SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STPS2L60AY STMicroelectronics STPS2L60 0.7200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Stmicroelectronics Q Automotriz Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Stps2 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 600 MV @ 2 A 100 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 2a -
STB80NF55-06-1 STMicroelectronics STB80NF55-06-1 -
RFQ
 ECAD 9827 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STB80 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 189 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STL28N60DM2 STMicroelectronics Stl28n60dm2 2.2424
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Stl28 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 175mohm @ 10.5a, 10v 5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 25V 1500 pf @ 100 V - 140W (TC)
STD8NM60ND STMicroelectronics Std8nm60nd -
RFQ
 ECAD 7040 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std8n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 700mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 560 pf @ 50 V - 70W (TC)
STF38N65M5 STMicroelectronics STF38N65M5 5.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF38 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 30A (TC) 10V 95mohm @ 15a, 10v 5V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 25V 3000 pf @ 100 V - 35W (TC)
STPS1L40AY STMicroelectronics STPS1L40 0.6600
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 Stmicroelectronics Q Automotriz Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Stps1 Schottky SMA (DO-214AC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 1 A 35 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
FERD20M60ST STMicroelectronics FERD20M60 1.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Un 220-3 Ferd20 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 560 MV @ 20 A 230 µA @ 60 V 175 ° C (Máximo) 20A -
STFI12N60M2 STMicroelectronics Stfi12n60m2 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi12n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 450mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 538 pf @ 100 V - 25W (TC)
STD7NM80-1 STMicroelectronics Std7nm80-1 2.5400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std7 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 800 V 6.5a (TC) 10V 1.05ohm @ 3.25a, 10V 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 620 pf @ 25 V - 90W (TC)
STT13005 STMicroelectronics STT13005 -
RFQ
 ECAD 9281 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 STT13 45 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 2 A 250 µA NPN 1.5V @ 400mA, 1.6a 10 @ 500mA, 5V -
BD179 STMicroelectronics BD179 -
RFQ
 ECAD 4908 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD179 30 W Sot-32 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Bd179st EAR99 8541.29.0095 2,000 80 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 800mv @ 100 mm, 1a 15 @ 2v, 1a -
STTH1512W STMicroelectronics STTH1512W 3.5200
RFQ
 ECAD 1953 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero DO-247-2 (clientes Potenciales Rectos) STTH1512 Estándar DO-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5152-5 EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.1 v @ 15 a 105 ns 15 µA @ 1200 V 175 ° C (Máximo) 15A -
STW75NF30 STMicroelectronics Stw75nf30 -
RFQ
 ECAD 2094 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw75n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8463-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 60A (TC) 10V 45mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 164 NC @ 10 V ± 20V 5930 pf @ 25 V - 320W (TC)
STGB6NC60HD-1 STMicroelectronics STGB6NC60HD-1 -
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stgb6 Estándar 56 W I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390v, 3a, 10ohm, 15V 21 ns - 600 V 15 A 21 A 2.5V @ 15V, 3a 20 µJ (Encendido), 68 µJ (apaguado) 13.6 NC 12ns/76ns
STS3C2F100 STMicroelectronics STS3C2F100 -
RFQ
 ECAD 9169 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) STS3C2 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 100V 3A 145mohm @ 1.5a, 10v 2V @ 250 µA 20NC @ 10V 460pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
ST13007D STMicroelectronics ST13007D 1.7200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 ST13007 80 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 8 A 100 µA NPN 2v @ 2a, 8a 8 @ 5a, 5v -
FERD30H100SH STMicroelectronics Ferd30h100sh -
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Ferd30 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Ipak (un 251) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 175 ° C (Máximo) 30A -
STL26N60DM6 STMicroelectronics Stl26n60dm6 3.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl26 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 15A (TC) 10V 215mohm @ 7.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 25V 940 pf @ 100 V - 110W (TC)
STL65DN3LLH5 STMicroelectronics Stl65dn3llh5 -
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl65 Mosfet (Óxido de metal) 60W Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 65a 6.5mohm @ 9.5a, 10V 1.5V @ 250 µA 12NC @ 4.5V 1500pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
STI10N62K3 STMicroelectronics STI10N62K3 2.0700
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI10N Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -497-12256 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 620 V 8.4a (TC) 10V 750mohm @ 4a, 10v 4.5V @ 100 µA 42 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 50 V - 125W (TC)
PD85015STR-E STMicroelectronics PD85015Str-E -
RFQ
 ECAD 1949 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 40 V PowerSo-10RF Padera Inferior Expuesta (2 cables rectos) PD85015 870MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 5A 150 Ma 15W 16dB - 13.6 V
STPSC15H12DY STMicroelectronics Stpsc15h12dy 9.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tubo La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Un 220-2 STPSC15 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17162 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.5 V @ 15 A 0 ns 90 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A 1200pf @ 0V, 1MHz
STTA306B-TR STMicroelectronics Stta306b-tr -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STTA306 Estándar Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.85 v @ 3 a 50 ns 20 µA @ 600 V 125 ° C (Máximo) 3A -
BDW93CFP STMicroelectronics Bdw93cfp 1.6700
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero BDW93 33 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 12 A 1mera NPN - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 750 @ 5a, 3V -
STW43NM60N STMicroelectronics Stw43nm60n -
RFQ
 ECAD 9252 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw43n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 35A (TC) 10V 88mohm @ 17.5a, 10v 5V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 30V 4200 pf @ 50 V - 255W (TC)
2STA1943 STMicroelectronics 2STA1943 2.9400
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA 2sta 150 W Un 264 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 25 230 V 15 A 5 µA (ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
STGIB10CH60TS-E STMicroelectronics Stgib10ch60ts-e 12.9585
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.327 ", 33.70 mm) IGBT Stgib10 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 156 Inversor de 3 fase 15 A 600 V 1500 VRMS
2STA1694 STMicroelectronics 2STA1694 -
RFQ
 ECAD 9608 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2sta 80 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 120 V 8 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 300mA, 3A 70 @ 3a, 4v 20MHz
STPS30SM80CG-TR STMicroelectronics STPS30SM80CG-TR -
RFQ
 ECAD 9993 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stps30 Schottky D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 15A 790 MV @ 15 A 40 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
BUL903ED STMicroelectronics Bul903ed -
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BUL903 70 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 5 A 1mera NPN 1V @ 150MA, 1A 20 @ 500mA, 3V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar