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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
STGW8M120DF3 STMicroelectronics Stgw8m120df3 4.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics METRO Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw8 Estándar 167 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17619 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 8a, 33ohm, 15V 103 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 16 A 32 A 2.3V @ 15V, 8a 390 µJ (Encendido), 370 µJ (apaguado) 32 NC 20ns/126ns
STB8N90K5 STMicroelectronics STB8N90K5 3.5600
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB8N90 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 8a (TC) 10V 800mohm @ 1.17a, 10V 5V @ 100 µA ± 30V - 130W (TC)
STX13004-AP STMicroelectronics STX13004-AP -
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STX13004 2.5 W TO-92AP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 2 A 1mera NPN 1V @ 500 Ma, 2a 10 @ 1a, 5v -
STTH20R04G-TR STMicroelectronics STTH20R04G-TR 1.6900
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH20 Estándar D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.7 V @ 20 A 45 ns 20 µA @ 400 V 175 ° C (Máximo) 20A -
STGY50NC60WD STMicroelectronics STGY50NC60WD 16.9700
RFQ
 ECAD 1459 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgy50 Estándar 278 W Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 390v, 40a, 10ohm, 15V 55 ns - 600 V 110 A 180 A 2.6V @ 15V, 40A 365 µJ (Encendido), 560 µJ (apagado) 195 NC 52ns/240ns
STH185N10F3-2 STMicroelectronics STH185N10F3-2 -
RFQ
 ECAD 8093 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F3 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH185 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 4.5mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 114.6 NC @ 10 V ± 20V 6665 pf @ 25 V - 315W (TC)
2STW200 STMicroelectronics 2STW200 -
RFQ
 ECAD 8912 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 2STW200 130 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12127 EAR99 8541.29.0095 30 80 V 25 A 500 µA PNP - Darlington 3.5V @ 80MA, 20a 500 @ 10a, 3V -
PD54008S-E STMicroelectronics PD54008S-E -
RFQ
 ECAD 9915 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 25 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD54008 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 5A 150 Ma 8W 11.5dB - 7.5 V
STW35N65M5 STMicroelectronics STW35N65M5 -
RFQ
 ECAD 4495 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw35n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 27a (TC) 10V 98mohm @ 13.5a, 10v 5V @ 250 µA 83 NC @ 10 V ± 25V 3750 pf @ 100 V - 160W (TC)
BC857B STMicroelectronics BC857B -
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
STPS30M100DJF-TR STMicroelectronics STPS30M100DJF-TR 1.5600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8Powervdfn Stps30 Schottky Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 960 MV @ 30 A 100 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo) 30A -
STP2N95K5 STMicroelectronics STP2N95K5 -
RFQ
 ECAD 5657 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP2N95 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 950 V 2a (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10v 5V @ 100 µA 10 NC @ 10 V 30V 105 pf @ 100 V - 45W (TC)
STL9N80K5 STMicroelectronics Stl9n80k5 -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8Powervdfn Stl9n80 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 800 V 7a (TC) 10V - - - - 110W (TC)
STPS2H100UY STMicroelectronics STPS2H100UY 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Q Automotriz Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Stps2 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 2 A 1 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 2a -
L6221CD013TR STMicroelectronics L6221CD013TR -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 20-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) L6221 - 20-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 60V 1.2a - 4 NPN Darlington (Quad) - - -
BAT41AWFILM STMicroelectronics Bat41awfilm -
RFQ
 ECAD 3391 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT41 Schottky Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 100 V 200MA (DC) 1 V @ 200 Ma 100 na @ 50 V 150 ° C (Máximo)
STF24NM65N STMicroelectronics Stf24nm65n -
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF24 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 19a (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 50 V - 40W (TC)
STP7N60M2 STMicroelectronics STP7N60M2 1.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP7N60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 5A (TC) 10V 950mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 8.8 NC @ 10 V ± 25V 271 pf @ 100 V - 60W (TC)
STGP30H60DFB STMicroelectronics STGP30H60DFB 3.2300
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp30 Estándar 260 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16483-5 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 30a, 10ohm, 15V 53 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 60 A 120 A 2V @ 15V, 30a 383 µJ (ON), 293 µJ (OFF) 149 NC 37ns/146ns
SD1728 STMicroelectronics SD1728 -
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Stmicroelectronics - Caja Obsoleto 200 ° C (TJ) Montaje en superficie M177 SD1728 330W M177 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 15dB ~ 17dB 55V 40A NPN 23 @ 10a, 6V - -
STPS20L45CT STMicroelectronics STPS20L45CT 1.7400
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo La Última Vez Que Compre A Través del Aguetero Un 220-3 STPS20 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 550 MV @ 10 A 200 µA @ 45 V 150 ° C (Máximo)
STE180NE10 STMicroelectronics Ste180ne10 -
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste1 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 6ohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 795 NC @ 10 V ± 20V 21000 pf @ 25 V - 360W (TC)
STH12N120K5-2AG STMicroelectronics STH12N120K5-2AG 12.1100
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH12 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 1200 V 12a (TC) 10V 690mohm @ 6a, 10v 5V @ 100 µA 44.2 NC @ 10 V ± 30V 1370 pf @ 100 V - 250W (TC)
STGFW20H65FB STMicroelectronics STGFW20H65FB 3.7900
RFQ
 ECAD 205 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3PFM, SC-93-3 Stgfw20 Estándar 52 W Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20a 77 µJ (Encendido), 170 µJ (apaguado) 120 NC 30ns/139ns
STGB30H65FB STMicroelectronics Stgb30h65fb -
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 Stmicroelectronics pensión de medios Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb30 Estándar 260 W D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 30a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 60 A 120 A 2V @ 15V, 30a 151 µJ (Encendido), 293 µJ (apagado) 149 NC 37ns/146ns
STBV45-AP STMicroelectronics STBV45-AP 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STBV45 950 MW TO-92AP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 400 V 750 Ma 250 µA NPN 1.5V @ 135MA, 400 mA 5 @ 400mA, 5V -
STTH1512G-TR STMicroelectronics STTH1512G-TR 2.9400
RFQ
 ECAD 8345 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH1512 Estándar D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.1 v @ 15 a 105 ns 15 µA @ 1200 V 175 ° C (Máximo) 15A -
STPS30L30CG STMicroelectronics Stps30l30cg -
RFQ
 ECAD 2823 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS30L30 Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 15A 460 MV @ 15 A 1.5 Ma @ 60 V 150 ° C (Máximo)
STW37N60DM2AG STMicroelectronics Stw37n60dm2ag 6.8000
RFQ
 ECAD 8690 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw37 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 100 V - 210W (TC)
STAC2942B STMicroelectronics Stac2942b -
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 130 V Stac244f Stac294 175MHz Mosfet Stac244f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 N-canal 40A 250 Ma 450W - - 50 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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