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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STL36N60M6 STMicroelectronics Stl36n60m6 8.8200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl36 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-19062-2 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 110mohm @ 12.5a, 10v 4.75V @ 250 µA 44.3 NC @ 10 V ± 25V 1960 pf @ 100 V - 160W (TC)
A1P25S12M3 STMicroelectronics A1P25S12M3 43.7111
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo A1P25 197 W Estándar ACEPACK ™ 1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17738 EAR99 8541.29.0095 36 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 25 A 2.45V @ 15V, 25A 100 µA Si 1.55 NF @ 25 V
STPS80L30CY STMicroelectronics Stps80l30cy -
RFQ
 ECAD 8764 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 STPS80 Schottky Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 40A 480 MV @ 40 A 4 Ma @ 30 V 150 ° C (Máximo)
STTH2R02UY STMicroelectronics Stth2r02uy 0.1528
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 Stmicroelectronics Q Automotriz Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB STTH2 Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 2 a 30 ns 3 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo) 2a -
STFI15N95K5 STMicroelectronics STFI15N95K5 3.3000
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi15n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 950 V 7.5a (TA) 10V 500mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 100 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 855 pf @ 10 V - 30W
STP9N80K5 STMicroelectronics STP9N80K5 1.4205
RFQ
 ECAD 7504 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP9N80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 7a (TC) 10V 900mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 100 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 340 pf @ 100 V - 110W (TC)
STGWT80V60DF STMicroelectronics Stgwt80v60df 5.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Stgwt80 Estándar 469 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80a, 5ohm, 15V 60 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 120 A 240 A 2.3V @ 15V, 80a 1.8mj (Encendido), 1MJ (Apaguado) 448 NC 60ns/220ns
STB30NM60N STMicroelectronics Stb30nm60n -
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb30n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 130mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 50 V - 190W (TC)
STGB3HF60HD STMicroelectronics STGB3HF60HD -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb3 Estándar 38 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 1.5A, 100OHM, 15V 85 ns - 600 V 7.5 A 18 A 2.95V @ 15V, 1.5a 19 µJ (Encendido), 12 µJ (apaguado) 12 NC 11ns/60ns
ACST2-8SB STMicroelectronics ACST2-8SB -
RFQ
 ECAD 5585 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ACST2 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 75 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 2 A 1.1 V 8a, 8.4a 10 Ma
STS14N3LLH5 STMicroelectronics Sts14n3llh5 1.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) STS14 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 14a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 7a, 10v 1V @ 250 µA 12 NC @ 4.5 V ± 22V 1500 pf @ 25 V - 2.7W (TC)
STPS20H100CR STMicroelectronics STPS20H100CR 2.9700
RFQ
 ECAD 714 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STPS20 Schottky I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 770 MV @ 10 A 4.5 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo)
STPS5H100SF STMicroelectronics STPS5H100SF 0.7100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Stps5 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 8 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo) 5A -
STD20NF06T4 STMicroelectronics Std20nf06t4 1.2900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STD20 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 24a (TC) 10V 40mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 690 pf @ 25 V - 60W (TC)
STP20NM50FP STMicroelectronics STP20NM50FP -
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STP20N Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 1480 pf @ 25 V - 45W (TC)
T1250H-6G STMicroelectronics T1250H-6G 1.3100
RFQ
 ECAD 726 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T1250 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 75 Ma Alternista - Snubberless 600 V 12 A 1 V 120a, 126a 50 Ma
STPS10M80CFP STMicroelectronics STPS10M80CFP -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stps10 Schottky Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 5A 705 MV @ 5 A 20 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
BTB16-800BWRG STMicroelectronics Btb16-800bwrg 2.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTB16 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 50 Ma Alternista - Snubberless 800 V 16 A 1.3 V 160a, 168a 50 Ma
STD11N60DM2 STMicroelectronics Std11n60dm2 1.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std11 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16925-2 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 10a (TC) 10V 420mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 16.5 NC @ 10 V ± 25V 614 pf @ 100 V - 110W (TC)
STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Stq1hnk60 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 400 mA (TC) 10V 8.5ohm @ 500 mA, 10V 3.7V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 156 pf @ 25 V - 3W (TC)
RF2L36040CF2 STMicroelectronics RF2L36040CF2 63.5250
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo 60 V Montaje en superficie 2L-FLG RF2L36040 2.7GHz ~ 3.6GHz Ldmos A2 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-RF2L36040CF2 160 - 1 µA 40W 14dB -
STF10NM50N STMicroelectronics STF10NM50N 2.3000
RFQ
 ECAD 792 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf10n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 7a (TC) 10V 630mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 450 pf @ 50 V - 25W (TC)
STL8P2UH7 STMicroelectronics Stl8p2uh7 -
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-PowerWDFN Stl8 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 8a (TC) 1.5V, 4.5V 22.5mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 22 NC @ 4.5 V ± 8V 2390 pf @ 16 V - 2.4W (TC)
STPS30170CG-TR STMicroelectronics STPS30170CG-TR 0.8636
RFQ
 ECAD 5736 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS30170 Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 170 V 15A 920 MV @ 15 A 20 µA @ 170 V 175 ° C (Máximo)
T830-800W STMicroelectronics T830-800W -
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero ISOWATT220AB-3 T830 ISOWATT220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 50 Ma Alternista - Snubberless 800 V 8 A 1.3 V 100a, 105a 30 Ma
Z0109MA 2AL2 STMicroelectronics Z0109MA 2Al2 0.6600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta de Corte (CT) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Z0109 Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 1 A 1.3 V 8a, 8.5a 10 Ma
BD681 STMicroelectronics BD681 1.0200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD681 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 4 A 500 µA NPN - Darlington 2.5V @ 30mA, 1.5a 750 @ 1.5a, 3V -
ST9045C STMicroelectronics ST9045C 72.5130
RFQ
 ECAD 8191 0.00000000 Stmicroelectronics - Caja Activo 100 V Monte del Chasis M243 ST9045 1.5 GHz Ldmos M243 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 9A 63W 18.5dB -
STPST2H100AFY STMicroelectronics STPST2H100AFY 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Stpst2 Schottky Sod128flat - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 805 MV @ 2 A 2.7 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 2a -
STF15NM60ND STMicroelectronics Stf15nm60nd -
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF15 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 14a (TC) 10V 299mohm @ 7a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 25V 1250 pf @ 50 V - 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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