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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STTH60L06TV1 STMicroelectronics STTH60L06TV1 23.5600
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo Monte del Chasis Isotop STTH60 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 40A 1.55 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo)
MJD122T4 STMicroelectronics Mjd122t4 0.9300
RFQ
 ECAD 427 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD122 20 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 100 V 8 A 10 µA NPN - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4V -
FERD30SM100DJFTR STMicroelectronics Ferd30sm100djftr 1.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Stmicroelectónica ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8Powervdfn Ferd30 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 970 MV @ 30 A 150 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo) 30A -
STPS1L40ZF STMicroelectronics STPS1L40ZF 0.4600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Stps1 Schottky SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 35 µA @ 40 V -40 ° C ~ 175 ° C 1A -
STULED524 STMicroelectronics Stuled524 -
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stuled524 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 525 V 4A (TC) 10V 2.6ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 340 pf @ 100 V - 45W (TC)
ACST210-8FP STMicroelectronics ACST210-8FP -
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Stmicroelectónica ACS ™/ASD® Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero ACST210 Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 2 A 1.1 V 8a, 8.4a 10 Ma
STTA312B STMicroelectronics Stta312b -
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 Stmicroelectónica TurboSwitch ™ Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STTA312 Estándar Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.8 V @ 3 A 115 ns 20 µA @ 1200 V 125 ° C (Máximo) 3A -
BTA12-600BRG STMicroelectronics BTA12-600BRG 1.9200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA12 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 50 Ma Estándar 600 V 12 A 1.3 V 120a, 126a 50 Ma
SPV1001D40 STMicroelectronics SPV1001D40 -
RFQ
 ECAD 5435 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPV1001 Estándar D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 - 40 V 230 MV @ 16 A 1 µA @ 40 V -45 ° C ~ 175 ° C 16A -
TIP107 STMicroelectronics TIP107 1.0400
RFQ
 ECAD 917 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP107 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 8 A 50 µA PNP - Darlington 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3a, 4v -
ST5027 STMicroelectronics ST5027 -
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 ST5027 90 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 800 V 3 A - NPN - - -
STTH8T06DI STMicroelectronics Stth8t06di 2.0900
RFQ
 ECAD 897 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 AISLADO, A-220AC STTH8 Estándar To20AC INS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.95 v @ 8 a 30 ns 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 8A -
T1235T-6I STMicroelectronics T1235T-6i 1.8117
RFQ
 ECAD 1519 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T1235 Un 220b aislado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 30 Ma Alternista - Snubberless 600 V 12 A 1.3 V 90a, 95a 35 Ma
STL10N3LLH5 STMicroelectronics Stl10n3llh5 1.0900
RFQ
 ECAD 4576 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl10 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 9A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 22V 900 pf @ 25 V - 2W (TA), 50W (TC)
2STF2220 STMicroelectronics 2STF2220 -
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2STF22 1.4 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 20 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 450mv @ 150 mm, 1.5a 200 @ 100 mapa, 2v -
BAT30CWFILM STMicroelectronics BAT30CWFILM 0.4000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Bit30 Schottky Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5550-2 EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 300 mA (DC) 530 MV @ 300 Ma 5 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
T835T-8G-TR STMicroelectronics T835T-8G-TR 0.8900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T835 D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 40 Ma Alternista - Snubberless 800 V 8 A 1.3 V 60a, 63a 35 Ma
TYN410RG STMicroelectronics Tyn410rg -
RFQ
 ECAD 3670 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 Tyn410 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 30 Ma 400 V 10 A 1.5 V 100a, 105a 15 Ma 1.6 V 6.4 A 10 µA Recuperación
STN690A STMicroelectronics Stn690a 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA STN69 1.6 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 30 V 3 A 10 µA (ICBO) NPN 400mv @ 100 mm, 3a 100 @ 500mA, 2V 100MHz
BTA12-600CW STMicroelectronics BTA12-600CW -
RFQ
 ECAD 7034 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA12 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 250 Soltero 35 Ma Alternista - Snubberless 600 V 12 A 1.3 V 120a, 126a 35 Ma
BTA16-700BRG STMicroelectronics BTA16-700BRG 1.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA16 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 50 Ma Estándar 700 V 16 A 1.3 V 160a, 168a 50 Ma
TYN825RG STMicroelectronics Tyn825rg 3.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 Tyn825 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 50 Ma 800 V 25 A 1.3 V 300a, 314a 40 Ma 1.6 V 16 A 5 µA Recuperación
STW14NK50Z STMicroelectronics Stw14nk50z 4.4700
RFQ
 ECAD 234 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw14 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 100 µA 92 NC @ 10 V ± 30V 2000 pf @ 25 V - 150W (TC)
STF140N8F7 STMicroelectronics STF140N8F7 -
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 Stmicroelectónica Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF14 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-14227-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 64a (TC) 10V 4.3mohm @ 32a, 10v 4.5V @ 250 µA 96 NC @ 10 V ± 20V 6340 pf @ 40 V - 35W (TC)
STTH20R04D STMicroelectronics STTH20R04D 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 STTH20 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.7 V @ 20 A 45 ns 20 µA @ 400 V 175 ° C (Máximo) 20A -
STW28NM50N STMicroelectronics Stw28nm50n 8.0100
RFQ
 ECAD 579 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw28 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10718-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 21a (TC) 10V 158mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1735 pf @ 25 V - 150W (TC)
STTA6006TV1 STMicroelectronics STTA6006TV1 -
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 Stmicroelectónica TurboSwitch ™ Tubo Obsoleto Monte del Chasis Isotop Stta600 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 30A 1.75 v @ 30 a 65 ns 150 µA @ 480 V 150 ° C (Máximo)
STP13NM50N STMicroelectronics Stp13nm50n -
RFQ
 ECAD 8350 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp13n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 25V 960 pf @ 50 V - 100W (TC)
STPS10LCD100CFP STMicroelectronics STPS10LCD100CFP -
RFQ
 ECAD 3631 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stps10 Schottky - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 5A 840 MV @ 5 A 1.5 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo)
STD840DN40 STMicroelectronics STD840DN40 -
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Std840 3W 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V 4A 250 µA 2 NPN (dual) 1V @ 400MA, 2A 8 @ 2a, 5v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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