SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
STF13N60DM2 STMicroelectronics STF13N60DM2 2.0000
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF13 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16961 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 365mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 25V 730 pf @ 100 V - 25W (TC)
STGWT40HP65FB STMicroelectronics Stgwt40hp65fb 3.2900
RFQ
 ECAD 366 0.00000000 Stmicroelectronics pensión de medios Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Stgwt40 Estándar 283 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16972 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 5ohm, 15V 140 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 363 µJ (apaguado) 210 NC -/142ns
STGW75M65DF2 STMicroelectronics Stgw75m65df2 6.3500
RFQ
 ECAD 3289 0.00000000 Stmicroelectronics METRO Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW75 Estándar 468 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16974 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 3.3ohm, 15V 165 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 120 A 225 A 2.1V @ 15V, 75a 690 µJ (Encendido), 2.54MJ (apagado) 225 NC 47ns/125ns
STGWA75M65DF2 STMicroelectronics Stgwa75m65df2 7.2800
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Stmicroelectronics METRO Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa75 Estándar 468 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16975 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 3.3ohm, 15V 165 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 120 A 225 A 2.1V @ 15V, 75a 690 µJ (Encendido), 2.54MJ (apagado) 225 NC 47ns/125ns
SCT1000N170 STMicroelectronics SCT1000N170 14.5400
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SCT1000 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Hip247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 1700 V 7a (TC) 20V 1.3ohm @ 3a, 20V 3.5V @ 1MA 13.3 NC @ 20 V +22V, -10V 133 pf @ 1000 V - 96W (TC)
STE60N105DK5 STMicroelectronics Ste60n105dk5 -
RFQ
 ECAD 2229 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dk5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste60 Mosfet (Óxido de metal) Isotop descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 1050 V 46a (TC) 10V 120mohm @ 23a, 10v 5V @ 100 µA 204 NC @ 10 V ± 30V 6675 pf @ 100 V - 680W (TC)
STF5NK65Z STMicroelectronics STF5NK65Z -
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Stmicroelectronics * Tape & Reel (TR) Obsoleto Stf5n - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 2,000
STGWA40H65FB STMicroelectronics Stgwa40h65fb 5.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics pensión de medios Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa40 Estándar 283 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 5ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 498 µJ (Encendido), 363 µJ (apagado) 210 NC 40ns/142ns
STGWT20HP65FB STMicroelectronics Stgwt20hp65fb -
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 Stmicroelectronics pensión de medios Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Stgwt20 Estándar 168 W Un 3p - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 300 400V, 20a, 10ohm, 15V 140 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20a 170 µJ (apaguado) 120 NC -/139ns
STI100N10F7 STMicroelectronics STI100N10F7 -
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI100 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) - No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V - 150W (TC)
STP10NK62ZFP STMicroelectronics STP10NK62ZFP -
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Stmicroelectronics * Tape & Reel (TR) Activo STP10 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1,000
STP45N60DM6 STMicroelectronics STP45N60DM6 7.9600
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 30A (TC) 10V 99mohm @ 15a, 10v 4.75V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 25V 1920 pf @ 100 V - 210W (TC)
STU5NK50Z STMicroelectronics Stu5nk50z -
RFQ
 ECAD 1114 0.00000000 Stmicroelectronics * Tape & Reel (TR) Obsoleto Stu5n - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 3.000
STW45N60DM6 STMicroelectronics Stw45n60dm6 8.6100
RFQ
 ECAD 3890 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw45 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 30A (TC) 10V 99mohm @ 15a, 10v 4.75V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 25V 1920 pf @ 100 V - 210W (TC)
STTH1602CGY-TR STMicroelectronics STTH1602CGY-TR 1.6100
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH1602 Estándar D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 8A 1.25 V @ 16 A 26 ns 6 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C
STP80N70F4 STMicroelectronics STP80N70F4 -
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp80n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 68 V 85A (TC) 10V 9.8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 5600 pf @ 25 V - 150W (TC)
STH47N60DM6-2AG STMicroelectronics STH47N60DM6-2AG 7.2900
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH47 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 36A (TC) 10V 80mohm @ 18a, 10v 4.75V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 25V 2350 pf @ 100 V - 250W (TC)
STWA50N65DM2AG STMicroelectronics Stwa50n65dm2ag 5.8831
RFQ
 ECAD 8910 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa50 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 38a (TC) 10V 87mohm @ 19a, 10v 5V @ 250 µA 69 NC @ 10 V ± 25V 3200 pf @ 100 V - 300W (TC)
STIPNS1M50SDT-H STMicroelectronics Stipns1m50sdt-h 8.8500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie Módulo 26-Powersmd, Ala de la Gaviota Mosfet Stipns1 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 400 Inversor de 3 fase 1 A 500 V 1000 VRMS
STF33N60M6 STMicroelectronics STF33N60M6 4.9500
RFQ
 ECAD 1243 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF33 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-18247 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 33.4 NC @ 10 V ± 25V 1515 pf @ 100 V - 35W (TC)
STPS10M60SF STMicroelectronics STPS10M60SF 0.6700
RFQ
 ECAD 408 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Stps10 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 650 MV @ 10 A 50 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 10A -
STW75N60DM6 STMicroelectronics Stw75n60dm6 13.7100
RFQ
 ECAD 375 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-247-3 Stw75 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 72a (TC) - - - ± 25V - -
STB20N90K5 STMicroelectronics STB20N90K5 6.7300
RFQ
 ECAD 995 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB20 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 100 V - 250W (TC)
STW20N90K5 STMicroelectronics STW20N90K5 7.3600
RFQ
 ECAD 582 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STW20 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17089 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 100 V - 250W (TC)
STBR3012WY STMicroelectronics STBR3012WY 3.2000
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tubo Activo A Través del Aguetero DO-247-2 (clientes Potenciales Rectos) STBR3012 Estándar DO-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17097 EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.3 V @ 30 A 2 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 30A -
STBR6012WY STMicroelectronics Stbr6012wy 5.9200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tubo Activo A Través del Aguetero DO-247-2 (clientes Potenciales Rectos) STBR6012 Estándar DO-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17098 EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.3 V @ 60 A 5 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 60A -
STIPN2M50T-H STMicroelectronics Stipn2m50t-h 8.5700
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (0.846 ", 21.48 mm) Mosfet Stipn2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 17 Inversor de 3 fase 2 A 500 V 1000 VRMS
STB25NF06LAG STMicroelectronics Stb25nf06lag 1.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb25n Mosfet (Óxido de metal) D²pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 20A (TC) 5V, 10V - - 14 NC @ 10 V - - -
STFU13N80K5 STMicroelectronics STFU13N80K5 4.3000
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STFU13 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17144 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 12a (TC) 10V 450mohm @ 6a, 10v 5V @ 100 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 870 pf @ 100 V - 35W (TC)
STP80NF55-08AG STMicroelectronics STP80NF55-08AG 3.0300
RFQ
 ECAD 2391 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17149 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 112 NC @ 10 V ± 20V 3740 pf @ 15 V - 300W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar