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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
L604C STMicroelectronics L604C -
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -25 ° C ~ 150 ° C (TJ) - L604 1.8w descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 90V 400mA - 8 NPN Darlington 2V @ 500 µA, 300 mA - -
STGW60H60DLFB STMicroelectronics Stgw60h60dlfb 6.2800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW60 Estándar 375 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60a, 5ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 240 A 2V @ 15V, 60A 626 µJ (apaguado) 306 NC -/160ns
STD13N60M2 STMicroelectronics Std13n60m2 2.0800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std13 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 580 pf @ 100 V - 110W (TC)
STN93003 STMicroelectronics STN93003 0.7100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA STN93003 1.6 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400 V 1.5 A 1mera PNP 500mv @ 100 mm, 500 mA 16 @ 350mA, 5V -
STPS4030CT STMicroelectronics STPS4030CT -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STPS403 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 20A 490 MV @ 20 A 1 ma @ 30 V 150 ° C (Máximo)
STD40NF10 STMicroelectronics Std40nf10 1.7300
RFQ
 ECAD 9017 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std40 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 50A (TC) 10V 28mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 2180 pf @ 25 V - 125W (TC)
STD95N04 STMicroelectronics Std95n04 -
RFQ
 ECAD 9651 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std95 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STW14NK60Z STMicroelectronics Stw14nk60z -
RFQ
 ECAD 8754 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw14n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 13.5A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 100 µA 75 NC @ 10 V ± 30V 2220 pf @ 25 V - 160W (TC)
STF24N65M2 STMicroelectronics STF24N65M2 2.9700
RFQ
 ECAD 271 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF24 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 16a (TC) 10V 230mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1060 pf @ 100 V - 30W (TC)
IRF840 STMicroelectronics IRF840 -
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2731-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 832 pf @ 25 V - 125W (TC)
STP12NM50FD STMicroelectronics Stp12nm50fd -
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 Stmicroelectronics Fdmesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 400mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 160W (TC)
STPS30170CFP STMicroelectronics STPS30170CFP 1.7500
RFQ
 ECAD 148 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STPS30170 Schottky Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4824-5 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 170 V 15A 920 MV @ 15 A 20 µA @ 170 V 175 ° C (Máximo)
STF10N60DM2 STMicroelectronics STF10N60DM2 1.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16959 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 8a (TC) 10V 530mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 529 pf @ 100 V - 25W (TC)
STH110N10F7-2 STMicroelectronics STH110N10F7-2 3.5100
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH110 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 110A (TC) 10V 6.5mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 5117 pf @ 50 V - 150W (TC)
PD84010-E STMicroelectronics PD84010-E -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 40 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD84010 870MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 8A 300 mA 2W 16.3db - 7.5 V
STP4NK50ZFP STMicroelectronics STP4NK50ZFP -
RFQ
 ECAD 3224 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp4n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 3A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.5a, 10v 4.5V @ 50 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 310 pf @ 25 V - 20W (TC)
STTH108A STMicroelectronics STTH108A 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA STTH108 Estándar SMA (DO-214AC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.65 v @ 1 a 75 ns 5 µA @ 800 V 175 ° C (Máximo) 1A -
STL8N65M5 STMicroelectronics Stl8n65m5 -
RFQ
 ECAD 6292 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 14-Powervqfn Stl8 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 1.4a (TA), 7a (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 690 pf @ 100 V - 2.5W (TA), 70W (TC)
PD54003S-E STMicroelectronics PD54003S-E -
RFQ
 ECAD 5972 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 25 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD54003 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 4A 50 Ma 3W 12dB - 7.5 V
BYV54V-200 STMicroelectronics BYV54V-200 -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Monte del Chasis Isotop Byv54v Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 50A 850 MV @ 50 A 60 ns 50 µA @ 200 V
TN4015H-6G STMicroelectronics TN4015H-6G 0.8724
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TN4015 D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 60 Ma 600 V 40 A 1.3 V 394a, 360a 15 Ma 1.6 V 25 A 10 µA Recuperación
ACS402-5SB4 STMicroelectronics ACS402-5SB4 -
RFQ
 ECAD 6297 0.00000000 Stmicroelectronics Asd ™ Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 20-dip (0.300 ", 7.62 mm) ACS402 20 DIPP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Formación 60 Ma Lógica - Puerta sensible 500 V 200 MA 1 V 5a, 5.5a 10 Ma
STP15NK50Z STMicroelectronics STP15NK50Z 2.9400
RFQ
 ECAD 6097 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP15 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 340mohm @ 7a, 10v 4.5V @ 100 µA 106 NC @ 10 V ± 30V 2260 pf @ 25 V - 160W (TC)
STP180N10F3 STMicroelectronics STP180N10F3 4.9400
RFQ
 ECAD 920 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP180 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 5.1mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 114.6 NC @ 10 V ± 20V 6665 pf @ 25 V - 315W (TC)
STTH10002TV2 STMicroelectronics STTH10002TV2 24.1300
RFQ
 ECAD 2715 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo Monte del Chasis Isotop STTH10002 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5273-5 EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 50A 1 V @ 50 A 65 ns 50 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo)
STB15N80K5 STMicroelectronics STB15N80K5 5.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB15 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13423-1 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 14a (TC) 10V 375mohm @ 7a, 10v 5V @ 100 µA 32 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 100 V - 190W (TC)
STPS10L40CG-TR STMicroelectronics STPS10L40CG-TR 1.6400
RFQ
 ECAD 1982 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stps10 Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 5A 530 MV @ 5 A 200 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo)
STPS15L60CB-TR STMicroelectronics STPS15L60CB-TR 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STPS15 Schottky Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 7.5a 620 MV @ 7.5 A 200 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo)
STB5N80K5 STMicroelectronics STB5N80K5 2.0600
RFQ
 ECAD 981 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB5N80 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 4A (TC) 10V 1.75ohm @ 2a, 10v 5V @ 100 µA 5 NC @ 10 V ± 30V 177 pf @ 100 V - 60W (TC)
STB20N60M2-EP STMicroelectronics STB20N60M2-EP -
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB20 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 13a (TC) 10V - 4.75V @ 250 µA 22 NC @ 10 V - - -
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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