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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STB30N80K5 STMicroelectronics STB30N80K5 7.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb30 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 24a (TC) 10V 180mohm @ 12a, 10v 5V @ 100 µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1530 pf @ 100 V - 250W (TC)
STP24N60DM2 STMicroelectronics STP24N60DM2 3.5300
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Stmicroelectronics Fdmesh ™ ii plus Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP24 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 200mohm @ 9a, 10v 5V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1055 pf @ 100 V - 150W (TC)
STFW24NM60N STMicroelectronics Stfw24nm60n -
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 Stmicroelectronics * Tubo Activo STFW24 - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 300
STW70N10F4 STMicroelectronics Stw70n10f4 -
RFQ
 ECAD 6911 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw70n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8797-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 65a (TC) 10V 19.5mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 85 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 150W (TC)
STGIPS40W60L1 STMicroelectronics STGIPS40W60L1 -
RFQ
 ECAD 4604 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 22 Potencias (0.993 ", 25.23 mm) IGBT Stgips40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 11 1 fase 40 A 600 V 2500 VRMS
STD30NF06T4 STMicroelectronics Std30nf06t4 1.3800
RFQ
 ECAD 9436 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std30 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 28a (TC) 10V 28mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 25 V - 70W (TC)
STGIB8CH60S-L STMicroelectronics Stgib8ch60s-l 11.4035
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.146 ", 29.10 mm) IGBT Stgib8 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 156 Inversor de 3 fase 12 A 600 V 1500 VRMS
BYT30PI-1000 STMicroelectronics Byt30pi-1000 -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Dop3i-2 aislado (cables rectos) Byt30 Estándar Dop3i descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2424 EAR99 8541.10.0080 120 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.9 v @ 30 a 165 ns 100 µA @ 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
STF25NM60N STMicroelectronics STF25NM60N -
RFQ
 ECAD 2137 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5005-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 50 V - 40W (TC)
STS8DN6LF6AG STMicroelectronics Sts8dn6lf6ag 1.7200
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts8dn6 Mosfet (Óxido de metal) 3.2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 8a (TA) 24mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250 µA 27nc @ 10V 1340pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
TIP126 STMicroelectronics TIP126 -
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP126 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 5 A 500 µA PNP - Darlington 4V @ 20 mm, 5a 1000 @ 3a, 3V -
P0109AL 5AA4 STMicroelectronics P0109al 5AA4 0.9000
RFQ
 ECAD 2495 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 P0109 Sot-23-3l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3.000 6 MA 100 V 250 Ma 800 MV 6a, 7a 1 µA 1.7 V 160 Ma 1 µA Puerta sensible
HD1750JL STMicroelectronics HD1750JL -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA HD1750 200 W Un 264 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 800 V 24 A 200 µA NPN 3V @ 3a, 12a 5.5 @ 12a, 5V -
BUX348 STMicroelectronics BUX348 -
RFQ
 ECAD 5040 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 BUX348 300 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 450 V 45 A - NPN 900mv @ 6a, 30a - -
MJ4032 STMicroelectronics MJ4032 -
RFQ
 ECAD 5149 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis TO-204AA, TO-3 MJ40 150 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1026-MJ4032 EAR99 8541.29.0095 100 100 V 16 A 3mera PNP - Darlington 2.5V @ 40mA, 10a 1000 @ 10a, 3V -
BYT16P-400 STMicroelectronics Byt16p-400 -
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Byt16 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 16A 1.5 V @ 8 A 75 ns 15 µA @ 400 V 150 ° C (Máximo)
STPS3045CG-TR STMicroelectronics STPS3045CG-TR 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS3045 Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 570 MV @ 15 A 200 µA @ 45 V 200 ° C (Max)
ACS102-6T1-TR STMicroelectronics ACS102-6T1-TR 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics ACS ™ Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ACS102 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 20 Ma Alternista - Snubberless 600 V 200 MA 900 MV 7.3a, 7.6a 5 Ma
PD54008TR-E STMicroelectronics PD54008TR-E 10.5270
RFQ
 ECAD 1847 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 25 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD54008 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 5A 150 Ma 8W 11.5dB - 7.5 V
STU7N60DM2 STMicroelectronics Stu7n60dm2 0.6796
RFQ
 ECAD 5557 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu7n60 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 3a, 10v 4.75V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 324 pf @ 100 V - 60W (TC)
STTH30RQ06G2Y-TR STMicroelectronics STTH30RQ06G2Y-TR 2.7100
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH30 Estándar D2pak hv descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.95 V @ 30 A 55 ns 40 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
STTH1002CT STMicroelectronics STTH1002CT 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 STTH1002 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 8A 1.1 v @ 5 a 25 ns 5 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo)
BAT47 STMicroelectronics BAT47 -
RFQ
 ECAD 4018 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BAT47 Schottky Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 1 V @ 300 Ma 10 µA @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C 350 mm 20pf @ 0V, 1 MHz
STW24NM65N STMicroelectronics Stw24nm65n -
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw24n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 19a (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 50 V - 160W (TC)
FERD40L60CTS STMicroelectronics Ferd40l60cts 1.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Un 220-3 Ferd40 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17696 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 545 MV @ 20 A 1.1 Ma @ 60 V 150 ° C (Máximo)
SCTH70N120G2V-7 STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7 31.3814
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Sicfet (CARBURO DE SILICIO) H2PAK-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 1200 V 90A (TC) 18V 30mohm @ 50A, 18V 4.9V @ 1MA 150 NC @ 18 V +22V, -10V 3540 pf @ 800 V - 469W (TC)
STGIB30M60S-E STMicroelectronics STGIB30M60S-E 18.9254
RFQ
 ECAD 9833 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.146 ", 29.10 mm) IGBT Stgib30 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 156 Inversor de 3 fase 35 A 600 V 1500 VRMS
STPS3060CW STMicroelectronics STPS3060CW 2.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 STPS3060 Schottky TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 850 MV @ 15 A 150 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo)
PD57018S STMicroelectronics PD57018S -
RFQ
 ECAD 4601 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57018 945MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 2.5a 100 mA 18W 16.5dB - 28 V
STTH1302CT STMicroelectronics STTH1302CT -
RFQ
 ECAD 5706 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STTH1302 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 6.5a 1.1 V @ 6.5 A 25 ns 6 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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