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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Ganar	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFR2405PBF	-	RFQ	5605	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal					55 V	56a (TC)	10V	16mohm @ 34a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2430 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Auirfr3504ztrl	1.1429	RFQ	9665	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Auirfr3504		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001516690	EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					40 V	42a (TC)		9mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	45 NC @ 10 V		1510 pf @ 25 V	-	90W (TC)
SN7002WH643333TMA1	0.0551	RFQ	5203	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños					SN7002						descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000										4.5V, 10V				± 20V
IPD70N12S3L12ATMA1	-	RFQ	2365	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IPD70		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal					120 V	70A (TC)	4.5V, 10V	11.5mohm @ 70a, 10v	2.4V @ 83 µA	77 NC @ 10 V	± 20V	5550 pf @ 25 V	-	125W (TC)
BSB012NE2LX	-	RFQ	1590	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson				Mosfet (Óxido de metal)			MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					25 V	37a (TA), 170A (TC)	4.5V, 10V	1.2mohm @ 30a, 10V	2V @ 250 µA	67 NC @ 10 V	± 20V	4900 pf @ 12 V	-	2.8W (TA), 57W (TC)
IPD80R360P7ATMA1	3.0300	RFQ	1905	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IPD80R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal					800 V	13a (TC)	10V	360mohm @ 5.6a, 10V	3.5V @ 280 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	930 pf @ 500 V	-	84W (TC)
IPU50R950Ceakma2	-	RFQ	9807	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		IPU50R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal					500 V	4.3a (TC)	13V	950mohm @ 1.2a, 13V	3.5V @ 100 µA	10.5 NC @ 10 V	± 20V	231 pf @ 100 V	-	53W (TC)
BFP183E7764HTSA1	0.4100	RFQ	13	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA		BFP183			250MW		PG-SOT-143-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						22dB																													12V	65mA							NPN		70 @ 15 Ma, 8V	8GHz			0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPA65R190C6XKSA1	-	RFQ	3325	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		IPA65R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-to20-3-111	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal					650 V	20.2a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10v	3.5V @ 730 µA	73 NC @ 10 V	± 20V	1620 pf @ 100 V	-	34W (TC)
IRG4IBC30KD	-	RFQ	3119	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero			Estándar		45 W		PG-to220-FP	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRG4IBC30KD	EAR99	8541.29.0095	50					480v, 16a, 23ohm, 15V																							42 ns						-	600 V	17 A	34 A	2.7V @ 15V, 16A	600 µJ (Encendido), 580 µJ (apagado)	67 NC	60ns/160ns
SIPC06N60C3	-	RFQ	9481	Infineon Technologies	*	Una granela	Obsoleto											descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000013362	EAR99	8541.29.0040	1
D1461S45TXPSA2	-	RFQ	6166	Infineon Technologies	-	Banda	Descontinuado en sic		Monte del Chasis	Do-200, varieto		D1461S45		Estándar			BG-D10026K-1	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000096651	EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																											200 mA @ 4500 V	-40 ° C ~ 140 ° C	1720a	-
T740N26TOFXPSA1	230.6322	RFQ	6147	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	Do-200ab, B-PUK		T740N26				Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	9				300 mA														2.6 kV	1500 A	2.2 V	13000A @ 50Hz	250 Ma	745 A										1 SCR
IDB18E120ATMA1	-	RFQ	7113	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IDB18		Estándar			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																							1200 V		2.15 V @ 18 A	195 ns	100 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	31A	-
Auirfr5505trl	-	RFQ	1243	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001519572	EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P					55 V	18a (TC)	10V	110mohm @ 9.6a, 10v	4V @ 250 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	650 pf @ 25 V	-	57W (TC)
TD162N16KOFTIMHPSA1	-	RFQ	7082	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo						Conexión de la Serie - SCR/Diodo		-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	8				200 MA														1.6 kV	260 A	2 V	5200A @ 50Hz	150 Ma	162 A										1 scr, 1 diodo
BCR133SE6433BTMA1	-	RFQ	2395	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BCR133			250MW		PG-SOT363-PO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000																																			50V	100mA						-	2 NPN - Precializado (dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	130MHz	10 kohms	10 kohms
900546Chosa1	1.0000	RFQ	5849	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo											-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1
BAS 70-02W E6327	-	RFQ	2761	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	SC-80		BAS 70		Schottky			SCD-80	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																							70 V		1 V @ 15 Ma	100 ps	100 na @ 50 V	-55 ° C ~ 125 ° C	70 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
IPA60R180C7XKSA1	3.3800	RFQ	434	Infineon Technologies	CoolMos ™ C7	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		IPA60R		Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220 Paqueto completo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					600 V	9A (TC)	10V	180mohm @ 5.3a, 10v	4V @ 260 µA	24 NC @ 10 V	± 20V	1080 pf @ 400 V	-	29W (TC)
BAV 70 B5003	-	RFQ	1927	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		BAV 70		Estándar			PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																						1 par Cátodo Común	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
Irsm636-015mb	6.2798	RFQ	5949	Infineon Technologies	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños			-	-	Irsm636						descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	SP001539614	EAR99	8542.39.0001	800	-						-
AIKW50N65DF5XKSA1	10.4300	RFQ	9998	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		AIKW50	Estándar		270 W		PG-TO247-3-41	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30					400V, 25A, 12ohm, 15V																													Zanja	650 V		150 A	2.1V @ 15V, 50A	490 µJ (Encendido), 140 µJ (apagado)	1018 NC	21ns/156ns
IPD03N03LB G	-	RFQ	4586	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IPD03N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal					30 V	90A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 60a, 10V	2V @ 70 µA	40 NC @ 5 V	± 20V	5200 pf @ 15 V	-	115W (TC)
IRL40B209	-	RFQ	7737	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IRL40B209		Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001576458	EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					40 V	195a (TC)	4.5V, 10V	1.25mohm @ 100a, 10v	2.4V @ 250 µA	270 NC @ 4.5 V	± 20V	15140 pf @ 25 V	-	375W (TC)
IRF1405ZLPBF	2.3000	RFQ	581	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					55 V	75A (TC)	10V	4.9mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	4780 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IRF6729MTRPBF	-	RFQ	7123	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico MX				Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mx	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.800			N-canal					30 V	31a (TA), 190a (TC)	4.5V, 10V	1.8mohm @ 31a, 10v	2.35V @ 150 µA	63 NC @ 4.5 V	± 20V	6030 pf @ 15 V	-	2.8W (TA), 104W (TC)
IAUC41N06S5L100ATMA1	0.8900	RFQ	6138	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		IAUC41		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-33	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					60 V	41a (TJ)		10mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 13 µA	16.4 NC @ 10 V	± 16V	1205 pf @ 30 V	-	42W (TC)
BFR 740L3 E6327	-	RFQ	6012	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-101, SOT-883		BFR 740			160MW		PG-TSLP-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	15,000						24db																													4.7V	30mera							NPN		160 @ 25mA, 3V	42 GHz			0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IPB80N03S4L02ATMA1	1.5551	RFQ	3456	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB80N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 80a, 10v	2.2V @ 90 µA	140 NC @ 10 V	± 16V	9750 pf @ 25 V	-	136W (TC)