SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STD4NK60ZT4 STMicroelectronics Std4nk60zt4 1.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std4nk60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 50 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 70W (TC)
STD25NF10LT4 STMicroelectronics Std25nf10lt4 2.1900
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std25 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 25A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 5 V ± 16V 1710 pf @ 25 V - 100W (TC)
STB30NF20L STMicroelectronics STB30NF20L 3.4800
RFQ
 ECAD 5026 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb30 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 30A (TC) 10V 75mohm @ 15a, 5V 3V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1990 pf @ 25 V - 150W (TC)
STD8NM60N STMicroelectronics Std8nm60n -
RFQ
 ECAD 3333 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std8n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 650mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 25V 560 pf @ 50 V - 70W (TC)
SD4933MR STMicroelectronics Sd4933mr 136.1200
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Activo 200 V M177 SD4933 30MHz Mosfet M177 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 40A 250 Ma 300W 24db - 50 V
STP16NF25 STMicroelectronics STP16NF25 -
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp16n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 14a (TC) 10V 235mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 100W (TC)
STD3LN80K5 STMicroelectronics Std3ln80k5 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std3ln80 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 2a (TC) 10V 3.25ohm @ 1a, 10v 5V @ 100 µA 2.63 NC @ 10 V ± 30V 102 pf @ 100 V - 45W (TC)
PD57030S STMicroelectronics PD57030S -
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57030 945MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 4A 50 Ma 30W 14dB - 28 V
STWA68N60M6 STMicroelectronics Stwa68n60m6 11.4800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa68 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 63A (TC) 10V 41mohm @ 31.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 106 NC @ 10 V ± 25V 4360 pf @ 100 V - 390W (TC)
STP170N8F7 STMicroelectronics STP170N8F7 3.3500
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f7 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP170 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 120a (TC) 10V 3.9mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 8710 pf @ 40 V - 250W (TC)
TN1605H-6T STMicroelectronics TN1605H-6T 1.1200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 TN1605 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17322 EAR99 8541.30.0080 50 20 Ma 600 V 16 A 1.3 V 140a, 153a 6 MA 1.6 V 10 A 5 µA Recuperación
STV160NF03LAT4 STMicroelectronics STV160NF03LAT4 -
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta STV160 Mosfet (Óxido de metal) 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 30 V 160A (TC) 5V, 10V 3mohm @ 80a, 10v 1V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 15V 5350 pf @ 25 V - 210W (TC)
STW52NK25Z STMicroelectronics Stw52nk25z 7.2500
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw52 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4428-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 52a (TC) 10V 45mohm @ 26a, 10v 4.5V @ 150 µA 160 NC @ 10 V ± 30V 4850 pf @ 25 V - 300W (TC)
STH310N10F7-2 STMicroelectronics STH310N10F7-2 6.0400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH310 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 2.5mohm @ 60a, 10V 3.8V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 12800 pf @ 25 V - 315W (TC)
2N720A STMicroelectronics 2N720A -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N72 500 MW Un 18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 80 V 500 mA 10NA (ICBO) NPN 5V @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 10V -
STW30NM60N STMicroelectronics Stw30nm60n -
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw30n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 130mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 50 V - 190W (TC)
1N5822 STMicroelectronics 1N5822 0.4500
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5822 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 525 MV @ 3 A 2 Ma @ 40 V 150 ° C (Máximo) 3A -
STP270N04 STMicroelectronics STP270N04 -
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP270 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-5270-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 25 V - 330W (TC)
STP55NF06 STMicroelectronics STP55NF06 1.6200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 18mohm @ 27.5a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 110W (TC)
STL60N10F7 STMicroelectronics Stl60n10f7 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl60 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 46a (TC) 10V 18mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V 20V 1640 pf @ 50 V - 5W (TA), 72W (TC)
STP9NK90Z STMicroelectronics STP9NK90Z 4.0900
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP9NK90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 8a (TC) 10V 1.3ohm @ 3.6a, 10v 4.5V @ 100 µA 72 NC @ 10 V ± 30V 2115 pf @ 25 V - 160W (TC)
STF9NK60ZD STMicroelectronics STF9NK60ZD -
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Stmicroelectronics Superfredmesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF9 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4346-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 950mohm @ 3.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1110 pf @ 25 V - 30W (TC)
STD100NH03LT4 STMicroelectronics Std100nh03lt4 -
RFQ
 ECAD 5844 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std10 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 60A (TC) 5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 77 NC @ 10 V ± 20V 4100 pf @ 15 V - 100W (TC)
STI21N65M5 STMicroelectronics STI21N65M5 2.2448
RFQ
 ECAD 5840 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI21 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 17a (TC) 10V 179mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1950 pf @ 100 V - 125W (TC)
STD5NK52ZD STMicroelectronics Std5nk52zd -
RFQ
 ECAD 6217 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 520 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 16.9 NC @ 10 V ± 30V 529 pf @ 25 V - 70W (TC)
STTH112UFY STMicroelectronics Stth112ufy 0.7700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AA, placas SMB Platos STTH112 Estándar Smbflat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.9 v @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 1A -
BUR51 STMicroelectronics Bur51 -
RFQ
 ECAD 9369 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis TO-204AA, TO-3 Bur51 350 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 200 V 60 A 1mera NPN 1.5V @ 5a, 50a 20 @ 5a, 4V 16MHz
2STA1837 STMicroelectronics 2STA1837 -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2sta 20 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10864-5 EAR99 8541.29.0075 50 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
T825T-6I STMicroelectronics T825T-6I 0.9417
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T825 Un 220b aislado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 30 Ma Estándar 600 V 8 A 1.3 V 60a, 63a 25 Ma
T410-400T STMicroelectronics T410-400T -
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T410 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 400 V 4 A 1.3 V 30a, 31a 10 Ma
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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