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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Max | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BG5412KE6327HTSA1 | - |  | 3291 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25 Ma | 10 Ma | - | 24db | 1.1db | 5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS800R07A2E3IBPSA1 | - | | 5466 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hybridpack ™ 2 | Banda | Descontinuado en sic | FS800R07 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC085N025S G | - | | 6621 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 14A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 35a, 10v | 2V @ 25 µA | 14 NC @ 5 V | ± 20V | 1800 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP22N03S4L15AKSA1 | - | | 4293 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP22N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 14.9mohm @ 22a, 10v | 2.2V @ 10 µA | 14 NC @ 10 V | ± 16V | 980 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TZ800N16KOFHPSA3 | 448.0400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TZ800N16 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 500 mA | 1.6 kV | 1500 A | 2 V | 35000A @ 50Hz | 250 Ma | 819 A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Irfb4229pbf | 4.2100 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB4229 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 46a (TC) | 10V | 46mohm @ 26a, 10v | 5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 4560 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS159N E6327 | - | | 9615 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 230 mA (TA) | 0V, 10V | 3.5ohm @ 160mA, 10V | 2.4V @ 26 µA | 2.9 NC @ 5 V | ± 20V | 44 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP100N04S204AKSA2 | - | | 7157 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP100N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 3.6mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 172 NC @ 10 V | ± 20V | 5300 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP80N06S207AKSA1 | - | | 5177 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 10V | 6.6mohm @ 68a, 10v | 4V @ 180 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT251N16KOFHPSA1 | 188.0500 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | TT251N16 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 mA | 1.6 kV | 2 V | 9100A @ 50Hz | 200 MA | 250 A | 2 SCRS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4630DPBF | - | | 5499 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 206 W | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 18a, 22ohm, 15V | 100 ns | - | 600 V | 47 A | 54 A | 1.95V @ 15V, 18a | 95 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) | 35 NC | 40ns/105ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISC037N12NM6ATMA1 | 4.9500 | | 2316 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC037 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 120 V | 19.2a (TA), 163A (TC) | 8V, 10V | 3.7mohm @ 50A, 10V | 3.6V @ 111 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 60 V | - | 3W (TA), 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGS4620DTRRPBF | - | | 3764 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 140 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001535912 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 12a, 22ohm, 15V | 68 ns | - | 600 V | 32 A | 36 A | 1.85V @ 15V, 12A | 75 µJ (Encendido), 225 µJ (apaguado) | 25 NC | 31ns/83ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5255TRPBF | - | | 1081 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001560380 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 25 V | 15A (TA), 51A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 14.5 NC @ 10 V | ± 20V | 988 pf @ 13 V | - | 3.6W (TA), 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI09N03LA | - | | 1646 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Ipi09n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.2mohm @ 30a, 10v | 2V @ 20 µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 1642 pf @ 15 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FD250R65ke3knosa1 | 1.0000 | | 3342 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FD250R65 | 4800 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Soltero | - | 6500 V | 250 A | 3.4V @ 15V, 250a | 5 Ma | No | 69 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7S313UTRLPBF | - | | 6415 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRG7S313U | Estándar | 78 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 196v, 12a, 10ohm | Zanja | 330 V | 40 A | 2.14V @ 15V, 60A | - | 33 NC | 1ns/65ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | F3L11MR12W2M1B74BOMA1 | 198.0200 | | 21 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypack ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | F3L11MR12 | 20 MW | Estándar | Ag-Easy2b-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Inversor de Tres Niveles | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 100 A | 1.5V @ 15V, 100A | 9 µA | Si | 21.7 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF200R12KT3HOSA1 | 168.1200 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF200R12 | 1050 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 2.15V @ 15V, 200a | 5 Ma | No | 14 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUT260N10S5N019ATMA1 | 6.2800 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | IAUT260 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HSOF-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 260a (TC) | 6V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 210 µA | 166 NC @ 10 V | ± 20V | 11830 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB60R125CPATMA1 | 7.4000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CP | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB60R125 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 16A, 10V | 3.5V @ 1.1MA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7U100HF12A | - | | 5101 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo Powir® 34 | Irg7u | 580 W | Estándar | POWIR® 34 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Medio puente | - | 1200 V | 200 A | 2V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 10 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP80N06S205AKSA1 | - | | 8983 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 10V | 5.1mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 5110 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT600N16KOFHPSA2 | 405.4200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo | TT600N16 | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 1.6 kV | 1050 A | 2 V | - | 250 Ma | 600 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGCM15F60HAXKMA1 | - | | 7912 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CIPOS ™ | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Módulo de 24 Potencias (1.028 ", 26.10 mm) | IGBT | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001247026 | EAR99 | 8541.29.0095 | 280 | 3 fase | 15 A | 600 V | 2000 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT6207WH6327XTSA1 | - | | 1947 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | SC-82A, SOT-343 | BAT6207 | PG-SOT343-4-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 20 Ma | 100 MW | 0.6pf @ 0V, 1MHz | Schottky - 2 Independiente | 40V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL303SPEH6327XTSA1 | - | | 1160 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6.3a (TA) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 6.3a, 10v | 2V @ 30 µA | 20.9 NC @ 10 V | ± 20V | 1401 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS225R12KE3S1BDSA1 | 1.0000 | | 1672 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ + | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 1150 W | Estándar | Módulo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | Inversor de puente entero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 325 A | 2.15V @ 15V, 225a | 5 Ma | Si | 16 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TD600N16KOFHPSA2 | 390.0200 | | 5979 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo | TD600N16 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 1.6 kV | 1050 A | 2 V | - | 250 Ma | 600 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TD180N16KOFHPSA1 | - | | 5605 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 130 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo | TD180N16 | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 8 | 200 MA | 1.6 kV | 285 A | 2 V | - | 150 Ma | 180 A | 1 scr, 1 diodo |
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