SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa
STD30N10F7 STMicroelectronics Std30n10f7 -
RFQ
 ECAD 2083 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std30 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 32A (TC) 10V 24mohm @ 16a, 10v 4.5V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1270 pf @ 50 V - 50W (TC)
STGW30H65FB STMicroelectronics STGW30H65FB 3.5500
RFQ
 ECAD 571 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw30 Estándar 260 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 30 A 120 A 2V @ 15V, 30a 151 µJ (Encendido), 293 µJ (apagado) 149 NC 37ns/146ns
STGWT30H65FB STMicroelectronics Stgwt30h65fb 3.3200
RFQ
 ECAD 464 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Stgwt30 Estándar 260 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 30 A 120 A 2V @ 15V, 30a 151 µJ (Encendido), 293 µJ (apagado) 149 NC 37ns/146ns
STPSC20065CWL STMicroelectronics STPSC20065CWL 4.4815
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 STPSC20065 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247 LARGOS LARGOS - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STPSC20065CWL EAR99 8541.10.0080 600 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.45 V @ 10 A 0 ns 130 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 10A 670pf @ 0V, 1MHz
STWA45N60DM2AG STMicroelectronics Stwa45n60dm2ag -
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo Stwa45 - Alcanzar sin afectado 497-stwa45n60dm2ag 600 -
STB50N65DM6 STMicroelectronics STB50N65DM6 4.5693
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB50 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STB50N65DM6TR EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 91mohm @ 16.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 52.5 NC @ 10 V ± 25V 2300 pf @ 100 V - 250W (TC)
STGWA30HP65FB STMicroelectronics Stgwa30hp65fb -
RFQ
 ECAD 9203 0.00000000 Stmicroelectronics pensión de medios Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa30 Estándar 260 W TO-247 LARGOS LARGOS - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stgwa30hp65fb EAR99 8541.29.0095 600 400V, 30a, 10ohm, 15V 140 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 60 A 120 A 2V @ 15V, 30a 293 µJ (apaguado) 149 NC -/146ns
T1635H-8G-TR STMicroelectronics T1635H-8G-TR 0.7164
RFQ
 ECAD 2752 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T1635 D²pak descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-T1635H-8G-TR EAR99 8541.30.0080 2,000 Soltero 35 Ma Estándar 800 V 16 A 1.3 V 160a, 168a 35 Ma
STTH60RQ06CWL STMicroelectronics STTH60RQ06CWL 3.8600
RFQ
 ECAD 8033 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 STTH60 Estándar TO-247 LARGOS LARGOS - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STTH60RQ06CWL EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 30A 2.95 V @ 30 A 55 ns 40 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo)
STGWA50HP65FB2 STMicroelectronics STGWA50HP65FB2 2.9400
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa50 Estándar 272 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STGWA50HP65FB2 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 4.7ohm, 15V 140 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 86 A 150 A 2V @ 15V, 50A 580 µJ (apaguado) 151 NC -/115ns
STP48N30M8 STMicroelectronics STP48N30M8 -
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STP48N30M8 Obsoleto 50 -
STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 6.1200
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa75 Estándar 357 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STGWA75H65DFB2 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 2.2ohm, 15V 88 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 115 A 225 A 2V @ 15V, 75a 1.428mj (Encendido), 1.05mj (apagado) 207 NC 28ns/100ns
SCTW70N120G2V STMicroelectronics SCTW70N120G2V 46.1700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SCTW70 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Hip247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-SCTW70N120G2V EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 91a (TC) 18V 30mohm @ 50A, 18V 4.9V @ 1MA 150 NC @ 18 V +22V, -10V 3540 pf @ 800 V - 547W (TC)
STGW50H65DFB2-4 STMicroelectronics STGW50H65DFB2-4 5.7800
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Stgw50 Estándar 272 W TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STGW50H65DFB2-4 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 12ohm, 15V 92 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 86 A 150 A 2V @ 15V, 50A 629 µJ (Encendido), 478 µJ (apaguado) 151 NC 18ns/128ns
STGWA20IH65DF STMicroelectronics Stgwa20ih65df 2.8500
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Stmicroelectronics Ih Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa20 Estándar 159 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-stgwa20ih65df EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 22ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 60 A 2.05V @ 15V, 20a 110 µJ (apaguado) 56 NC -/120ns
STGB20H65DFB2 STMicroelectronics STGB20H65DFB2 2.3500
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA Stgb20 Estándar 147 W D2pak-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STGB20H65DFB2TR EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 20a, 10ohm, 15V 215 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 60 A 2.1V @ 15V, 20a 265 µJ (Encendido), 214 µJ (apaguado) 56 NC 16ns/78.8ns
STN6N60M2 STMicroelectronics Stn6n60m2 0.7000
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 261-3 Stn6 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 V 5.5a (TC) 10V 1.25ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 6.2 NC @ 10 V ± 25V 220 pf @ 100 V - 6W (TC)
STP50N60DM6 STMicroelectronics STP50N60DM6 6.3400
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STP50N60DM6 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 36A (TC) 10V 80mohm @ 18a, 10v 4.75V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 25V 2350 pf @ 100 V - 250W (TC)
STGWA30IH65DF STMicroelectronics Stgwa30ih65df 3.2300
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Stmicroelectronics Ih Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa30 Estándar 180 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stgwa30ih65df EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 22ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 60 A 90 A 2.05V @ 15V, 30A 123 µJ (apaguado) 80 NC -/200ns
T810T-8G STMicroelectronics T810T-8G 0.9400
RFQ
 ECAD 5979 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T810 D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-T810T-8G EAR99 8541.30.0080 50 Soltero Lógica - Puerta sensible 800 V 8 A 1.3 V 60a, 63a 10 Ma
STPS10200SF STMicroelectronics STPS10200SF 0.9300
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN STPS10200 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STPS10200SFTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 895 MV @ 10 A 6 µA @ 200 V 175 ° C 10A -
STL260N4LF7 STMicroelectronics Stl260n4lf7 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 120a (TC) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 25A, 10V 2.5V @ 250 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 6000 pf @ 25 V - 188W (TC)
STPSC15H12G2Y-TR STMicroelectronics STPSC15H12G2Y-TR 9.7000
RFQ
 ECAD 8375 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY D2pak hv descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.5 V @ 15 A 0 ns 90 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A 1200pf @ 0V, 1MHz
STPST10H100SFY STMicroelectronics STPST10H100SFY 0.9100
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 700 MV @ 10 A 26 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 10A -
STPSC10H12G2-TR STMicroelectronics STPSC10H12G2-TR 6.6300
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY D2pak hv descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STPSC10H12G2-TR EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.5 V @ 10 A 0 ns 60 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 10A 725pf @ 0V, 1 MHz
STPSC15H12G2-TR STMicroelectronics STPSC15H12G2-TR 8.9000
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY D2pak hv descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.5 V @ 5 A 0 ns 90 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A 1200pf @ 0V, 1MHz
SCTW40N120G2V STMicroelectronics SCTW40N120G2V 21.6100
RFQ
 ECAD 7132 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Hip247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-SCTW40N120G2V EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 36A (TC) 18V 100mohm @ 20a, 18V 4.9V @ 1MA 61 NC @ 18 V +22V, -10V 1233 pf @ 800 V - 278W (TC)
RF3L05250CB4 STMicroelectronics RF3L05250CB4 163.3500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 90 V Monte del Chasis LBB 1 GHz Ldmos LBB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-RF3L05250CB4TR EAR99 8541.29.0095 100 1 µA 100 mA 250W 18dB - 28 V
RF5L08350CB4 STMicroelectronics RF5L08350CB4 145.2000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 110 V Monte del Chasis B4e 1 GHz Ldmos B4e descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-RF5L08350CB4TR EAR99 8541.29.0095 120 1 µA 200 MA 400W 19dB - 50 V
SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4 32.9300
RFQ
 ECAD 402 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-SCTWA60N120G2-4 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 60A (TC) 18V 52mohm @ 30a, 18V 5V @ 1MA 94 NC @ 18 V +22V, -10V 1969 pf @ 800 V - 388W (TC)
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