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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (AMP)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Figura de ruido	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
TIP112	0.8800	RFQ	7205	Stmicroelectronics	-	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	TIP112			2 W	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																																					100 V	2 A		2mera	NPN - Darlington	2.5V @ 8MA, 2A	1000 @ 1a, 4V	-
Buz10	-	RFQ	2053	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tubo	Obsoleto		175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Buz10		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-2728-5	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						50 V	23a (TC)	10V	70mohm @ 14a, 10v	4V @ 1MA		± 20V	900 pf @ 25 V	-	75W (TC)
Stc6nf30v	-	RFQ	4333	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Stc6nf		Mosfet (Óxido de metal)	1.5w	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)								30V	6A		25mohm @ 3a, 4.5V	600mV @ 250 µA	9NC @ 2.5V		800pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
STF7N65M2	1.6500	RFQ	102	Stmicroelectronics	Mdmesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF7		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						650 V	5A (TC)	10V	1.15ohm @ 2.5a, 10v	4V @ 250 µA	9 NC @ 10 V	± 25V	270 pf @ 100 V	-	20W (TC)
BYW100-200	-	RFQ	6975	Stmicroelectronics	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	Byw100		Estándar		Do-15	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																												200 V	1.2 V @ 4.5 A	35 ns	10 µA @ 200 V	150 ° C (Máximo)	1.5a	-
STW42N60M2-EP	8.7500	RFQ	600	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ M2-EP	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw42		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal						600 V	34a (TC)	10V	87mohm @ 17a, 10v	4.75V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 25V	2370 pf @ 100 V	-	250W (TC)
STB12NM50T4	4.6300	RFQ	8571	Stmicroelectronics	Mdmesh ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stb12n		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						550 V	12a (TC)	10V	350mohm @ 6a, 10v	5V @ 50 µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1000 pf @ 25 V	-	160W (TC)
STF3NK100Z	3.8900	RFQ	6314	Stmicroelectronics	Supermesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF3NK100		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						1000 V	2.5A (TC)	10V	6ohm @ 1.25a, 10V	4.5V @ 50 µA	18 NC @ 10 V	± 30V	601 pf @ 25 V	-	25W (TC)
Stuled623	-	RFQ	4951	Stmicroelectronics	-	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Stuled623		Mosfet (Óxido de metal)		TO-251 (ipak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			N-canal						620 V	3A (TC)	10V	3.6ohm @ 1.1a, 10V	4.5V @ 50 µA	15.5 NC @ 10 V	± 30V	350 pf @ 50 V	-	45W (TC)
TN1625-600G-TR	1.1903	RFQ	6249	Stmicroelectronics	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	TN1625				D²pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1,000					40 Ma															600 V	16 A	1.3 V	190a, 200a	25 Ma	1.6 V	10 A	5 µA	Recuperación
STP2NK60Z	-	RFQ	6122	Stmicroelectronics	Supermesh ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp2n		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-4377-5	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						600 V	1.4a (TC)	10V	8ohm @ 700 mA, 10V	4.5V @ 50 µA	10 NC @ 10 V	± 30V	170 pf @ 25 V	-	45W (TC)
STQ33NK50ZR-AP	-	RFQ	2095	Stmicroelectronics	Supermesh ™	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	STQ3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal						500 V	500 mA (TC)	10V	3.3ohm @ 1.15a, 10V	4.5V @ 50 µA	15 NC @ 10 V	± 30V	280 pf @ 25 V	-	3W (TC)
Stb12nm60n	-	RFQ	2811	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stb12n		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						600 V	10a (TC)	10V	410mohm @ 5a, 10v	4V @ 250 µA	30.5 NC @ 10 V	± 25V	960 pf @ 50 V	-	90W (TC)
Std64n4f6ag	1.1000	RFQ	9105	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std64		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal						40 V	54a (TC)	10V	8.2mohm @ 27a, 10v	4.5V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	2415 pf @ 25 V	-	60W (TC)
Stl50dn6f7	1.6900	RFQ	6270	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl50		Mosfet (Óxido de metal)	62.5w	Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)								60V	57a (TC)		11mohm @ 7.5a, 10v	4V @ 250 µA	17NC @ 10V		1035pf @ 30V	-
STF40N20	-	RFQ	2516	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Stf40n		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-5006-5	EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						200 V	40A (TC)	10V	45mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	75 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 25 V	-	40W (TC)
STFI14N80K5	-	RFQ	7419	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ k5	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-262-3 paquete completo, i²pak	Stfi14n		Mosfet (Óxido de metal)		I2pakfp (un 281)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal						800 V	12a (TC)	10V	445mohm @ 6a, 10v	5V @ 100 µA	22 NC @ 10 V	± 30V	620 pf @ 100 V	-	30W (TC)
STC5NF20V	-	RFQ	6736	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Stc5nf		Mosfet (Óxido de metal)	1.5w	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)								20V	5A		40mohm @ 2.5a, 4.5V	600mV @ 250 µA	11.5nc @ 4.5V		460pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
PD55008TR	-	RFQ	7961	Stmicroelectronics	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	40 V			Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta	PD55008	500MHz	Ldmos		10 pozo	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	600				4A		150 Ma	8W	17dB																					-										12.5 V
Stl110ns3llh7	1.2900	RFQ	43	Stmicroelectronics	Stripfet ™ H7	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl110		Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal						30 V	120a (TC)	4.5V, 10V	3.4mohm @ 14a, 10v	2.3V @ 1MA	13.7 NC @ 4.5 V	± 20V	2110 pf @ 25 V	-	4W (TA), 75W (TC)
Stp21nm50n	-	RFQ	9573	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp21n		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-4820-5	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						500 V	18a (TC)	10V	190mohm @ 9a, 10v	4V @ 250 µA	65 NC @ 10 V	± 25V	1950 pf @ 25 V	-	140W (TC)
PD57002-E	-	RFQ	1219	Stmicroelectronics	-	Tubo	Obsoleto	65 V			Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta	PD57002	960MHz	Ldmos		10 pozo	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50				250 Ma		10 Ma	2W	15dB																					-										28 V
STB80NF10T4	3.4900	RFQ	1	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STB80		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal						100 V	80a (TC)	10V	15mohm @ 40a, 10v	4V @ 250 µA	182 NC @ 10 V	± 20V	5500 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Stf11nm60nd	4.4200	RFQ	992	Stmicroelectronics	FDMESH ™ II	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF11		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						600 V	10a (TC)	10V	450mohm @ 5a, 10v	5V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 25V	850 pf @ 50 V	-	25W (TC)
Std3nk80zt4	1.6500	RFQ	6543	Stmicroelectronics	Supermesh ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std3nk80		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal						800 V	2.5A (TC)	10V	4.5ohm @ 1.25a, 10V	4.5V @ 50 µA	19 NC @ 10 V	± 30V	485 pf @ 25 V	-	70W (TC)
Stf24nm60n	3.4300	RFQ	4089	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ II	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF24		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-11868-5	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						600 V	17a (TC)	10V	190mohm @ 8a, 10v	4V @ 250 µA	46 NC @ 10 V	± 30V	1400 pf @ 50 V	-	30W (TC)
STFW4N150	6.3400	RFQ	5676	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO	Stfw4		Mosfet (Óxido de metal)		Un 3pf	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-10004-5	EAR99	8541.29.0095	30			N-canal						1500 V	4A (TC)	10V	7ohm @ 2a, 10v	5V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 30V	1300 pf @ 25 V	-	63W (TC)
Std30ne06lt4	-	RFQ	6843	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std30n		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal						60 V	30A (TC)	5V, 10V	28mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	2370 pf @ 25 V	-	55W (TC)
BTA26-700BRG	6.7000	RFQ	6071	Stmicroelectronics	-	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Top-3 aislado	BTA26				Top3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	30	Soltero				80 Ma														Estándar	700 V	25 A	1.3 V	250a, 260a	50 Ma
IRF630	1.5900	RFQ	20	Stmicroelectronics	Mesh Overlay ™ II	Tubo	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF6		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal						200 V	9A (TC)	10V	400mohm @ 4.5a, 10V	4V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	75W (TC)