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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa
STGF30V60DF STMicroelectronics STGF30V60DF -
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo Stgf30 - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50
STGW80H65FB-4 STMicroelectronics STGW80H65FB-4 -
RFQ
 ECAD 7255 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 STGW80 Estándar 469 W TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 120 A 240 A 2v @ 15V, 80a 2.1MJ (Encendido), 1.5mj (apaguado) 414 NC 84ns/280ns
STGWA60V60DF STMicroelectronics Stgwa60v60df 5.6200
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa60 Estándar 375 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 4.7ohm, 15V 74 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 240 A 2.3V @ 15V, 60A 750 µJ (Encendido), 550 µJ (apaguado) 334 NC 60ns/208ns
STP260N6F6 STMicroelectronics STP260N6F6 -
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP260 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 3mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 183 NC @ 10 V ± 20V 11400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STPS40M80CG-TR STMicroelectronics STPS40M80CG-TR 1.7000
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS40 Schottky D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 20A 735 MV @ 20 A 65 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STPS40SM80CG-TR STMicroelectronics STPS40SM80CG-TR -
RFQ
 ECAD 5248 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS40 Schottky D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 20A 800 MV @ 20 A 50 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STPS20SM80CT STMicroelectronics STPS20SM80CT -
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STPS20 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 10A 780 MV @ 10 A 25 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STPS30M80CT STMicroelectronics STPS30M80CT 0.7742
RFQ
 ECAD 6504 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Stps30 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 15A 745 MV @ 15 A 40 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STPS30SM80CT STMicroelectronics STPS30SM80CT -
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Stps30 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 15A 790 MV @ 15 A 40 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STW48NM60N STMicroelectronics Stw48nm60n 15.6100
RFQ
 ECAD 2641 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw48 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-11367-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 44a (TC) 10V 70mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 124 NC @ 10 V ± 25V 4285 pf @ 50 V - 330W (TC)
STW60N65M5 STMicroelectronics Stw60n65m5 11.3600
RFQ
 ECAD 577 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw60n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 46a (TC) 10V 59mohm @ 23a, 10v 5V @ 250 µA 139 NC @ 10 V ± 25V 6810 pf @ 100 V - 255W (TC)
STW24NM60N STMicroelectronics Stw24nm60n 6.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw24n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 190mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 50 V - 125W (TC)
STTH16BC065CT STMicroelectronics STTH16BC065CT -
RFQ
 ECAD 8559 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STTH16 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 650 V 16A 3.2 v @ 8 a 40 ns -
STPS1H100AY STMicroelectronics STPS1H100AY 0.5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Q Automotriz Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Stps1 Schottky SMA (DO-214AC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 770 MV @ 1 A 4 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 1A -
STD96N3LLH6 STMicroelectronics Std96n3llh6 1.3200
RFQ
 ECAD 2983 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std96 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 80a (TC) 5.5V, 10V 4.2mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 70W (TC)
STH260N6F6-2 STMicroelectronics STH260N6F6-2 4.7200
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH260 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 180A (TC) 10V 2.4mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 183 NC @ 10 V ± 20V 11800 pf @ 25 V - 300W (TC)
STL35N15F3 STMicroelectronics Stl35n15f3 3.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl35 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 40mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 49.4 NC @ 10 V ± 20V 1905 pf @ 25 V - 80W (TC)
STH240N75F3-6 STMicroelectronics STH240N75F3-6 6.6600
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH240 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 180A (TC) 10V 3mohm @ 90a, 10v 4V @ 250 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 25 V - 300W (TC)
STGIPL20K60 STMicroelectronics STGIPL20K60 -
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 38 Potencias (1.146 ", 29.10 mm) IGBT Stgipl20 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 10 3 fase 20 A 600 V 2500VDC
STPS20M80CFP STMicroelectronics STPS20M80CFP -
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STPS20 Schottky Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 10A 740 MV @ 10 A 30 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
LET9045F STMicroelectronics LET9045F -
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 80 V M250 LET9045 960MHz Ldmos M250 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 9A 300 mA 59W 17.7db - 28 V
STB16NF25 STMicroelectronics STB16NF25 -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb16n Mosfet (Óxido de metal) D2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 14.5A (TC) 4mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V 4490 pf @ 12 V - -
STF28NM50N STMicroelectronics STF28NM50N 6.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF28 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 21a (TC) 10V 158mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1735 pf @ 25 V - 35W (TC)
STF5N52K3 STMicroelectronics STF5N52K3 1.7700
RFQ
 ECAD 738 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf5n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 525 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 545 pf @ 100 V - 25W (TC)
STF8NM50N STMicroelectronics Stf8nm50n 1.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 790mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 25V 364 pf @ 50 V - 20W (TC)
STGW40NC60KD STMicroelectronics STGW40NC60KD 5.2600
RFQ
 ECAD 9530 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW40 Estándar 250 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8441-5 EAR99 8541.29.0095 30 480v, 30a, 10ohm, 15V 45 ns - 600 V 70 A 220 A 2.7V @ 15V, 30a 595 µJ (Encendido), 716 µJ (apaguado) 135 NC 46ns/164ns
STW21NM60ND STMicroelectronics Stw21nm60nd 3.9451
RFQ
 ECAD 3862 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw21 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8453-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 220mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 140W (TC)
STW25NM60ND STMicroelectronics Stw25nm60nd -
RFQ
 ECAD 5059 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw25n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8455-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10v 5V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 50 V - 160W (TC)
STGB19NC60KT4 STMicroelectronics Stgb19nc60kt4 2.7800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STGB19 Estándar 125 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 35 A 75 A 2.75V @ 15V, 12A 165 µJ (Encendido), 255 µJ (apaguado) 55 NC 30ns/105ns
STL150N3LLH5 STMicroelectronics Stl150n3llh5 -
RFQ
 ECAD 3915 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl150 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 195a (TC) 4.5V, 10V 1.75mohm @ 17.5a, 10v 2.2V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 22V 5800 pf @ 25 V - 114W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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