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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Figura de ruido	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
STTH6110TV2	23.5200	RFQ	3540	Stmicroelectronics	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	Isotop	STTH6110			Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																													2 Independientes	1000 V	30A	2 V @ 30 A	100 ns	15 µA @ 1000 V	150 ° C (Máximo)
STP4NK60ZFP	1.9000	RFQ	6	Stmicroelectronics	Supermesh ™	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STP4NK60			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-5980-5	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal							600 V	4A (TC)	10V	2ohm @ 2a, 10v	4.5V @ 50 µA	26 NC @ 10 V	± 30V	510 pf @ 25 V	-	25W (TC)
STPS16L40CT	1.5600	RFQ	855	Stmicroelectronics	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	STPS16			Schottky		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																													1 par Cátodo Común	40 V	8A	500 MV @ 8 A		700 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)
ACST210-8B	0.8200	RFQ	2055	Stmicroelectronics	ACS ™/ASD®	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	ACST210					Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	75	Soltero				10 Ma															Lógica - Puerta sensible	800 V	2 A	1.1 V	8a, 8.4a	10 Ma
BTA25-700B	-	RFQ	5186	Stmicroelectronics	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	RD91-3 (AISLADO)	BTA25					RD91	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	25	Soltero				80 Ma															Estándar	700 V	25 A	1.3 V	250a, 260a	50 Ma
STP8N80K5	2.5600	RFQ	123	Stmicroelectronics	Supermesh5 ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP8N80			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal							800 V	6a (TC)	10V	950mohm @ 3a, 10v	5V @ 100 µA	16.5 NC @ 10 V	± 30V	450 pf @ 100 V	-	110W (TC)
STTH12R06Dirg	2.7800	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2 AISLADO, A-220AC	STTH12			Estándar		To20AC INS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-4403-5	EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																														600 V		2.9 v @ 12 a	45 ns	45 µA @ 600 V	175 ° C (Máximo)	12A	-
Sthu32n65dm6ag	8.8800	RFQ	87	Stmicroelectronics	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA				Mosfet (Óxido de metal)		Hu3pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STHU32N65DM6AGTR	EAR99	8541.29.0095	600			N-canal							650 V	37a (TC)	10V	97mohm @ 18.5a, 10v	4.75V @ 250 µA	52.6 NC @ 10 V	± 25V	2211 pf @ 100 V	-	320W (TC)
STP185N55F3	5.6500	RFQ	2	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP185			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal							55 V	120a (TC)	10V	3.8mohm @ 60a, 10V	4V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	6800 pf @ 25 V	-	330W (TC)
BAT30SWFILM	0.4500	RFQ	4	Stmicroelectronics	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	Bit30			Schottky		Sot-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																													Conexión de la Serie de 1 par	30 V	300 mA (DC)	530 MV @ 300 Ma		5 µA @ 30 V	150 ° C (Máximo)
Bas70film	-	RFQ	6562	Stmicroelectronics	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAS70			Schottky		Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																														70 V		1 V @ 15 Ma		10 µA @ 70 V	150 ° C (Máximo)	70 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
T2035H-8G-TR	0.8440	RFQ	8787	Stmicroelectronics	ECOPACK®2	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	T2035					D²pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-T2035H-8G-TR	EAR99	8541.30.0080	1,000	Soltero				35 Ma															Alternista - Snubberless	800 V	20 A	1.3 V	200a, 210a	35 Ma
Stl12p6f6	1.1100	RFQ	5	Stmicroelectronics	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl12			Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P							60 V	4A (TC)	10V	160mohm @ 1.5a, 10v	4V @ 250 µA	6.4 NC @ 10 V	± 20V	340 pf @ 48 V	-	75W (TC)
RF5L15030CB2	54.4500	RFQ	5253	Stmicroelectronics	-	Una granela	Activo	110 V		Monte del Chasis	GXB	RF5L15030		1.5 GHz	Ldmos		GXB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	497-RF5L15030CB2			180	-			1 µA			200 MA	30W	23.5dB																					-																		50 V
Stgwa40ih65df	4.9500	RFQ	2170	Stmicroelectronics	Ih	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stgwa40	Estándar			238 W	TO-247 LARGOS LARGOS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-18497	EAR99	8541.29.0095	30						400V, 40a, 22ohm, 15V																																		Parada de Campo de Trinchera	650 V	80 A	120 A	2V @ 15V, 40A	190 µJ (apaguado)	114 NC	-/210ns
Std30ne06l	-	RFQ	2837	Stmicroelectronics	Stripfet ™	Tubo	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std30n			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal							60 V	30A (TC)	5V, 10V	28mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	41 NC @ 5 V	± 20V	2370 pf @ 25 V	-	55W (TC)
STB170NF04	3.7400	RFQ	597	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STB170			Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal							40 V	80a (TC)	10V	5mohm @ 40a, 10v	4V @ 250 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	9000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Std35nf06lt4	1.6200	RFQ	25	Stmicroelectronics	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std35			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal							60 V	35A (TC)	4.5V, 10V	17mohm @ 17.5a, 10v	2.5V @ 250 µA	33 NC @ 4.5 V	± 16V	1700 pf @ 25 V	-	80W (TC)
Stp3n150	5.2200	RFQ	8470	Stmicroelectronics	PowerMesh ™	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp3n150			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-6327-5	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal							1500 V	2.5A (TC)	10V	9ohm @ 1.3a, 10v	5V @ 250 µA	29.3 NC @ 10 V	± 30V	939 pf @ 25 V	-	140W (TC)
Sts9nh3ll	-	RFQ	8959	Stmicroelectronics	Stripfet ™ III	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sts9nh			Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal							30 V	9A (TC)	4.5V, 10V	22mohm @ 4.5a, 10V	1V @ 250 µA	10 NC @ 4.5 V	± 16V	857 pf @ 25 V	-	2.5W (TC)
STI18N65M2	2.7700	RFQ	829	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ m2	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	STI18			Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal							650 V	12a (TC)	10V	330mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 25V	770 pf @ 100 V	-	110W (TC)
Bulb128-1	0.7000	RFQ	2	Stmicroelectronics	-	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Bombilla128				70 W	Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																																									400 V	4 A							250 µA	NPN	500mv @ 1a, 4a	14 @ 2a, 5v	-
STGW100H65FB2-4	8.8500	RFQ	68	Stmicroelectronics	HB2	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	Stgw100	Estándar			441 W	TO-247-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STGW100H65FB2-4	EAR99	8541.29.0095	30						400V, 100A, 3.3OHM, 15V																																		Parada de Campo de Trinchera	650 V	145 A	300 A	1.8V @ 15V, 100A	1.06mj (encendido), 1.14mj (apaguado)	288 NC	23ns/141ns
STD18N65M2-EP	-	RFQ	5757	Stmicroelectronics	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak (A 252)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STD18N65M2-EPTR	EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal							650 V	11a (TC)	10V	375mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250 µA	14.4 NC @ 10 V	± 25V	700 pf @ 100 V	-	110W (TC)
TN6050HP-12WY	6.4500	RFQ	850	Stmicroelectronics	Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	TN6050					TO-247-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-TN6050HP-12WY	EAR99	8541.30.0080	30					100 mA																1.2 kV	60 A	1.3 V	600a, 660a	50 Ma	1.5 V	38 A	5 µA	Recuperación
STGF20H65DFB2	2.5200	RFQ	8986	Stmicroelectronics	HB2	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STGF20	Estándar			45 W	Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STGF20H65DFB2	EAR99	8541.29.0095	50						400V, 20a, 10ohm, 15V																													215 ns					Parada de Campo de Trinchera	650 V	40 A	60 A	2.1V @ 15V, 20a	265 µJ (Encendido), 214 µJ (apaguado)	56 NC	16ns/78.8ns
STTH25M06B-TR	1.3700	RFQ	17	Stmicroelectronics	ECOPACK®2	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	STTH25			Estándar		Un 220FPAC	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																														600 V		3.4 V @ 25 A	50 ns	60 µA @ 600 V	175 ° C (Máximo)	25A	-
STGW75H65DFB2-4	8.2500	RFQ	54	Stmicroelectronics	HB2	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-4	STGW75	Estándar			357 W	TO-247-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STGW75H65DFB2-4	EAR99	8541.29.0095	30						400V, 75a, 10ohm, 15V																													88 ns					Parada de Campo de Trinchera	650 V	115 A	225 A	2V @ 15V, 75a	992 µJ (ON), 766 µJ (OFF)	207 NC	22ns/121ns
Stw50n65dm6	9.2200	RFQ	8855	Stmicroelectronics	Mdmesh ™ dm6	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw50			Mosfet (Óxido de metal)		TO-247 LARGOS LARGOS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STW50N65DM6	EAR99	8541.29.0095	30			N-canal							650 V	33A (TC)	10V	91mohm @ 16.5a, 10V	4.75V @ 250 µA	52.5 NC @ 10 V	± 25V	52500 pf @ 100 V	-	250W (TC)
Sctwa35n65g2v	18.6800	RFQ	5585	Stmicroelectronics	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sctwa35			Sicfet (CARBURO DE SILICIO)		TO-247 LARGOS LARGOS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-SCTWA35N65G2V	EAR99	8541.29.0095	30			N-canal							650 V	45a (TC)	18V, 20V	72mohm @ 20a, 20V	3.2V @ 1MA	73 NC @ 20 V	+20V, -5V	73000 pf @ 400 V	-	208W (TC)