SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STD100NH02LT4 STMicroelectronics Std100nh02lt4 2.2300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std10 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 24 V 60A (TC) 5V, 10V 4.8mohm @ 30a, 10v 1.8V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3940 pf @ 15 V - 100W (TC)
PD20015C STMicroelectronics PD20015C 62.6200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Stmicroelectronics - Caja Obsoleto 40 V M243 PD20015 2GHz Ldmos M243 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 7A 350 Ma 15W 11db - 13.6 V
BYT03-400RL STMicroelectronics ByT03-400RL -
RFQ
 ECAD 1814 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial ByT03 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 3 A 55 ns 20 µA @ 400 V 150 ° C (Máximo) 3A -
STW8N90K5 STMicroelectronics Stw8n90k5 4.2600
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw8n90 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17085 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 8a (TC) 10V 5V @ 100 µA ± 30V - 130W (TC)
STB80NF55L-06T4 STMicroelectronics STB80NF55L-06T4 3.5800
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB80 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 1V @ 250 µA 136 NC @ 5 V ± 20V 4850 pf @ 25 V - 300W (TC)
BAT30SFILM STMicroelectronics BAT30SFILM -
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bit30 Schottky Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 30 V 300 mA (DC) 530 MV @ 300 Ma 5 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
STB23NM60N STMicroelectronics Stb23nm60n -
RFQ
 ECAD 4025 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb23n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 19a (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 2050 pf @ 50 V - 150W (TC)
TIP110 STMicroelectronics Consejo110 -
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Consejo110 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 2 A 2mera NPN - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4V -
STB46N30M5 STMicroelectronics Stb46n30m5 9.4200
RFQ
 ECAD 194 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Mdmesh ™ V Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB46 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 300 V 53A (TC) 10V 40mohm @ 26.5a, 10v 5V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 25V 4240 pf @ 100 V - 250W (TC)
STTH602CT STMicroelectronics STTH602CT 1.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 STTH602 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 3A 1.1 v @ 3 a 30 ns 3 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo)
SCTWA30N120 STMicroelectronics Sctwa30n120 29.8900
RFQ
 ECAD 417 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sctwa30 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) HIP247 ™ Larges Largos descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -1138-sctwa30n120 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 45a (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 3.5V @ 1MA (typ) 105 NC @ 20 V +25V, -10V 1700 pf @ 400 V - 270W (TC)
STGB3NC120HDT4 STMicroelectronics STGB3NC120HDT4 2.3700
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb3 Estándar 75 W D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 800V, 3a, 10ohm, 15V 51 ns - 1200 V 14 A 20 A 2.8V @ 15V, 3A 236 µJ (Encendido), 290 µJ (apagado) 24 NC 15ns/118ns
STGP30NC60W STMicroelectronics STGP30NC60W -
RFQ
 ECAD 1242 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp30 Estándar 200 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390v, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 60 A 150 A 2.5V @ 15V, 20a 305 µJ (Encendido), 181 µJ (apaguado) 102 NC 29.5ns/118ns
STP20NM60A STMicroelectronics STP20NM60A -
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP20N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4376-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 290mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 1630 pf @ 25 V - 192W (TC)
STFI20N65M5 STMicroelectronics Stfi20n65m5 3.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi20n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 18a (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 25V 1345 pf @ 100 V - 130W (TC)
T3035H-8I STMicroelectronics T3035H-8i 2.7700
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T3035 Un 220b aislado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 60 Ma Alternista - Snubberless 800 V 30 A 1.3 V 283a, 270a 35 Ma
STGP12NB60K STMicroelectronics STGP12NB60K -
RFQ
 ECAD 9637 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STGP12 Estándar 125 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 30 A 60 A 2.8V @ 15V, 12A 258 µJ (apaguado) 54 NC 25ns/96ns
STPS30100ST STMicroelectronics STPS30100ST 1.7000
RFQ
 ECAD 4459 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 STPS30100 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 30 A 175 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo) 30A -
STTH3010PI STMicroelectronics STTH3010PI 4.9200
RFQ
 ECAD 8833 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Dop3i-2 aislado (cables rectos) STTH3010 Estándar Dop3i descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 2 V @ 30 A 100 ns 15 µA @ 1000 V 175 ° C (Máximo) 30A -
STGIF5CH60TS-E STMicroelectronics Stgif5ch60ts-e -
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.327 ", 33.70 mm) IGBT Stgif5 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 156 Inversor de 3 fase 8 A 600 V 1500 VRMS
STU2N62K3 STMicroelectronics Stu2n62k3 1.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu2n62 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 620 V 2.2a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 50 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 340 pf @ 50 V - 45W (TC)
TS110-8A1-AP STMicroelectronics TS110-8A1-AP 0.7600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta de Corte (CT) Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TS110 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15288-3 EAR99 8541.30.0080 2,000 12 MA 800 V 1.25 A 800 MV 20a, 21a 100 µA 1.6 V 800 Ma 1 µA Puerta sensible
STTH120L06TV1 STMicroelectronics STTH120L06TV1 28.8100
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo Monte del Chasis Isotop STTH120 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 60A 1.55 V @ 60 A 105 ns 50 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo)
STPS1L30MF STMicroelectronics STPS1L30MF 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-222AA Stps1 Schottky Stmite plano descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 390 MV @ 1 A 390 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 1A -
BD237 STMicroelectronics BD237 1.0700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD237 25 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 2 A 100 µA (ICBO) NPN 600mv @ 100 mm, 1a 25 @ 1a, 2v -
BAS69-07P6FILM STMicroelectronics BAS69-07P6FILM -
RFQ
 ECAD 9251 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BAS69 Schottky Sot-666 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 15 V 10 Ma (DC) 570 MV @ 10 Ma 230 na @ 15 V 150 ° C (Máximo)
STH260N6F6-6 STMicroelectronics STH260N6F6-6 -
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH260 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 180A (TC) 10V 2.4mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 183 NC @ 10 V ± 20V 11800 pf @ 25 V - 300W (TC)
STPS5H100BY-TR STMicroelectronics STPS5H100BY-TR 1.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stps5 Schottky Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 730 MV @ 5 A 3.5 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 5A -
STB18N60M6 STMicroelectronics STB18N60M6 2.8400
RFQ
 ECAD 2980 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB18 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10v 4.75V @ 250 µA 16.8 NC @ 10 V ± 25V 650 pf @ 100 V - 110W (TC)
STB37N60DM2AG STMicroelectronics STB37N60DM2AG 6.6500
RFQ
 ECAD 9585 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB37 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 100 V - 210W (TC)
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    2000+

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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