SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
STWA50N65DM2AG STMicroelectronics Stwa50n65dm2ag 5.8831
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa50 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 38a (TC) 10V 87mohm @ 19a, 10v 5V @ 250 µA 69 NC @ 10 V ± 25V 3200 pf @ 100 V - 300W (TC)
STD155N3H6 STMicroelectronics Std155n3h6 2.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std15 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -497-11307-6 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 80a (TC) 10V 3mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 3650 pf @ 25 V - 110W (TC)
STP150NF55 STMicroelectronics STP150NF55 3.7700
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP150 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-6117-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 120a (TC) 10V 6mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 190 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STP12N65M2 STMicroelectronics STP12N65M2 1.0004
RFQ
 ECAD 9278 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 8a (TC) 0V, 10V 500mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 16.7 NC @ 10 V ± 25V 535 pf @ 100 V - 85W (TC)
STS4C3F60L STMicroelectronics STS4C3F60L -
RFQ
 ECAD 5319 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts4c Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 4a, 3a 55mohm @ 2a, 10v 1V @ 250 µA 20.4NC @ 4.5V 1030pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
STP23NM60ND STMicroelectronics Stp23nm60nd -
RFQ
 ECAD 3069 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp23n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 19.5a (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 69 NC @ 10 V ± 25V 2100 pf @ 50 V - 150W (TC)
PD54008-E STMicroelectronics PD54008-E 14.7400
RFQ
 ECAD 7042 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 25 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD54008 500MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 5A 150 Ma 8W 11.5dB - 7.5 V
STPS2L40UF STMicroelectronics STPS2L40UF 0.9200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AA, placas SMB Platos STPS2L40 Schottky Smbflat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 430 MV @ 2 A 220 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 2a -
STH110N10F7-6 STMicroelectronics STH110N10F7-6 -
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH110 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 110A (TC) 10V 6.5mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 5117 pf @ 50 V - 150W (TC)
STL5N80K5 STMicroelectronics Stl5n80k5 0.8730
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl5n80 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) VHV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 1.75ohm @ 2a, 10v 5V @ 100 µA 5 NC @ 10 V ± 30V 177 pf @ 100 V - 38W (TC)
STPSC8H065DLF STMicroelectronics Stpsc8h065dlf 3.7700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8Powervdfn Stpsc8 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.55 v @ 8 a 0 ns 80 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 8A 460pf @ 0V, 1MHz
STF20N20 STMicroelectronics STF20N20 -
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 18a (TA) 10V 125mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 940 pf @ 25 V - 25W (TC)
BTA24-600CWRG STMicroelectronics BTA24-600CWRG 3.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA24 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 50 Ma Alternista - Snubberless 600 V 25 A 1.3 V 250a, 260a 35 Ma
STL35N15F3 STMicroelectronics Stl35n15f3 3.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl35 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 33A (TC) 10V 40mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 49.4 NC @ 10 V ± 20V 1905 pf @ 25 V - 80W (TC)
STN4NF06L STMicroelectronics Stn4nf06l 0.9500
RFQ
 ECAD 7113 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA STN4NF06 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 4A (TC) 5V, 10V 100mohm @ 1.5a, 10v 2.8V @ 250 µA 9 NC @ 5 V ± 16V 340 pf @ 25 V - 3.3W (TC)
BYT01-400RL STMicroelectronics ByT01-400RL -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial ByT01 Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 v @ 1 a 55 ns 20 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
STS7C4F30L STMicroelectronics Sts7c4f30l -
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts7c4 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 7a, 4a 22mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 23NC @ 5V 1050pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
STU10P6F6 STMicroelectronics Stu10p6f6 -
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu10p Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 60 V 10a (TC) 10V 160mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 6.4 NC @ 10 V ± 20V 340 pf @ 48 V - 35W (TC)
STD5N60DM2 STMicroelectronics Std5n60dm2 0.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 3.5A (TC) 10V 1.55ohm @ 1.75a, 10V 5V @ 250 µA 8.6 NC @ 10 V ± 30V 375 pf @ 100 V - 45W (TC)
T410-600B-TR STMicroelectronics T410-600B-TR 1.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 T410 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 4 A 1.3 V 30a, 31a 10 Ma
STP150N10F7 STMicroelectronics STP150N10F7 2.9200
RFQ
 ECAD 3915 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP150 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 110A (TC) 10V 4.2mohm @ 55a, 10v 4.5V @ 250 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8115 pf @ 50 V - 250W (TC)
BAT30-07P6FILM STMicroelectronics BAT30-07P6FILM -
RFQ
 ECAD 7949 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Bit30 Schottky Sot-666 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 30 V 300 mA (DC) 530 MV @ 300 Ma 5 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
2SD2012 STMicroelectronics 2SD2012 -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SD2 25 W Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5900-5 EAR99 8541.29.0095 50 60 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 200Ma, 2a 100 @ 500 mA, 5V 3MHz
STF5N62K3 STMicroelectronics STF5N62K3 2.4700
RFQ
 ECAD 976 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF5N62 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 620 V 4.2a (TC) 10V 1.6ohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 50 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 680 pf @ 50 V - 25W (TC)
Z0110SN 5AA4 STMicroelectronics Z0110SN 5AA4 0.2874
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Z0110 SOT-223 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3.000 Soltero 25 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 1 A 1.3 V 8a, 8.5a 25 Ma
BTA26-600BW STMicroelectronics BTA26-600BW -
RFQ
 ECAD 6226 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Top-3 aislado BTA26 Top3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 120 Soltero 75 Ma Alternista - Snubberless 600 V 25 A 1.3 V 250a, 260a 50 Ma
STY60NM60 STMicroelectronics Sty60nm60 23.4200
RFQ
 ECAD 8391 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sty60 Mosfet (Óxido de metal) Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 60A (TC) 10V 55mohm @ 30a, 10V 5V @ 250 µA 266 NC @ 10 V ± 30V 7300 pf @ 25 V - 560W (TC)
STF10NK50Z STMicroelectronics STF10NK50Z -
RFQ
 ECAD 2239 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf10n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 700mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 39.2 NC @ 10 V ± 30V 1219 pf @ 25 V - 30W (TC)
START499ETR STMicroelectronics Inicio499 -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 Inicio499 600MW Sot-343 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 3.000 15dB 4.5V 600mA NPN 160 @ 160mA, 4V 1.9 GHz 3.3db @ 1.8Ghz
STP140N4F6 STMicroelectronics STP140N4F6 -
RFQ
 ECAD 8730 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f6 Tubo Activo - A Través del Aguetero Un 220-3 STP140 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 4.5V, 10V - - ± 20V - 168W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar