SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STL52DN4LF7AG STMicroelectronics Stl52dn4lf7ag 0.6165
RFQ
 ECAD 3141 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl52 Mosfet (Óxido de metal) 65W (TC) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 18a (TC) 16mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 9.4nc @ 10V 500pf @ 25V -
STU65N3LLH5 STMicroelectronics Stu65n3llh5 1.0700
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu65n Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 65a (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 32.5a, 10v 3V @ 250 µA 8 NC @ 4.5 V ± 22V 1290 pf @ 25 V - 50W (TC)
STF11N65K3 STMicroelectronics STF11N65K3 -
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 850mohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 100 µA 42 NC @ 10 V ± 30V 1180 pf @ 50 V - 35W (TC)
STF8N60DM2 STMicroelectronics STF8N60DM2 0.7737
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 8a (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 13.5 NC @ 10 V ± 25V 449 pf @ 100 V - 25W (TC)
STS10DN3LH5 STMicroelectronics STS10DN3LH5 1.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts10 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 10A 21mohm @ 5a, 10v 1V @ 250 µA 4.6nc @ 5V 475pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
STW43NM50N STMicroelectronics Stw43nm50n -
RFQ
 ECAD 4675 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw43n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 37a (TC) 10V 85mohm @ 18.5a, 10v 4V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 25V 4200 pf @ 50 V - 255W (TC)
STP5N95K3 STMicroelectronics STP5N95K3 -
RFQ
 ECAD 6088 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp5n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 950 V 4A (TC) 10V 3.5ohm @ 2a, 10v 5V @ 100 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 90W (TC)
2STBN15D100T4 STMicroelectronics 2STBN15D100T4 -
RFQ
 ECAD 8396 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 2STBN15 70 W D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 100 V 12 A 100 µA NPN - Darlington 1.3V @ 4MA, 4A 750 @ 3a, 3V -
STTA106U STMicroelectronics Stta106u -
RFQ
 ECAD 1408 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB STTA106 Estándar SMB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.75 v @ 1 a 50 ns 10 µA @ 600 V 125 ° C (Máximo) 1A -
STD5NM50AG STMicroelectronics Std5nm50ag 1.9100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5nm50 Mosfet (Óxido de metal) TO-252 (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 7.5a (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 415 pf @ 100 V - 100W (TC)
STPSC10TH13TI STMicroelectronics STPSC10TH13TI 7.9800
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Stpsc10 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220b aislado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) Conexión de la Serie de 1 par 650 V 10A 1.75 v @ 10 a 0 ns 100 µA @ 650 V 150 ° C (Máximo)
T1235H-8G-TR STMicroelectronics T1235H-8G-TR 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics H Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T1235 D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-T1235H-8G-TR EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 35 Ma Alternista - Snubberless 800 V 12 A 1.3 V 120a, 126a 35 Ma
STPS2L30A STMicroelectronics STPS2L30A 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA STPS2L30 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 2 A 200 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 2a -
STPS16150CG STMicroelectronics STPS16150CG -
RFQ
 ECAD 2019 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS16150 Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 8A 920 MV @ 8 A 3 µA @ 150 V 175 ° C (Máximo)
PD57070S-E STMicroelectronics PD57070S-E -
RFQ
 ECAD 6872 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57070 945MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 7A 250 Ma 70W 14.7db - 28 V
STTH10002TV1 STMicroelectronics STTH10002TV1 24.1300
RFQ
 ECAD 355 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo Monte del Chasis Isotop STTH10002 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5272-5 EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 50A 1 V @ 50 A 65 ns 50 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo)
STTH312B STMicroelectronics STTH312B -
RFQ
 ECAD 2952 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STTH312 Estándar Dpak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2 V @ 3 A 115 ns 10 µA @ 1200 V 175 ° C (Máximo) 3A -
STPSC15H12WL STMicroelectronics STPSC15H12WL 9.3300
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tubo Activo A Través del Aguetero DO-247-2 (clientes Potenciales Rectos) STPSC15 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY DO-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17640 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.5 V @ 15 A 0 ns 90 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A 1200pf @ 0V, 1MHz
STGIB10CH60TS-L STMicroelectronics Stgib10ch60ts-l 15.6900
RFQ
 ECAD 2838 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.134 ", 28.80 mm) IGBT Stgib10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16111-5 EAR99 8541.29.0095 13 Inversor de 3 fase 15 A 600 V 1500 VRMS
TN1605H-8G-TR STMicroelectronics TN1605H-8G-TR 1.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TN1605 D²pak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 30 Ma 800 V 16 A 1.3 V 160a, 177a 8 MA 1.55 V 10 A 1 µA Recuperación
Z0103NN5AA4 STMicroelectronics Z0103NN5AA4 0.6600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Z0103 SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 7 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 1 A 1.3 V 8a, 8.5a 3 MA
STW12NK95Z STMicroelectronics Stw12nk95z -
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw12n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5167-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 950 V 10a (TC) 10V 900mohm @ 5a, 10v 4.5V @ 100 µA 113 NC @ 10 V ± 30V 3500 pf @ 25 V - 230W (TC)
STPSC12065GY-TR STMicroelectronics STPSC12065GY-TR 4.4900
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPSC12065 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.45 v @ 12 a 0 ns 50 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 12A 750pf @ 0V, 1 MHz
STT13005-K STMicroelectronics STT13005-K -
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 STT13 45 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400 V 2 A 250 µA NPN 1.5V @ 400mA, 1.6a 10 @ 500mA, 5V -
STU16N65M2 STMicroelectronics Stu16n65m2 2.4400
RFQ
 ECAD 4243 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu16 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 19.5 NC @ 10 V ± 25V 718 pf @ 100 V - 110W (TC)
STGW40V60DF STMicroelectronics Stgw40v60df 4.2900
RFQ
 ECAD 9469 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW40 Estándar 283 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13766-5 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 10ohm, 15V 41 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 160 A 2.3V @ 15V, 40A 456 µJ (Encendido), 411 µJ (apagado) 226 NC 52ns/208ns
STPS20SM60D STMicroelectronics STPS20SM60D 1.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Un 220-2 STPS20 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12305 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 630 MV @ 20 A 85 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo) 20A -
STW35N60DM2 STMicroelectronics Stw35n60dm2 6.7500
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw35 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 100 V - 210W (TC)
FERD30L60CTS STMicroelectronics Ferd30l60cts 1.6700
RFQ
 ECAD 1572 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Ferd30 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17694 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 545 MV @ 15 A 820 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo)
STB7N52K3 STMicroelectronics Stb7n52k3 1.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb7n Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 525 V 6a (TC) 10V 980mohm @ 3.1a, 10V 4.5V @ 50 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 737 pf @ 100 V - 90W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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