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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BYT30PI-400RG STMicroelectronics Byt30pi-400rg -
RFQ
 ECAD 3533 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Dop3i-2 aislado (cables rectos) Byt30 Estándar Dop3i descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 30 A 100 ns 35 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
TN1215-600H STMicroelectronics TN1215-600H 1.7300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TN1215 TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 75 40 Ma 600 V 12 A 1.3 V 110a, 115a 15 Ma 1.6 V 8 A 5 µA Recuperación
FERD40L60CG-TR STMicroelectronics Ferd40l60cg-tr 1.6000
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ferd40 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 545 MV @ 20 A 1.1 Ma @ 60 V 150 ° C (Máximo)
STGD25N36LZAG STMicroelectronics Stgd25n36lzag 0.8168
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd25 Lógica 150 W D-Pak (A 252) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stgd25n36lzag EAR99 8541.29.0095 2.500 - - 350 V 25 A 50 A 1.25V @ 4V, 6A - 25.7 NC 1.1 µs/7.4 µs
STWA48N60M2 STMicroelectronics Stwa48n60m2 8.6900
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa48 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16513-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 42a (TC) 10V 70mohm @ 21a, 10v 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 25V 3060 pf @ 100 V - 300W (TC)
BC141-16 STMicroelectronics BC141-16 -
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN BC141 650 MW To-39 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 500 60 V 1 A 100na NPN 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
STP85N3LH5 STMicroelectronics STP85N3LH5 -
RFQ
 ECAD 7158 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp85n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8451-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 80a (TC) 5V, 10V 5.4mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 5 V ± 22V 1850 pf @ 25 V - 70W (TC)
PD55008 STMicroelectronics PD55008 -
RFQ
 ECAD 1547 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55008 500MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 4A 150 Ma 8W 17dB - 12.5 V
X0402MH STMicroelectronics X0402MH 0.5500
RFQ
 ECAD 4542 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack2 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-x0402MH EAR99 8541.30.0080 75 5 Ma 600 V 4 A 800 MV 30a, 33a 200 µA 1.8 V 2.5 A 5 µA Puerta sensible
STPS10SM80CFP STMicroelectronics STPS10SM80CFP -
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stps10 Schottky Paquete entero de 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 5A 745 MV @ 5 A 15 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STD7LN80K5 STMicroelectronics Std7ln80k5 2.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std7ln80 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.15ohm @ 2.5a, 10v 5V @ 100 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 100 V - 85W (TC)
STGSB200M65DF2AG STMicroelectronics Stgsb200m65df2ag 24.1400
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-POWERSMD STGSB200 Estándar 714 W 9-acepto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-stgsb200m65df2ag EAR99 8541.29.0095 200 400V, 200a, 4.7ohm, 15V 174.5 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 216 A 700 A 2.05V @ 15V, 200a 3.82mj (Encendido), 6.97mj (apaguado) 554 NC 122NS/250NS
Z00607MA 2BL2 STMicroelectronics Z00607MA 2BL2 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta de Corte (CT) Activo -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Z00607 Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 Soltero 5 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 800 Ma 1.3 V 9a, 9.5a 5 Ma
ESM4045DV STMicroelectronics ESM4045DV -
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop ESM4045 150 W ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 450 V 42 A - NPN - Darlington 1.4v @ 2a, 35a 220 @ 35a, 5V -
STGWA80H65DFBAG STMicroelectronics Stgwa80h65dfbag 6.8700
RFQ
 ECAD 5962 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa80 Estándar 535 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar 1 (ilimitado) 497-stgwa80h65dfbag EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80a, 10ohm, 15V 64 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 120 A 240 A 2v @ 15V, 80a 3.26mj (Encendido), 2.33mj (apaguado) 453 NC -/360ns
STW15NK90Z STMicroelectronics Stw15nk90z 9.0500
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw15 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 15A (TC) 10V 550mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 150 µA 256 NC @ 10 V ± 30V 6100 pf @ 25 V - 350W (TC)
STP10NM60ND STMicroelectronics Stp10nm60nd 1.7500
RFQ
 ECAD 631 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 8a (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 25V 577 pf @ 50 V - 70W (TC)
STF6NM60N STMicroelectronics Stf6nm60n -
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf6n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 4.6a (TC) 10V 920mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 25V 420 pf @ 50 V - 20W (TC)
SD2941-10R STMicroelectronics SD2941-10R -
RFQ
 ECAD 8323 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 130 V M174 SD2941 175MHz Mosfet M174 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 20A 250 Ma 175W 15.8db - 50 V
STGW30V60F STMicroelectronics STGW30V60F 3.6600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw30 Estándar 260 W To-247 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 60 A 120 A 2.3V @ 15V, 30a 383 µJ (Encendido), 233 µJ (apagado) 163 NC 45ns/189ns
STP10NK80ZFP STMicroelectronics STP10NK80ZFP 4.4700
RFQ
 ECAD 3032 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 9A (TC) 10V 900mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 72 NC @ 10 V ± 30V 2180 pf @ 25 V - 40W (TC)
STGBL6NC60DT4 STMicroelectronics Stgbl6nc60dt4 1.7200
RFQ
 ECAD 747 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STGBL6 Estándar 56 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390v, 3a, 10ohm, 15V 50 ns - 600 V 14 A 18 A 2.9V @ 15V, 3a 46.5 µJ (Encendido), 23.5 µJ (apagado) 12 NC 6.7ns/46ns
STGB4M65DF2 STMicroelectronics Stgb4m65df2 0.5264
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 Stmicroelectronics METRO Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb4 Estándar 68 W D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400V, 4a, 47ohm, 15V 133 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 8 A 16 A 2.1V @ 15V, 4A 40 µJ (Encendido), 136 µJ (apaguado) 15.2 NC 12ns/86ns
STB80N4F6AG STMicroelectronics Stb80n4f6ag 1.9300
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB80 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 6mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 25 V - 70W (TC)
STI270N4F3 STMicroelectronics STI270N4F3 4.4500
RFQ
 ECAD 888 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI270 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 160A (TC) 10V 2.6mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 25 V - 330W (TC)
TN1515-600B STMicroelectronics TN1515-600B -
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TN1515 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 75 40 Ma 600 V 15 A 1.3 V 150a, 165a 15 Ma 1.6 V 9.5 A 5 µA Recuperación
STD12NF06L-1 STMicroelectronics Std12nf06l-1 0.9000
RFQ
 ECAD 2933 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std12 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 12a (TC) 5V, 10V 100mohm @ 6a, 10v 2V @ 250 µA 10 NC @ 5 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 42.8W (TC)
BAS69-09P6FILM STMicroelectronics BAS69-09P6FILM -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BAS69 Schottky Sot-666 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 15 V 10 Ma (DC) 570 MV @ 10 Ma 230 na @ 15 V 150 ° C (Máximo)
STGW30N90D STMicroelectronics STGW30N90D -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw30 Estándar 220 W TO-247-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 900V, 20a, 10ohm, 15V 152 ns - 900 V 60 A 135 A 2.75V @ 15V, 20a 1.66mj (Encendido), 4.44mj (apaguado) 110 NC 29ns/275ns
STGP7H60DF STMicroelectronics STGP7H60DF -
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp7 Estándar 88 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 7a, 47ohm, 15V 136 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 14 A 28 A 1.95V @ 15V, 7a 99 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 46 NC 30ns/160ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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