SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STB80N4F6AG STMicroelectronics Stb80n4f6ag 1.9300
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB80 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 6mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 25 V - 70W (TC)
BAS69-09P6FILM STMicroelectronics BAS69-09P6FILM -
RFQ
 ECAD 1580 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BAS69 Schottky Sot-666 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 15 V 10 Ma (DC) 570 MV @ 10 Ma 230 na @ 15 V 150 ° C (Máximo)
STD7NS20T4 STMicroelectronics Std7ns20t4 1.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectronics Mesh Overlay ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std7ns20 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 7a (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 540 pf @ 25 V - 45W (TC)
STBV42D STMicroelectronics Stbv42d -
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) STBV42 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400 V 1 A 1mera NPN 1.5V @ 250 mA, 750 mA 10 @ 400mA, 5V -
STGBL6NC60DT4 STMicroelectronics Stgbl6nc60dt4 1.7200
RFQ
 ECAD 747 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STGBL6 Estándar 56 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390v, 3a, 10ohm, 15V 50 ns - 600 V 14 A 18 A 2.9V @ 15V, 3a 46.5 µJ (Encendido), 23.5 µJ (apagado) 12 NC 6.7ns/46ns
STGW30N90D STMicroelectronics STGW30N90D -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw30 Estándar 220 W TO-247-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 900V, 20a, 10ohm, 15V 152 ns - 900 V 60 A 135 A 2.75V @ 15V, 20a 1.66mj (Encendido), 4.44mj (apaguado) 110 NC 29ns/275ns
STGW15H120DF2 STMicroelectronics STGW15H120DF2 3.7400
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW15 Estándar 259 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 15a, 10ohm, 15V 231 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 30 A 60 A 2.6V @ 15V, 15a 380 µJ (Encendido), 370 µJ (apagado) 67 NC 23ns/111ns
STI270N4F3 STMicroelectronics STI270N4F3 4.4500
RFQ
 ECAD 888 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI270 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 160A (TC) 10V 2.6mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 25 V - 330W (TC)
STGP7H60DF STMicroelectronics STGP7H60DF -
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp7 Estándar 88 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 7a, 47ohm, 15V 136 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 14 A 28 A 1.95V @ 15V, 7a 99 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 46 NC 30ns/160ns
STGF30H60DF STMicroelectronics STGF30H60DF 2.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stgf30 Estándar 37 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 30a, 10ohm, 15V 110 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 60 A 120 A 2.4V @ 15V, 30a 350 µJ (Encendido), 400 µJ (apaguado) 105 NC 50ns/160ns
FERD20H100SB-TR STMicroelectronics Ferd20h100sb-tr 1.0700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ferd20 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 705 MV @ 20 A 140 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo) 20A -
ACST4-7CB-TR STMicroelectronics ACST4-7CB-TR -
RFQ
 ECAD 3221 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ACST4 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 35 Ma Estándar 700 V 4 A 1.1 V 30a, 33a 25 Ma
STPS2L25AFN STMicroelectronics Stps2l25afn 0.3700
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Stps2 Schottky Muesca smaflat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 25 V 450 MV @ 2 A 90 µA @ 25 V 150 ° C 2a -
STL22N65M5 STMicroelectronics Stl22n65m5 3.2700
RFQ
 ECAD 7215 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl22 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 210MOHM @ 8.5A, 10V 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 25V 1345 pf @ 100 V - 2.8W (TA), 110W (TC)
STPSC8H065G2Y-TR STMicroelectronics STPSC8H065G2Y-TR 3.8700
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stpsc8 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY D2pak hv descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-18399-6 EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 v @ 8 a 0 ns 80 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 8A 414pf @ 0V, 1MHz
STQ2LN60K3-AP STMicroelectronics STQ2LN60K3-AP 0.6400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Cinta de Corte (CT) Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STQ2LN60 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 600 mA (TC) 10V 4.5ohm @ 1a, 10v 4.5V @ 50 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 235 pf @ 50 V - 2.5W (TC)
STB9NK50ZT4 STMicroelectronics STB9NK50ZT4 1.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB9 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 7.2a (TC) 10V 850mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 100 µA 32 NC @ 10 V ± 30V 910 pf @ 25 V - 110W (TC)
STB19NF20 STMicroelectronics STB19NF20 2.0700
RFQ
 ECAD 1337 0.00000000 Stmicroelectronics Mesh Overlay ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB19 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 15A (TC) 10V 160mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 800 pf @ 25 V - 90W (TC)
STP95N3LLH6 STMicroelectronics STP95N3LLH6 -
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP95 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 70W (TC)
STPS20200CFP STMicroelectronics STPS20200CFP 4.0300
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STPS20200 Schottky Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13730-5 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 860 MV @ 10 A 15 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C
TN1515-600B STMicroelectronics TN1515-600B -
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TN1515 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 75 40 Ma 600 V 15 A 1.3 V 150a, 165a 15 Ma 1.6 V 9.5 A 5 µA Recuperación
STP11NM60FDFP STMicroelectronics Stp11nm60fdfp 5.6600
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Stmicroelectronics Fdmesh ™ Tubo Activo - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 900 pf @ 25 V - 35W (TC)
STK224N4F7AG STMicroelectronics Stk224n4f7ag 1.2116
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 Stk224 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56, POWER-SO8 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stk224n4f7ag EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 1.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 4060 pf @ 25 V - 150W (TC)
BAT54-07P6FILM STMicroelectronics BAT54-07P6FILM -
RFQ
 ECAD 7741 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BAT54 Schottky Sot-666 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 40 V 300 mA (DC) 900 MV @ 100 Ma 5 ns 1 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C
STF15N95K5 STMicroelectronics STF15N95K5 4.6700
RFQ
 ECAD 976 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF15 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 950 V 12a (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 900 pf @ 100 V - 30W (TC)
Z0410NF 1AA2 STMicroelectronics Z0410NF 1AA2 -
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-202 PESTARA DE SIN Z0410 A-202-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 25 Ma Estándar 800 V 4 A 1.3 V 20a, 21a 25 Ma
STC08IE120HV STMicroelectronics STC08IE120HV -
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 Stmicroelectronics ESBT® Tubo Obsoleto 1200V (1.2kv) Controlador A Través del Aguetero TO-247-4 Stc08i To-247-4l HV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 8A NPN - Emisor Cambiado bipolar
BTW69-1200RG STMicroelectronics BTW69-1200RG 12.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero Top-3 BTW69 Top3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 30 150 Ma 1.2 kV 50 A 1.3 V 580a, 610a 80 Ma 1.9 V 32 A 10 µA Recuperación
STR2550 STMicroelectronics Str2550 0.5400
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Str2550 500 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 500 V 500 mA 10 µA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 50 Ma 100 @ 50 mm, 10v -
STD100NH02LT4 STMicroelectronics Std100nh02lt4 2.2300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std10 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 24 V 60A (TC) 5V, 10V 4.8mohm @ 30a, 10v 1.8V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3940 pf @ 15 V - 100W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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