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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Current - Max | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7504TRPBF | - |  | 5898 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | IRF7504 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | Micro8 ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.7a | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700mv @ 250 µA | 8.2NC @ 4.5V | 240pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||
 | IRLML6401TRPBF | 0.4600 | | 8863 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | IRLML6401 | Mosfet (Óxido de metal) | Micro3 ™/SOT-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 4.3a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 15 NC @ 5 V | ± 8V | 830 pf @ 10 V | - | 1.3W (TA) | |||||||||
 | Bar6405we6433 | 0.0300 | | 2222 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | PG-SOT323-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 7,000 | 100 mA | 250 MW | 0.35pf @ 20V, 1MHz | PIN - Single | 150V | 1.35ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||
 | BSP296NL6327HTSA1 | - | | 9860 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000942910 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 1.2a (TA) | 4.5V, 10V | 600mohm @ 1.2a, 10V | 1.8V @ 100 µA | 6.7 NC @ 10 V | ± 20V | 152.7 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||
 | IRFR18N15DTRLP | - | | 4771 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001572838 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 18a (TC) | 125mohm @ 11a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | 900 pf @ 25 V | - | |||||||||||||
 | Auirf4905strl | 6.4500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirf4905 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 55 V | 42a (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||
| IRL3713Strlpbf | - | | 3997 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 260a (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 38a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 110 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5890 pf @ 15 V | - | 330W (TC) | ||||||||||
 | Auirfz46nl | - | | 5932 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001521774 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 55 V | 39A (TC) | 10V | 16.5mohm @ 28a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1696 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 107W (TC) | ||||||||||
 | BSD235N L6327 | - | | 3190 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ 2 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD235 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 950 mm | 350mohm a 950 mm, 4.5V | 1.2V @ 1.6 µA | 0.32NC @ 4.5V | 63pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||
 | Auirf3205z | 2.8900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AuIRF3205 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001518518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||||
| IRL520nstrl | - | | 8309 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 4V, 10V | 180mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 16V | 440 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 48W (TC) | ||||||||||
| Auirfr6215 | - | | 5334 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirfr6215 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||
 | BSP125H6327XTSA1 | 0.9900 | | 1137 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BSP125 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 120MA (TA) | 4.5V, 10V | 45ohm @ 120 mA, 10V | 2.3V @ 94 µA | 6.6 NC @ 10 V | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||
| IPB120N08S403ATMA1 | 6.1900 | | 8870 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 100a, 10v | 4V @ 223 µA | 167 NC @ 10 V | ± 20V | 11550 pf @ 25 V | - | 278W (TC) | |||||||||
 | BSL316CH6327XTSA1 | 0.5900 | | 9225 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL316 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N y p-canal complementario | 30V | 1.4a, 1.5a | 160mohm @ 1.4a, 10v | 2V @ 3.7 µA | 0.6nc @ 5V | 282pf @ 15V | Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V | |||||||||||
 | Bsc670n25nsfdatma1 | 3.5000 | | 8691 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC670 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 250 V | 24a (TC) | 10V | 67mohm @ 24a, 10v | 4V @ 90 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 125 V | - | 150W (TC) | |||||||||
| IRF9Z24NSTRR | - | | 3201 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 55 V | 12a (TC) | 10V | 175mohm @ 7.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||
 | IPP120N10S403AKSA1 | - | | 7357 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 10V | 3.9mohm @ 100a, 10v | 3.5V @ 180 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 10120 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||
| IRLR3715 | - | | 3014 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLR3715 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 V | 54a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 26a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1060 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 71W (TC) | |||||||||
 | Bsc0502nsiatma1 | 1.5600 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC0502 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 26a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 43W (TC) | |||||||||
| BSC037N08NS5ATMA1 | 2.5400 | | 23 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC037 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 100A (TC) | 6V, 10V | 3.7mohm @ 50A, 10V | 3.8V @ 72 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 114W (TC) | |||||||||
| IPP12CN10N G | - | | 5943 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP12C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 67a (TC) | 10V | 12.9mohm @ 67a, 10v | 4V @ 83 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 4320 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||
 | IQE030N06NM5CGATMA1 | 3.1000 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8-Powertdfn | Iqe030n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TTFN-9-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 21a (TA), 137a (TC) | 6V, 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 3.3V @ 50 µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 107W (TC) | |||||||||
| Auirfr2307z | - | | 2322 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001522814 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 42a (TC) | 10V | 16mohm @ 32a, 10v | 4V @ 100 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2190 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||
 | IPA60R600P7SE8228XKSA1 | 0.7002 | | 2876 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R600 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 6a (TC) | 10V | 600mohm @ 1.7a, 10V | 4V @ 80 µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 363 pf @ 400 V | - | 21W (TC) | |||||||||
| IPB093N04LGATMA1 | - | | 4676 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB093N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 50A, 10V | 2V @ 16 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 20 V | - | 47W (TC) | ||||||||||
 | IRFS7534TRL7PP | 3.3300 | | 845 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IRFS7534 | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (7-LEAD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 240a (TC) | 6V, 10V | 1.95mohm @ 100a, 10v | 3.7V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 9990 pf @ 25 V | - | 290W (TC) | |||||||||
| IPB042N10N3GATMA1 | 3.0600 | | 82 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB042 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 6V, 10V | 4.2mohm @ 50A, 10V | 3.5V @ 150 µA | 117 NC @ 10 V | ± 20V | 8410 pf @ 50 V | - | 214W (TC) | |||||||||
 | IRF7465PBF | - | | 8366 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001563554 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.800 | N-canal | 150 V | 1.9a (TA) | 10V | 280mohm @ 1.14a, 10V | 5.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 330 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||
 | Bsz0703lsatma1 | 1.1800 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSZ0703 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8-26 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 20 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1800 pf @ 30 V | Estándar | 46W (TC) |
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