SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SGSD200 STMicroelectronics Sgsd200 -
RFQ
ECAD 1415 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero TO-247-3 Sgsd200 130 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 80 V 25 A 500 µA PNP - Darlington 3.5V @ 80MA, 20a 500 @ 10a, 3V -
ST13007D STMicroelectronics ST13007D 1.7200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 ST13007 80 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 8 A 100 µA NPN 2v @ 2a, 8a 8 @ 5a, 5v -
ACST4-8CFP STMicroelectronics ACST4-8CFP -
RFQ
ECAD 2390 0.00000000 Stmicroelectronics Asd ™ Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero ACST4 Un 220FP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 35 Ma Estándar 800 V 4 A 1.1 V 30a, 33a 25 Ma
STW75NF30 STMicroelectronics Stw75nf30 -
RFQ
ECAD 2094 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw75n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8463-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 60A (TC) 10V 45mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 164 NC @ 10 V ± 20V 5930 pf @ 25 V - 320W (TC)
TN3015H-6T STMicroelectronics TN3015H-6T 1.5400
RFQ
ECAD 667 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TN3015 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 60 Ma 600 V 30 A 1.3 V 270a, 295a 15 Ma 1.6 V 19 A 10 µA Recuperación
2STA1694 STMicroelectronics 2STA1694 -
RFQ
ECAD 9608 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2sta 80 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 120 V 8 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 300mA, 3A 70 @ 3a, 4v 20MHz
MD2310FX STMicroelectronics MD2310FX -
RFQ
ECAD 6897 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO MD2310 62 W Un 3pf - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 700 V 14 A 200 µA NPN 2.5V @ 1.75a, 7a 6 @ 7a, 5v -
RF5L051K0CB4 STMicroelectronics RF5L051K0CB4 172.5000
RFQ
ECAD 5027 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo 110 V Monte del Chasis D4e RF5L051K0 500MHz Ldmos D4e - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-RF5L051K0CB4 100 - 1 µA 200 MA 1000W 21db - 50 V
STPS30SM80CG-TR STMicroelectronics STPS30SM80CG-TR -
RFQ
ECAD 9993 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stps30 Schottky D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 15A 790 MV @ 15 A 40 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STTH3R04S STMicroelectronics STTH3R04S 0.9100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC STTH3 Estándar SMC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 3 A 35 ns 5 µA @ 400 V 175 ° C (Máximo) 3A -
STTA306B-TR STMicroelectronics Stta306b-tr -
RFQ
ECAD 7895 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STTA306 Estándar Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.85 v @ 3 a 50 ns 20 µA @ 600 V 125 ° C (Máximo) 3A -
STTH80S06W STMicroelectronics STTH80S06W -
RFQ
ECAD 4547 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero DO-247-2 (clientes Potenciales Rectos) STTH80 Estándar DO-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.2 V @ 20 A 75 ns 50 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 80A -
STF11N60DM2 STMicroelectronics STF11N60DM2 1.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16960 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 420mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 16.5 NC @ 10 V ± 25V 614 pf @ 100 V - 25W (TC)
2STA1943 STMicroelectronics 2STA1943 2.9400
RFQ
ECAD 229 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA 2sta 150 W Un 264 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 25 230 V 15 A 5 µA (ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
BULT3P3 STMicroelectronics Bult3p3 -
RFQ
ECAD 1996 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 Bult3 32 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 200 V 3 A 100 µA PNP 500mV @ 200 MMA, 1A 10 @ 10mA, 5V -
STGB6NC60HD-1 STMicroelectronics STGB6NC60HD-1 -
RFQ
ECAD 4313 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stgb6 Estándar 56 W I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390v, 3a, 10ohm, 15V 21 ns - 600 V 15 A 21 A 2.5V @ 15V, 3a 20 µJ (Encendido), 68 µJ (apaguado) 13.6 NC 12ns/76ns
FERD30H100SH STMicroelectronics Ferd30h100sh -
RFQ
ECAD 2477 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Ferd30 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Ipak (un 251) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 175 ° C (Máximo) 30A -
L6210 STMicroelectronics L6210 -
RFQ
ECAD 3961 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 70 ° C (TA) A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) L6210 Schottky 16 podador descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.2 v @ 1 a 1 ma @ 40 V 2 A Fase única 50 V
LET9045C STMicroelectronics Let9045c -
RFQ
ECAD 3931 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 80 V M243 LET9045 960MHz Ldmos M243 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 9A 300 mA 59W 17.7db - 28 V
STF18NM60N STMicroelectronics STF18NM60N 2.9100
RFQ
ECAD 977 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 285mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 25V 1000 pf @ 50 V - 30W (TC)
STW18N65M5 STMicroelectronics STW18N65M5 3.8100
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw18 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13283-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 220mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 25V 1240 pf @ 100 V - 110W (TC)
STPSC16H065CT STMicroelectronics STPSC16H065CT -
RFQ
ECAD 9496 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Un 220-3 STPSC16 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 8A 1.75 v @ 8 a 0 ns 80 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C
STI6N80K5 STMicroelectronics Sti6n80k5 -
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI6 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2a, 10v 5V @ 100 µA 7.5 NC @ 10 V 30V 255 pf @ 100 V - 85W (TC)
STB5NK50Z-1 STMicroelectronics STB5NK50Z-1 -
RFQ
ECAD 9829 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stb5n Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 500 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 28 NC @ 10 V ± 30V 535 pf @ 25 V - 70W (TC)
STD10NM65N STMicroelectronics Std10nm65n -
RFQ
ECAD 6820 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std10 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 850 pf @ 50 V - 90W (TC)
STW32NM50N STMicroelectronics Stw32nm50n 6.5000
RFQ
ECAD 1658 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw32 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13284-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 22a (TC) 10V 130mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 62.5 NC @ 10 V ± 25V 1973 pf @ 50 V - 190W (TC)
STS7P4LLF6 STMicroelectronics Sts7p4llf6 1.3400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f6 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts7p4 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 7a (TJ) 4.5V, 10V 20.5mohm @ 3.5a, 10V 1V @ 250 µA (min) 22 NC @ 4.5 V ± 20V 2850 pf @ 25 V - 2.7W (TA)
STB80PF55T4 STMicroelectronics STB80PF55T4 -
RFQ
ECAD 7629 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb80p Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 55 V 80a (TC) 10V 18mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 258 NC @ 10 V ± 16V 5500 pf @ 25 V - 300W (TC)
STL16N60M2 STMicroelectronics Stl16n60m2 2.5300
RFQ
ECAD 3870 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl16 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) HV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 8a (TC) 10V 355mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 25V 704 pf @ 100 V - 52W (TC)
STP28N60M2 STMicroelectronics STP28N60M2 3.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP28 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 24a (TC) 10V 150mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 25V 1370 pf @ 100 V - 170W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock