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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - PrueBa
STD12NF06-1 STMicroelectronics STD12NF06-1 -
RFQ
 ECAD 7970 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std12 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 12a (TC) 10V 100mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 25 V - 30W (TC)
STH140N6F7-2 STMicroelectronics STH140N6F7-2 -
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH140 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 3mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 158W (TC)
STL16N65M5 STMicroelectronics Stl16n65m5 4.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl16 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 299mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 25V 1250 pf @ 100 V - 3W (TA), 90W (TC)
STL15DN4F5 STMicroelectronics Stl15dn4f5 2.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl15 Mosfet (Óxido de metal) 60W Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 60A 9mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 25nc @ 10V 1550pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
STF6N65K3 STMicroelectronics STF6N65K3 2.4400
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12424 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 5.4a (TC) 10V 1.3ohm @ 2.8a, 10v 4.5V @ 50 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 880 pf @ 50 V - 30W (TC)
T1635-800G-TR STMicroelectronics T1635-800G-TR 2.6800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T1635 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 35 Ma Alternista - Snubberless 800 V 16 A 1.3 V 160a, 168a 35 Ma
STD1NK60T4 STMicroelectronics Std1nk60t4 1.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std1 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 1A (TC) 10V 8.5ohm @ 500 mA, 10V 3.7V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 156 pf @ 25 V - 30W (TC)
IRF630FP STMicroelectronics IRF630FP -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Stmicroelectronics Mesh Overlay ™ II Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IRF6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 30W (TC)
STB130N6F7 STMicroelectronics STB130N6F7 2.2100
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB130 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 25 V - 160W (TC)
STF11NM50N STMicroelectronics STF11NM50N 2.9700
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8.5A (TC) 10V 470mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 25V 547 pf @ 50 V - 25W (TC)
STFW45N65M5 STMicroelectronics STFW45N65M5 6.5078
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO STFW45 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 35A (TC) 10V 78mohm @ 17.5a, 10v 5V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 25V 3470 pf @ 100 V - 57W (TC)
STB80NF03L-04-1 STMicroelectronics STB80NF03L-04-1 -
RFQ
 ECAD 4450 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -60 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stb80n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 40a, 10v 1V @ 250 µA 110 NC @ 4.5 V ± 20V 5500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFP450 STMicroelectronics IRFP450 -
RFQ
 ECAD 8508 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2735-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 30V 2000 pf @ 25 V - 190W (TC)
STE53NC50 STMicroelectronics Ste53nc50 43.4200
RFQ
 ECAD 328 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste53 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 500 V 53A (TC) 10V 80mohm @ 27a, 10v 4V @ 250 µA 434 NC @ 10 V ± 30V 11200 pf @ 25 V - 460W (TC)
STI30NM60N STMicroelectronics Sti30nm60n -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI30N Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 130mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 50 V - 190W (TC)
STP13N65M2 STMicroelectronics STP13N65M2 2.1500
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP13 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15555-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 10a (TC) 10V 430mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 100 V - 110W (TC)
STD5NM60T4 STMicroelectronics Std5nm60t4 2.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5nm60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 5A (TC) 10V 1ohm @ 2.5a, 10v 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 400 pf @ 25 V - 96W (TC)
STU2NK100Z STMicroelectronics Stu2nk100z 3.3600
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu2nk100 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 1000 V 1.85a (TC) 10V 8.5ohm @ 900 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 499 pf @ 25 V - 70W (TC)
STI14NM50N STMicroelectronics Sti14nm50n 3.0500
RFQ
 ECAD 757 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti14n Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10v 4V @ 100 µA 27 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 50 V - 90W (TC)
STD12N50M2 STMicroelectronics Std12n50m2 1.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std12 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 10a (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 100 V - 85W (TC)
STPS1230SF STMicroelectronics STPS1230SF 0.8200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN STPS1230 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 360 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 12A -
STP80NF55-06FP STMicroelectronics STP80NF55-06FP -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp80n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 60A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 189 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 45W (TC)
STB45N65M5 STMicroelectronics STB45N65M5 8.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB45 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 35A (TC) 10V 78mohm @ 19.5a, 10v 5V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 25V 3375 pf @ 100 V - 210W (TC)
STY145N65M5 STMicroelectronics Sty145n65m5 45.2700
RFQ
 ECAD 474 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sty145 Mosfet (Óxido de metal) Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13638-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 138a (TC) 10V 15mohm @ 69a, 10v 5V @ 250 µA 414 NC @ 10 V ± 25V 18500 pf @ 100 V - 625W (TC)
STD1NK80Z-1 STMicroelectronics STD1NK80Z-1 -
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std1nk80 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 800 V 1A (TC) 10V 16ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 7.7 NC @ 10 V ± 30V 160 pf @ 25 V - 45W (TC)
STW20NM50 STMicroelectronics Stw20nm50 -
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw20n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 550 V 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 1480 pf @ 25 V - 214W (TC)
STS12NF30L STMicroelectronics Sts12nf30l -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) STS12 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 6a, 10v 1V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 16V 2400 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
PD85025S-E STMicroelectronics PD85025S-E -
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD85025 870MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 7A 300 mA 10W 17.3db - 13.6 V
STF12NM50ND STMicroelectronics Stf12nm50nd -
RFQ
 ECAD 9454 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 25V 850 pf @ 50 V - 25W (TC)
STW22N95K5 STMicroelectronics Stw22n95k5 7.8400
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw22 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 950 V 17.5a (TC) 10V 330mohm @ 9a, 10v 5V @ 100 µA 48 NC @ 10 V ± 30V 1550 pf @ 100 V - 250W (TC)
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