SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STP85N3LH5 STMicroelectronics STP85N3LH5 -
RFQ
 ECAD 7158 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp85n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8451-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 80a (TC) 5V, 10V 5.4mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 5 V ± 22V 1850 pf @ 25 V - 70W (TC)
BC141-16 STMicroelectronics BC141-16 -
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN BC141 650 MW To-39 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 500 60 V 1 A 100na NPN 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
STN851-A STMicroelectronics STN851-A 0.9400
RFQ
 ECAD 339 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA STN851 1.6 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 5 A 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 200MA, 5A 150 @ 2a, 1v 130MHz
STPSC2H12D STMicroelectronics STPSC2H12D 2.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Stpsc2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17166 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.5 v @ 2 a 0 ns 12 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 2A 190pf @ 0V, 1 MHz
BDW94CFP STMicroelectronics Bdw94cfp 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero BDW94 33 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 12 A 1mera PNP - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 750 @ 5a, 3V -
STP7N52K3 STMicroelectronics STP7N52K3 -
RFQ
 ECAD 7625 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp7n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 525 V 6a (TC) 10V 980mohm @ 3.1a, 10V 4.5V @ 50 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 737 pf @ 100 V - 90W (TC)
BYW77P-200 STMicroelectronics BYW77P-200 -
RFQ
 ECAD 7109 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero SOD-93-2 BYW77 Estándar SOD-93-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 300 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 V @ 40 A 50 ns 25 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C 25A -
STP14NF10 STMicroelectronics STP14NF10 -
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP14 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 15A (TC) 10V 130mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 460 pf @ 25 V - 60W (TC)
STPSC6H065B-TR STMicroelectronics STPSC6H065B-TR 2.7100
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stpsc6 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.75 v @ 6 a 0 ns 60 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 6A 300pf @ 0V, 1MHz
STF2N80K5 STMicroelectronics STF2N80K5 1.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF2N80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 2a (TC) 10V 4.5ohm @ 1a, 10v 5V @ 100 µA 3 NC @ 10 V 30V 95 pf @ 100 V - 20W (TC)
STD37P3H6AG STMicroelectronics Std37p3h6ag -
RFQ
 ECAD 8113 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ H6 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std37 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 49a (TC) 10V 15mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 30.6 NC @ 10 V ± 20V 1630 pf @ 25 V - 60W (TC)
STGWF30NC60S STMicroelectronics STGWF30NC60S 2.7870
RFQ
 ECAD 9432 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Stgwf30 Estándar 79 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10709-5 EAR99 8541.29.0095 600 480v, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 35 A 150 A 1.9V @ 15V, 20a 300 µJ (Encendido), 1.28MJ (apaguado) 96 NC 21.5ns/180ns
STP45N40DM2AG STMicroelectronics STP45N40DM2AG 6.6500
RFQ
 ECAD 8181 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16136-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 38a (TC) 10V 72mohm @ 19a, 10v 5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 25V 2600 pf @ 100 V - 250W (TC)
STPS2H100AY STMicroelectronics STPS2H100AY 0.9900
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Stmicroelectronics Q Automotriz Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Stps2 Schottky SMA (DO-214AC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 2 A 1 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 2A -
BTB12-600CWRG STMicroelectronics Btb12-600cwrg 1.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTB12 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 35 Ma Alternista - Snubberless 600 V 12 A 1.3 V 120a, 126a 35 Ma
STW11NK90Z STMicroelectronics Stw11nk90z 6.6500
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STW11 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-6198-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 9.2a (TC) 10V 980mohm @ 4.6a, 10V 4.5V @ 100 µA 115 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 200W (TC)
STH310N10F7-6 STMicroelectronics STH310N10F7-6 6.5500
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH310 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 2.5mohm @ 60a, 10V 3.8V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 12800 pf @ 25 V - 315W (TC)
STD90NH02LT4 STMicroelectronics Std90nh02lt4 -
RFQ
 ECAD 9809 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std90 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 24 V 60A (TC) 5V, 10V 6mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 15 V - 95W (TC)
BTB06-800SWRG STMicroelectronics BTB06-800SWRG 0.7232
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTB06 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 Soltero 15 Ma Alternista - Snubberless 800 V 6 A 1.3 V 60a, 63a 10 Ma
STPS10170CR STMicroelectronics STPS10170CR -
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STPS10170 Schottky I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 170 V 5A 920 MV @ 5 A 10 µA @ 170 V 175 ° C (Máximo)
STGIB30M60S-XZ STMicroelectronics STGIB30M60S-XZ 18.6899
RFQ
 ECAD 2497 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm - 2DO Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.146 ", 29.10 mm) IGBT Stgib30 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stgib30m60s-xz EAR99 8542.39.0001 156 Inversor de 3 fase 35 A 600 V 1600 VRMS
STPS30L40CW STMicroelectronics STPS30L40CW -
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 STPS30L40 Schottky TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 15A 550 MV @ 15 A 360 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo)
STW7NK90Z STMicroelectronics Stw7nk90z 4.2400
RFQ
 ECAD 1130 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw7nk90 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 5.8a (TC) 10V 2ohm @ 2.9a, 10v 4.5V @ 100 µA 60.5 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 140W (TC)
STH290N4F6-2 STMicroelectronics STH290N4F6-2 -
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 Stmicroelectronics * Tape & Reel (TR) Obsoleto STH290 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
STTH30AC06CWL STMicroelectronics STTH30AC06CWL 3.4500
RFQ
 ECAD 1690 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 STTH30 Estándar TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 15A 1.95 V @ 15 A 55 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C
STGIPN3H60A STMicroelectronics Stgipn3h60a 10.9100
RFQ
 ECAD 273 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (0.846 ", 21.48 mm) IGBT Stgipn3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 17 3 fase 3 A 600 V 1000VDC
STGWT28IH125DF STMicroelectronics Stgwt28ih125df 2.8914
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Stgwt28 Estándar 375 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -497-14562-5 EAR99 8541.29.0095 600 600V, 25A, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 1250 V 60 A 120 A 2.5V @ 15V, 25A 720 µJ (apaguado) 114 NC -/128ns
ACS110-7SN STMicroelectronics ACS110-7SN 1.0400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Asd ™ Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ACS110 SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 45 Ma Lógica - Puerta sensible 700 V 1 A 1 V 8a, 11a 10 Ma
STL30N10F7 STMicroelectronics Stl30n10f7 1.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl30 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 30A (TC) 10V 35mohm @ 4a, 10v 4.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 920 pf @ 50 V - 75W (TC)
STW12N150K5 STMicroelectronics STW12N150K5 10.8400
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw12 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16027-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1500 V 7a (TC) 10V 1.9ohm @ 3.5a, 10v 5V @ 100 µA 47 NC @ 10 V ± 30V 1360 pf @ 100 V - 250W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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