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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - PrueBa
STIPN1M50T-H STMicroelectronics Stipn1m50t-h 7.3200
RFQ
 ECAD 467 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (0.846 ", 21.48 mm) Mosfet Stipn1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 17 Inversor de 3 fase 1 A 500 V 1000 VRMS
STU11N65M2 STMicroelectronics Stu11n65m2 1.7400
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu11 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 670mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 12.5 NC @ 10 V ± 25V 410 pf @ 100 V - 85W (TC)
STPS40M100CR STMicroelectronics STPS40M100CR 2.6300
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STPS40 Schottky I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 780 MV @ 20 A 70 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo)
STB45N30M5 STMicroelectronics STB45N30M5 6.9800
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB45 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 300 V 53A (TC) 10V 40mohm @ 26.5a, 10v 5V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 25V 4240 pf @ 100 V - 250W (TC)
STB9NK80Z STMicroelectronics STB9NK80Z 2.4000
RFQ
 ECAD 5734 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB9 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 5.2a (TC) 10V 1.8ohm @ 2.6a, 10v 4.5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1138 pf @ 25 V - 125W (TC)
STPS30H60CG STMicroelectronics Stps30h60cg -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS30H60 Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 660 MV @ 15 A 60 µA @ 60 V 175 ° C (Máximo)
STP50NE08 STMicroelectronics STP50NE08 -
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP50N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2787-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 50A (TC) 10V 24mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 150W (TC)
STB200NF04L STMicroelectronics STB200NF04L -
RFQ
 ECAD 7216 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb200n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 5V, 10V 3.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 90 NC @ 4.5 V ± 16V 6400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STU90N4F3 STMicroelectronics Stu90n4f3 -
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu90 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STPS10L45CT STMicroelectronics STPS10L45CT -
RFQ
 ECAD 1125 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Stps10 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 5A 530 MV @ 5 A 150 µA @ 45 V 150 ° C (Máximo)
STH320N4F6-6 STMicroelectronics STH320N4F6-6 2.7377
RFQ
 ECAD 3981 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH320 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 200a (TC) 10V 1.3mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 13800 pf @ 15 V - 300W (TC)
SD2933-03 STMicroelectronics SD2933-03 -
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 125 V M177 SD2933 30MHz Mosfet M177 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 40A 250 Ma 300W 23.5dB - 50 V
P0115DA 1AA3 STMicroelectronics P0115DA 1AA3 -
RFQ
 ECAD 5244 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) P0115 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 5 Ma 400 V 800 Ma 800 MV 7a, 8a 50 µA 1.95 V 500 mA 10 µA Puerta sensible
STPS30H60CFP STMicroelectronics STPS30H60CFP 1.6000
RFQ
 ECAD 918 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stps30 Schottky Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 660 MV @ 15 A 60 µA @ 60 V 175 ° C (Máximo)
LET9180 STMicroelectronics LET9180 -
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 80 V M246 LET9180 860MHz Ldmos M246 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 24A 500 mA 175W 20dB - 32 V
STW55NM60ND STMicroelectronics Stw55nm60nd -
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw55n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-7036-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 51a (TC) 10V 60mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 250 µA 190 NC @ 10 V ± 25V 5800 pf @ 50 V - 350W (TC)
STI45N10F7 STMicroelectronics Sti45n10f7 2.3900
RFQ
 ECAD 630 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti45n Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 45a (TC) 10V 18mohm @ 22.5a, 10v 4.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 50 V - 60W (TC)
STB11NM60FDT4 STMicroelectronics Stb11nm60fdt4 -
RFQ
 ECAD 9160 0.00000000 Stmicroelectronics Fdmesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb11 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 900 pf @ 25 V - 160W (TC)
STB100N10F7 STMicroelectronics STB100N10F7 2.8500
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB100 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 4369 pf @ 50 V - 150W (TC)
BTB12-600TWRG STMicroelectronics Btb12-600twrg 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTB12 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 12 A 1.3 V 120a, 126a 5 Ma
STW13N60M2 STMicroelectronics STW13N60M2 -
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw13n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 580 pf @ 100 V - 110W (TC)
STW56N65DM2 STMicroelectronics Stw56n65dm2 11.7000
RFQ
 ECAD 375 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw56 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 48a (TC) 10V 65mohm @ 24a, 10v 5V @ 250 µA 88 NC @ 10 V ± 25V 4100 pf @ 100 V - 360W (TC)
STU6N60M2 STMicroelectronics Stu6n60m2 1.4500
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu6n60 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250 µA 13.5 NC @ 10 V ± 25V 232 pf @ 100 V - 60W (TC)
STD2N62K3 STMicroelectronics Std2n62k3 1.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std2n62 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 620 V 2.2a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 50 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 340 pf @ 50 V - 45W (TC)
Z0107NA 5AL2 STMicroelectronics Z0107NA 5Al2 0.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Z0107 Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 1 A 1.3 V 8a, 8.5a 5 Ma
BYW29-200 STMicroelectronics BYW29-200 -
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 BYW29 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo) 8A -
Z0402MF 1AA2 STMicroelectronics Z0402MF 1AA2 -
RFQ
 ECAD 3846 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-202 PESTARA DE SIN Z0402 A-202-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 250 Soltero 3 MA Lógica - Puerta sensible 600 V 4 A 1.3 V 20a, 21a 3 MA
T2050H-6G-TR STMicroelectronics T2050H-6G-TR 1.6300
RFQ
 ECAD 908 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T2050 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 75 Ma Alternista - Snubberless 600 V 20 A 1 V 200a, 210a 50 Ma
STB80NF55-06-1 STMicroelectronics STB80NF55-06-1 -
RFQ
 ECAD 9827 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STB80 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 189 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STD8NM60ND STMicroelectronics Std8nm60nd -
RFQ
 ECAD 7040 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std8n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 700mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 560 pf @ 50 V - 70W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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