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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
2N720A STMicroelectronics 2N720A -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N72 500 MW Un 18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 80 V 500 mA 10NA (ICBO) NPN 5V @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 10V -
STW68N60M6 STMicroelectronics Stw68n60m6 11.2100
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw68 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17554 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 63A (TC) 0V, 10V 41mohm @ 31.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 106 NC @ 10 V ± 25V 4360 pf @ 100 V - 390W (TC)
STW30NM60N STMicroelectronics Stw30nm60n -
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw30n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 130mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 50 V - 190W (TC)
1N5822 STMicroelectronics 1N5822 0.4500
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5822 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 525 MV @ 3 A 2 Ma @ 40 V 150 ° C (Máximo) 3A -
STP270N04 STMicroelectronics STP270N04 -
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP270 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-5270-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 25 V - 330W (TC)
STP55NF06 STMicroelectronics STP55NF06 1.6200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 18mohm @ 27.5a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 110W (TC)
STL60N10F7 STMicroelectronics Stl60n10f7 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl60 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 46a (TC) 10V 18mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V 20V 1640 pf @ 50 V - 5W (TA), 72W (TC)
STP9NK90Z STMicroelectronics STP9NK90Z 4.0900
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP9NK90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 8a (TC) 10V 1.3ohm @ 3.6a, 10v 4.5V @ 100 µA 72 NC @ 10 V ± 30V 2115 pf @ 25 V - 160W (TC)
STF9NK60ZD STMicroelectronics STF9NK60ZD -
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Stmicroelectronics Superfredmesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF9 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4346-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 950mohm @ 3.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1110 pf @ 25 V - 30W (TC)
STD100NH03LT4 STMicroelectronics Std100nh03lt4 -
RFQ
 ECAD 5844 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std10 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 60A (TC) 5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 77 NC @ 10 V ± 20V 4100 pf @ 15 V - 100W (TC)
STI21N65M5 STMicroelectronics STI21N65M5 2.2448
RFQ
 ECAD 5840 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI21 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 17a (TC) 10V 179mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1950 pf @ 100 V - 125W (TC)
STD5NK52ZD STMicroelectronics Std5nk52zd -
RFQ
 ECAD 6217 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 520 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 16.9 NC @ 10 V ± 30V 529 pf @ 25 V - 70W (TC)
STTH112UFY STMicroelectronics Stth112ufy 0.7700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AA, placas SMB Platos STTH112 Estándar Smbflat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.9 v @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 1A -
BUR51 STMicroelectronics Bur51 -
RFQ
 ECAD 9369 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis TO-204AA, TO-3 Bur51 350 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 200 V 60 A 1mera NPN 1.5V @ 5a, 50a 20 @ 5a, 4V 16MHz
2STA1837 STMicroelectronics 2STA1837 -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2sta 20 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10864-5 EAR99 8541.29.0075 50 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
T825T-6I STMicroelectronics T825T-6I 0.9417
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T825 Un 220b aislado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 30 Ma Estándar 600 V 8 A 1.3 V 60a, 63a 25 Ma
T410-400T STMicroelectronics T410-400T -
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T410 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 400 V 4 A 1.3 V 30a, 31a 10 Ma
STPS20M100SFP STMicroelectronics STPS20M100SFP 2.7200
RFQ
 ECAD 208 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STPS20 Schottky Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 20 A 40 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo) 20A -
STP14NM65N STMicroelectronics Stp14nm65n -
RFQ
 ECAD 2801 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp14n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 25V 1300 pf @ 50 V - 125W (TC)
BD139-16 STMicroelectronics BD139-16 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD139 1.25 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V -
BTB16-600BWRG STMicroelectronics Btb16-600bwrg 1.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTB16 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 50 Ma Alternista - Snubberless 600 V 16 A 1.3 V 160a, 168a 50 Ma
STF20N90K5 STMicroelectronics STF20N90K5 6.7400
RFQ
 ECAD 1633 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 100 V - 40W (TC)
STF7N52K3 STMicroelectronics STF7N52K3 1.7300
RFQ
 ECAD 977 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf7n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 525 V 6a (TC) 10V 850mohm @ 3a, 10v 4.5V @ 50 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 870 pf @ 100 V - 25W (TC)
ACST610-8FP STMicroelectronics ACST610-8FP 1.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics ACS ™/ASD® Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero ACST610 Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 25 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 6 A 1 V 45a, 47a 10 Ma
STF25N80K5 STMicroelectronics STF25N80K5 6.5700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13644-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 19.5a (TC) 10V 260mohm @ 19.5a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 100 V - 40W (TC)
STPS30L120CT STMicroelectronics STPS30L120CT -
RFQ
 ECAD 6097 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Stps30 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 15A 880 MV @ 15 A 200 µA @ 120 V 150 ° C (Máximo)
STW58N60DM2AG STMicroelectronics Stw58n60dm2ag 12.0600
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw58 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16131-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 50A (TC) 10V 60mohm @ 25A, 10V 5V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 25V 4100 pf @ 100 V - 360W (TC)
STD5N62K3 STMicroelectronics Std5n62k3 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5n62 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 620 V 4.2a (TC) 10V 1.6ohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 50 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 680 pf @ 50 V - 70W (TC)
IRF740 STMicroelectronics IRF740 -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ II Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 10a (TC) 10V 550mohm @ 5.3a, 10v 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 125W (TC)
ACST12-7CG-TR STMicroelectronics ACST12-7CG-TR 2.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab ACST12 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 50 Ma Estándar 700 V 12 A 1 V 120a, 126a 35 Ma
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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