SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STU6NF10 STMicroelectronics Stu6nf10 -
RFQ
 ECAD 5632 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu6nf10 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 6a (TC) 10V 250mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 25 V - 30W (TC)
STB50NF25 STMicroelectronics STB50NF25 -
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb50n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 45a (TC) 10V 69mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 68.2 NC @ 10 V ± 20V 2670 pf @ 25 V - 160W (TC)
STPS140A STMicroelectronics STPS140A 0.4200
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA STPS140 Schottky SMA (DO-214AC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 12 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A -
STTH20L03CG-TR STMicroelectronics STTH20L03CG-TR -
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH2 Estándar D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 1.2 v @ 10 a 26 ns 10 µA @ 300 V -40 ° C ~ 175 ° C
STB23N80K5 STMicroelectronics STB23N80K5 5.2600
RFQ
 ECAD 564 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB23 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 16a (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10v 5V @ 100 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 100 V - 190W (TC)
STP5NK80Z STMicroelectronics STP5NK80Z 2.3000
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP5NK80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 4.3a (TC) 10V 2.4ohm @ 2.15a, 10V 4.5V @ 100 µA 45.5 NC @ 10 V ± 30V 910 pf @ 25 V - 110W (TC)
STP180N4F6 STMicroelectronics STP180N4F6 2.1300
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f6 Tubo Activo - A Través del Aguetero Un 220-3 STP180 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 120a (TC) 4.5V, 10V - - ± 20V - 190W (TC)
STP80PF55 STMicroelectronics STP80PF55 -
RFQ
 ECAD 2782 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp80p Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 80a (TC) 10V 18mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 258 NC @ 10 V ± 16V 5500 pf @ 25 V - 300W (TC)
STB120N4LF6 STMicroelectronics STB120N4LF6 2.9100
RFQ
 ECAD 602 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB120 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 5V, 10V 4mohm @ 40a, 10v 3V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 25 V - 110W (TC)
STF35N60DM2 STMicroelectronics STF35N60DM2 6.0300
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF35 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16358-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 100 V - 40W (TC)
STD2NK100Z STMicroelectronics Std2nk100z 2.5700
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std2nk100 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 1000 V 1.85a (TC) 10V 8.5ohm @ 900 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 499 pf @ 25 V - 70W (TC)
PD85025-E STMicroelectronics PD85025-E -
RFQ
 ECAD 7038 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 40 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD85025 870MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 7A 300 mA 10W 17.3db - 13.6 V
BYT30PI-1000RG STMicroelectronics Byt30pi-1000rg -
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Dop3i-2 aislado (cables rectos) Byt30 Estándar Dop3i descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.9 v @ 30 a 165 ns 100 µA @ 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
STW20N60M2-EP STMicroelectronics STW20N60M2-EP -
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STW20 Mosfet (Óxido de metal) To-247 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 278mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 21.7 NC @ 10 V ± 25V 787 pf @ 100 V - 110W (TC)
STTH112 STMicroelectronics STTH112 -
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial STTH112 Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.9 v @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1200 V 175 ° C (Máximo) 1A -
STPS16170CB STMicroelectronics STPS16170CB -
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STPS16170 Schottky Dpak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 170 V 8A 920 MV @ 8 A 15 µA @ 170 V 175 ° C (Máximo)
STF6NK70Z STMicroelectronics STF6NK70Z -
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf6n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 700 V 5A (TC) 10V 1.8ohm @ 2.5a, 10v 4.5V @ 100 µA 47 NC @ 10 V ± 30V 930 pf @ 25 V - 30W (TC)
STP80NF55L-06 STMicroelectronics STP80NF55L-06 -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 80a (TC) 5V, 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 1V @ 250 µA 136 NC @ 5 V ± 16V 4850 pf @ 25 V - 300W (TC)
STB120N4F6 STMicroelectronics STB120N4F6 2.4700
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB120 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 4mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 3850 pf @ 25 V - 110W (TC)
PD57060STR-E STMicroelectronics PD57060Str-E -
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57060 945MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 7A 100 mA 60W 14.3db - 28 V
STL18N55M5 STMicroelectronics Stl18n55m5 5.4900
RFQ
 ECAD 869 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl18 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 550 V 2.4a (TA), 13a (TC) 10V 270mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 25V 1352 pf @ 100 V - 3W (TA), 90W (TC)
STPS0530Z STMicroelectronics STPS0530Z 0.4900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 STPS0530 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 430 MV @ 500 Ma 130 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 500mA -
BUL49DFP STMicroelectronics Bul49dfp -
RFQ
 ECAD 1458 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Bul49 34 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 450 V 5 A 100 µA NPN 1.2V @ 800 Ma, 4a 4 @ 7a, 10v -
STW88N65M5 STMicroelectronics Stw88n65m5 18.0400
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw88 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12116 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 84a (TC) 10V 29mohm @ 42a, 10v 5V @ 250 µA 204 NC @ 10 V ± 25V 8825 pf @ 100 V - 450W (TC)
STD3LN62K3 STMicroelectronics Std3ln62k3 -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std3ln62 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 620 V 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.25a, 10V 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 386 pf @ 50 V - 45W (TC)
STPSC5H12D STMicroelectronics STPSC5H12D 4.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Stpsc5 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17167 EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.5 V @ 5 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 5A 450pf @ 0V, 1 MHz
PD85015S-E STMicroelectronics PD85015S-E -
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD85015 870MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 5A 150 Ma 15W 16dB - 13.6 V
STGB19NC60WT4 STMicroelectronics STGB19NC60WT4 4.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STGB19 Estándar 130 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 40 A 2.5V @ 15V, 12A 81 µJ (Encendido), 125 µJ (apaguado) 53 NC 25ns/90ns
STD86N3LH5 STMicroelectronics Std86n3lh5 1.4600
RFQ
 ECAD 9232 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std86 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 80a (TC) 5V, 10V 5mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 5 V ± 20V 1850 pf @ 25 V - 70W (TC)
Z0409NF 1AA2 STMicroelectronics Z0409NF 1AA2 -
RFQ
 ECAD 1699 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-202 PESTARA DE SIN Z0409 A-202-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 250 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 4 A 1.3 V 20a, 21a 10 Ma
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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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