SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
T810-600G-TR STMicroelectronics T810-600G-TR 1.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T810 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 8 A 1.3 V 80a, 84a 10 Ma
STP4NK60Z STMicroelectronics STP4NK60Z 1.7200
RFQ
 ECAD 869 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP4NK60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 50 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 70W (TC)
STFI260N6F6 STMicroelectronics Stfi260n6f6 4.3200
RFQ
 ECAD 297 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi260n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 3mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 183 NC @ 10 V ± 20V 11400 pf @ 25 V - 41.7W (TC)
STD4N80K5 STMicroelectronics Std4n80k5 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std4n80 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 100 µA 10.5 NC @ 10 V ± 30V 175 pf @ 100 V - 60W (TC)
STD2LN60K3 STMicroelectronics Std2ln60k3 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std2ln60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 2a (TC) 10V 4.5ohm @ 1a, 10v 4.5V @ 50 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 235 pf @ 50 V - 45W (TC)
STTH1003SG-TR STMicroelectronics STTH1003SG-TR -
RFQ
 ECAD 7634 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH10 Estándar D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 300 V 175 ° C (Máximo) 10A -
STP80N600K6 STMicroelectronics STP80N600K6 2.5400
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-STP80N600K6 50 N-canal 800 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4V @ 100 µA 10.7 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 400 V - 86W (TC)
STF5N65M6 STMicroelectronics STF5N65M6 -
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 Stmicroelectronics * Tubo Activo STF5N65 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000
STW65N80K5 STMicroelectronics STW65N80K5 18.7500
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw65 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16333-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 46a (TC) 10V 80mohm @ 23a, 10v 5V @ 100 µA 92 NC @ 10 V ± 30V 3230 pf @ 100 V - 446W (TC)
STWA65N023M9 STMicroelectronics Stwa65n023m9 21.6900
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa65 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-STWA65N023M9 30 N-canal 650 V 95A (TC) 10V 23mohm @ 48a, 10V 4.2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 30V 8844 pf @ 400 V - 463W (TC)
STB9NK80Z STMicroelectronics STB9NK80Z 2.4000
RFQ
 ECAD 5734 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB9 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 5.2a (TC) 10V 1.8ohm @ 2.6a, 10v 4.5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1138 pf @ 25 V - 125W (TC)
STU90N4F3 STMicroelectronics Stu90n4f3 -
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu90 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STPS30H60CG STMicroelectronics Stps30h60cg -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS30H60 Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 660 MV @ 15 A 60 µA @ 60 V 175 ° C (Máximo)
STTH208UFY STMicroelectronics Stth208ufy 0.8500
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AA, placas SMB Platos STTH208 Estándar Smbflat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.55 v @ 2 a 75 ns 5 µA @ 800 V -40 ° C ~ 175 ° C 2a -
STPS1150AFN STMicroelectronics STPS1150AFN -
RFQ
 ECAD 5447 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads STPS1150 Schottky Smaflat descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STPS1150AFNTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 820 MV @ 1 A 1 µA @ 150 V 175 ° C (Máximo) 1A -
BU808DFI STMicroelectronics Bu808dfi -
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Isowatt-218-3 BU808 52 W Isowatt-218 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 300 700 V 8 A 400 µA NPN - Darlington 1.6v @ 500 ma, 5a 60 @ 5a, 5v -
STGYA50M120DF3 STMicroelectronics STGYA50M120DF3 10.0000
RFQ
 ECAD 1924 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgya50 Estándar 535 W Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-stgya50m120df3 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 50A, 10ohm, 15V 325 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 200 A 2.2V @ 15V, 50A 2MJ (Encendido), 3.2MJ (apagado) 194 NC 38ns/258ns
STTH10R04B-TR STMicroelectronics STTH10R04B-TR -
RFQ
 ECAD 5916 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STTH10 Estándar Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.7 V @ 10 A 40 ns 10 µA @ 400 V 175 ° C (Máximo) 10A -
STTH30L06CT STMicroelectronics STTH30L06CT -
RFQ
 ECAD 2331 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STTH30 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 20A 1.55 V @ 15 A 85 ns 15 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo)
PD57002 STMicroelectronics PD57002 -
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57002 960MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 250 Ma 10 Ma 2W 15dB - 28 V
STGD8NC60KT4 STMicroelectronics Stgd8nc60kt4 -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd8 Estándar 62 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390v, 3a, 10ohm, 15V - 600 V 15 A 30 A 2.75V @ 15V, 3a 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
L603C STMicroelectronics L603C -
RFQ
 ECAD 3006 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -25 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero - L603 1.8w 18 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 90V 400mA - 8 NPN Darlington 2V @ 500 µA, 300 mA - -
STPS40SM100CT STMicroelectronics STPS40SM100CT 2.0900
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 STPS40 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 810 MV @ 20 A 45 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo)
STGD6M65DF2 STMicroelectronics Stgd6m65df2 1.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics METRO Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd6 Estándar 88 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 6a, 22ohm, 15V 140 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 12 A 24 A 2V @ 15V, 6a 36 µJ (encendido), 200 µJ (apagado) 21.2 NC 15ns/90ns
STD50N03L STMicroelectronics Std50n03l -
RFQ
 ECAD 8826 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std50n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 40A (TC) 5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10v 1V @ 250 µA 14 NC @ 5 V ± 20V 1434 pf @ 25 V - 60W (TC)
STTH1R02QRL STMicroelectronics STTH1R02QRL 0.4200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial STTH1 Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 30 ns 3 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo) 1.5a -
STFI130N10F3 STMicroelectronics Stfi130n10f3 4.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi130n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 46a (TC) 10V 9.6mohm @ 23a, 10v 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 3305 pf @ 25 V - 35W (TC)
STL128DNFP STMicroelectronics Stl128dnfp -
RFQ
 ECAD 5510 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stl128 28 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 4 A 250 µA NPN 1V @ 400MA, 2A 8 @ 2a, 5v -
BC394 STMicroelectronics BC394 -
RFQ
 ECAD 7799 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal BC394 400 MW Un 18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 180 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 30 @ 10 mapa, 10v -
STTH3R06U STMicroelectronics STTH3R06U 0.8500
RFQ
 ECAD 3365 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB STTH3 Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 3 a 35 ns 3 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 3A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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