1358 pf @ 15 V	-	52W (TC)
IRF1010NPBF	1.7000	RFQ	10	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF1010		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			55 V	85A (TC)	10V	11mohm @ 43a, 10v	4V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	3210 pf @ 25 V	-	180W (TC)
IPI200N25N3GAKSA1	-	RFQ	8746	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI200		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			250 V	64a (TC)	10V	20mohm @ 64a, 10V	4V @ 270 µA	86 NC @ 10 V	± 20V	7100 pf @ 100 V	-	300W (TC)
IRF8010StrrPBF	-	RFQ	8704	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			100 V	80a (TC)	10V	15mohm @ 45a, 10V	4V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	3830 pf @ 25 V	-	260W (TC)
IRLR7821PBF	-	RFQ	6847	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001558962	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			30 V	65a (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 15a, 10v	1V @ 250 µA	14 NC @ 4.5 V	± 20V	1030 pf @ 15 V	-	75W (TC)
IRF6636	-	RFQ	1093	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Directfet ™ isométrico st			Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ st	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal			20 V	18a (TA), 81a (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 18a, 10v	2.45V @ 250 µA	27 NC @ 4.5 V	± 20V	2420 pf @ 10 V	-	2.2W (TA), 42W (TC)
IRF6601	-	RFQ	4777	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico Mt			Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mt	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal			20 V	26a (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 26a, 10v	2.2V @ 250 µA	45 NC @ 4.5 V	± 20V	3440 pf @ 15 V	-	3.6W (TA), 42W (TC)
Irfr2905ztr	-	RFQ	1129	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001566952	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal			55 V	42a (TC)	10V	14.5mohm @ 36a, 10v	4V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1380 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPP50R500CEXKSA1	-	RFQ	7144	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP50R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			500 V	7.6a (TC)	13V	500mohm @ 2.3a, 13V	3.5V @ 200 µA	18.7 NC @ 10 V	± 20V	433 pf @ 100 V	-	-
IPP100N08S2L07AKSA1	4.3300	RFQ	500	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP100		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			75 V	100A (TC)	4.5V, 10V	6.8mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	246 NC @ 10 V	± 20V	5400 pf @ 25 V	-	300W (TC)
FZ1000R33HL3B60BOSA1	1.0000	RFQ	5339	Infineon Technologies	Ihm-b	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FZ1000			1600000 W	Estándar	AG-IHVB130-3	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2	Picador de freno dual														Parada de Campo de Trinchera	3300 V	1000 A		2.85V @ 15V, 1ka				5 Ma	No	190 NF @ 25 V
IPP054NE8NGHKSA2	-	RFQ	7756	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP054M		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			85 V	100A (TC)	10V	5.4mohm @ 100a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	12100 pf @ 40 V	-	300W (TC)
IMT65R163M1HXTMA1	-	RFQ	2086	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic				Imt65r						-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado				2,000
IRLI2203NPBF	-	RFQ	5621	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero			Mosfet (Óxido de metal)			Un entero de 220ab-pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			30 V	61a (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 37a, 10v	1V @ 250 µA	110 NC @ 4.5 V	± 16V	3500 pf @ 25 V	-	47W (TC)
IRFH7107TRPBF	-	RFQ	2052	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal			75 V	14A (TA), 75A (TC)	10V	8.5mohm @ 45a, 10v	4V @ 100 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	3110 pf @ 25 V	-	3.6W (TA), 104W (TC)
IRFZ44NSPBF	-	RFQ	8130	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			55 V	49a (TC)	10V	17.5mohm @ 25A, 10V	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 94W (TC)
Ipaw60r280cexksa1	-	RFQ	7407	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PAQUETO SOBRETO, VARIANTE	Ipaw60		Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220 Paqueto completo, Encendido Encendido	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	450		N-canal			600 V	19.3a (TC)	10V	280mohm @ 6.5a, 10v	3.5V @ 430 µA	43 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 100 V	-	32W (TC)
IRL1104LPBF	-	RFQ	1461	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			40 V	104a (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 62a, 10v	1V @ 250 µA	68 NC @ 4.5 V	± 16V	3445 pf @ 25 V	-	2.4W (TA), 167W (TC)
BSB014N04LX3GXUMA1	-	RFQ	5619	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson			Mosfet (Óxido de metal)			MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			40 V	36A (TA), 180A (TC)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	196 NC @ 10 V	± 20V	16900 pf @ 20 V	-	2.8W (TA), 89W (TC)
IPAW60R600P7SXKSA1	1.2200	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Ipaw60		Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	45		N-canal			600 V	6a (TC)	10V	600mohm @ 1.7a, 10V	4V @ 80 µA	9 NC @ 10 V	± 20V	363 pf @ 400 V	-	21W (TC)
IRFR3710ZTRLPBF	2.3000	RFQ	16	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR3710		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			100 V	42a (TC)	10V	18mohm @ 33a, 10v	4V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	2930 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRF7831TRPBF	1.2800	RFQ	3	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7831		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal			30 V	21a (TA)	4.5V, 10V	3.6mohm @ 20a, 10v	2.35V @ 250 µA	60 NC @ 4.5 V	± 12V	6240 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IPI80P03P405AKSA1	-	RFQ	5044	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI80P		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000396316	EAR99	8541.29.0095	500		Canal P			30 V	80a (TC)	10V	5mohm @ 80a, 10v	4V @ 253 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	10300 pf @ 25 V	-	137W (TC)