SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
STB25NM50N-1 STMicroelectronics STB25NM50N-1 -
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stb25n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 22a (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 25V 2565 pf @ 25 V - 160W (TC)
STB18N60M2 STMicroelectronics STB18N60M2 2.8400
RFQ
 ECAD 424 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB18 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 21.5 NC @ 10 V ± 25V 791 pf @ 100 V - 110W (TC)
STP4N80K5 STMicroelectronics STP4N80K5 1.9600
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP4N80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 100 µA 10.5 NC @ 10 V ± 30V 175 pf @ 100 V - 60W (TC)
STF4NK50ZD STMicroelectronics STF4NK50ZD -
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf4n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5107-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 3A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.5a, 10v 4.5V @ 50 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 310 pf @ 25 V - 20W (TC)
STW31N65M5 STMicroelectronics STW31N65M5 4.9900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw31 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 22a (TC) 10V 148mohm @ 11a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 100 V - 150W (TC)
STI25NM60ND STMicroelectronics Sti25nm60nd -
RFQ
 ECAD 3185 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti25n Mosfet (Óxido de metal) I2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10v 5V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 50 V - 160W (TC)
STB8NM60D STMicroelectronics Stb8nm60d 2.2300
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb8nm60 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5244-2 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 8a (TC) 10V 1ohm @ 2.5a, 10v 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 25 V - 100W (TC)
STU60N55F3 STMicroelectronics Stu60n55f3 -
RFQ
 ECAD 9671 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu60n Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 8.5mohm @ 32a, 10v 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STB28N60DM2 STMicroelectronics STB28N60DM2 3.7900
RFQ
 ECAD 1893 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB28 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10v 5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 25V 1500 pf @ 100 V - 170W (TC)
STGWT30V60DF STMicroelectronics Stgwt30v60df 3.5400
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Stgwt30 Estándar 258 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V 53 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 60 A 120 A 2.3V @ 15V, 30a 383 µJ (Encendido), 233 µJ (apagado) 163 NC 45ns/189ns
STL60NH3LL STMicroelectronics Stl60nh3ll -
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl60 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 8a, 10v 1V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 16V 1810 pf @ 25 V - 60W (TC)
STP4N150 STMicroelectronics STP4N150 6.4600
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP4N150 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5091-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1500 V 4A (TC) 10V 7ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 25 V - 160W (TC)
STL11N6F7 STMicroelectronics Stl11n6f7 -
RFQ
 ECAD 1035 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl11 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 11a (TA) 10V 12mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1035 pf @ 30 V - 2.9W (TA), 48W (TC)
STU8N80K5 STMicroelectronics Stu8n80k5 -
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu8n80 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 800 V 6a (TC) 10V 950mohm @ 3a, 10v 5V @ 100 µA 16.5 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 100 V - 110W (TC)
STF130N10F3 STMicroelectronics STF130N10F3 3.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF13 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 46a (TC) 10V 9.6mohm @ 23a, 10v 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 3305 pf @ 25 V - 35W (TC)
STW33N60DM2 STMicroelectronics Stw33n60dm2 -
RFQ
 ECAD 6950 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw33 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16353-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 24a (TC) 10V 130mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 25V 1870 pf @ 100 V - 190W (TC)
STW29NK50ZD STMicroelectronics Stw29nk50zd -
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw29n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 29a (TC) 10V 130mohm @ 14.5a, 10v 4.5V @ 150 µA 200 NC @ 10 V ± 30V 6450 pf @ 25 V - 350W (TC)
STPS1L40MF STMicroelectronics STPS1L40MF -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-222AA Stps1 Schottky Stmite plano descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 35 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A -
STL210N4F7AG STMicroelectronics Stl210n4f7ag 2.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl210 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 1.6mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 150W (TC)
STP40NS15 STMicroelectronics STP40NS15 -
RFQ
 ECAD 9475 0.00000000 Stmicroelectronics Mesh Overlay ™ Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp40n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 40A (TC) 10V 52mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 25 V - 140W (TC)
STGP20V60DF STMicroelectronics STGP20V60DF 3.0500
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STGP20 Estándar 167 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13761-5 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 15V 40 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 80 A 2.2V @ 15V, 20a 200 µJ (ON), 130 µJ (OFF) 116 NC 38ns/149ns
STGW60V60DF STMicroelectronics Stgw60v60df 5.7500
RFQ
 ECAD 9454 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW60 Estándar 375 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13768-5 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 4.7ohm, 15V 74 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 240 A 2.3V @ 15V, 60A 750 µJ (Encendido), 550 µJ (apaguado) 334 NC 60ns/208ns
STB33N60DM2 STMicroelectronics STB33N60DM2 5.0300
RFQ
 ECAD 4037 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB33 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 24a (TC) 10V 130mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 25V 1870 pf @ 100 V - 190W (TC)
STB16N90K5 STMicroelectronics STB16N90K5 6.9100
RFQ
 ECAD 9725 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB16 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-19055-2 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 15A (TC) 10V 330mohm @ 7.5a, 10v 5V @ 100 µA 29.7 NC @ 10 V ± 30V 1027 pf @ 100 V - 190W (TC)
STL36N60M6 STMicroelectronics Stl36n60m6 8.8200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl36 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-19062-2 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 110mohm @ 12.5a, 10v 4.75V @ 250 µA 44.3 NC @ 10 V ± 25V 1960 pf @ 100 V - 160W (TC)
STP60NF06L STMicroelectronics STP60NF06L 2.1500
RFQ
 ECAD 801 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 60A (TC) 10V, 5V 14mohm @ 30a, 10v 1V @ 250 µA 66 NC @ 4.5 V ± 15V 2000 pf @ 25 V - 110W (TC)
STF12N50DM2 STMicroelectronics STF12N50DM2 2.1500
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11a (TC) 10V 350mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 628 pf @ 100 V - 25W (TC)
STD1NK60-1 STMicroelectronics STD1NK60-1 1.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std1 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 1A (TC) 10V 8.5ohm @ 500 mA, 10V 3.7V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 156 pf @ 25 V - 30W (TC)
STP4NK50ZD STMicroelectronics Stp4nk50zd -
RFQ
 ECAD 7564 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp4n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 3A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.5a, 10v 4.5V @ 50 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 310 pf @ 25 V - 45W (TC)
A1P25S12M3 STMicroelectronics A1P25S12M3 43.7111
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo A1P25 197 W Estándar ACEPACK ™ 1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17738 EAR99 8541.29.0095 36 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 25 A 2.45V @ 15V, 25A 100 µA Si 1.55 NF @ 25 V
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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