SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STB14NK50ZT4 STMicroelectronics STB14NK50ZT4 4.4200
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB14 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 100 µA 92 NC @ 10 V ± 30V 2000 pf @ 25 V - 150W (TC)
STP8NK80Z STMicroelectronics STP8NK80Z 3.3600
RFQ
 ECAD 922 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP8NK80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 6.2a (TC) 10V 1.5ohm @ 3.1a, 10v 4.5V @ 100 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 1320 pf @ 25 V - 140W (TC)
STS19N3LLH6 STMicroelectronics STS19N3LLH6 -
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) STS19 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 19a (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 9.5a, 10V 1V @ 250 µA 17 NC @ 15 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 2.7W (TA)
ST1802FX STMicroelectronics ST1802FX -
RFQ
 ECAD 6428 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero ISOWATT218FX ST1802 60 W ISOWATT-218FX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 300 600 V 10 A 1mera NPN 5V @ 800mA, 4A 4 @ 5a, 5v -
STN724 STMicroelectronics Stn724 -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn724 1.6 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 30 V 3 A 100 µA NPN 1.1V @ 150MA, 3A 100 @ 100 maja, 2v 100MHz
MJD31CT4-A STMicroelectronics MJD31CT4-A 1.1100
RFQ
 ECAD 1559 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD31 15 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 100 V 3 A 50 µA NPN 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v -
ADP360120W3 STMicroelectronics ADP360120W3 3.0000
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo ADP360120 CARBURO DE SILICIO (SIC) 704W (TJ) Acoplán descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-ADP360120W3 EAR99 8541.29.0095 6 6 Canal N 1200V (1.2kv) 379a (TJ) 3.45mohm @ 360a, 18V 4.4V @ 40 Ma 944nc @ 18V 28070pf @ 800V -
STF5NK52ZD STMicroelectronics STF5NK52ZD -
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf5n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 520 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 16.9 NC @ 10 V ± 30V 529 pf @ 25 V - 25W (TC)
STW8NB100 STMicroelectronics Stw8nb100 -
RFQ
 ECAD 6473 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw8n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2646-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 7.3a (TC) 10V 1.45ohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 30V 2900 pf @ 25 V - 190W (TC)
STP4N90K5 STMicroelectronics STP4N90K5 2.2000
RFQ
 ECAD 1310 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP4N90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17070 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 3A (TC) 10V 2.1ohm @ 1a, 10v 5V @ 100 µA 5.3 NC @ 10 V ± 30V 173 pf @ 100 V - 60W (TC)
STW75N20 STMicroelectronics Stw75n20 -
RFQ
 ECAD 1085 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw75n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5320-5 EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 200 V 75A (TC) 10V 34mohm @ 37a, 10v 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3260 pf @ 25 V - 190W (TC)
ACS108-6SA STMicroelectronics ACS108-6SA 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics ACS ™/ASD® Una granela Activo -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) ACS108 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 25 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 450 Ma 1 V 7.3a, 7.6a 10 Ma
STPS1545CB-TR STMicroelectronics STPS1545CB-TR -
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STPS1545 Schottky Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 7.5a 570 MV @ 7.5 A 100 µA @ 45 V 175 ° C (Máximo)
STB70NF3LLT4 STMicroelectronics Stb70nf3llt4 -
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb70n Mosfet (Óxido de metal) D2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 70A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 35a, 10v 1V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 16V 1650 pf @ 25 V - 100W (TC)
STP3LN80K5 STMicroelectronics Stp3ln80k5 1.5600
RFQ
 ECAD 7334 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp3ln80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 2a (TC) 10V 3.25ohm @ 1a, 10v 5V @ 100 µA 2.63 NC @ 10 V ± 30V 102 pf @ 100 V - 45W (TC)
STL12HN65M2 STMicroelectronics Stl12hn65m2 -
RFQ
 ECAD 9955 0.00000000 Stmicroelectronics * Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8Powervdfn Stl12 Powerflat ™ (5x6) HV - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 6a (TC)
STI4N62K3 STMicroelectronics Sti4n62k3 0.5248
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI4N62 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12262 EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 620 V 3.8a (TC) 10V 2ohm @ 1.9a, 10v 4.5V @ 50 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 50 V - 70W (TC)
STE145N65M5 STMicroelectronics Ste145n65m5 53.0800
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste145 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15112-5 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 650 V 143A (TC) 10V 15mohm @ 69a, 10v 5V @ 250 µA 414 NC @ 10 V ± 25V 18500 pf @ 100 V - 679W (TC)
STP45N60DM2AG STMicroelectronics STP45N60DM2AG 6.7500
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16128-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 34a (TC) 10V 93mohm @ 17a, 10v 5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 100 V - 250W (TC)
STF7N105K5 STMicroelectronics STF7N105K5 3.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15271-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1050 V 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10v 5V @ 100 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 100 V - 25W (TC)
STBV45 STMicroelectronics STBV45 -
RFQ
 ECAD 5275 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) STBV45 950 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 400 V 750 Ma 250 µA NPN 1.5V @ 135MA, 400 mA 5 @ 400mA, 5V -
STX13003-AP STMicroelectronics STX13003-AP 0.6500
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 Stmicroelectronics - Cinta de Corte (CT) Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STX13003 1.5 W TO-92AP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 1 A 1mera NPN 1.5V @ 500mA, 1.5a 8 @ 500mA, 2V -
STPS8L30H STMicroelectronics STPS8L30H -
RFQ
 ECAD 6701 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stps8l Schottky I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 490 MV @ 8 A 1 ma @ 30 V 150 ° C (Máximo) 8A -
STL9P4LF6AG STMicroelectronics Stl9p4lf6ag 0.6848
RFQ
 ECAD 4274 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl9 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (3.3x3.3) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STL9P4LF6AG EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 31a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250 µA 48 NC @ 4.5 V ± 18V 2540 pf @ 25 V - 50W (TC)
STL11N65M5 STMicroelectronics Stl11n65m5 2.5300
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl11 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 8.5A (TC) 10V 530mohm @ 4.25a, 10V 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 644 pf @ 100 V - 70W (TC)
STW65N023M9-4 STMicroelectronics STW65N023M9-4 21.4800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Stw65 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-STW65N023M9-4 30 N-canal 650 V 95A (TC) 10V 23mohm @ 48a, 10V 4.2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 30V 8844 pf @ 400 V - 463W (TC)
Z0409MB STMicroelectronics Z0409MB 0.6000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack2 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 10 Ma Estándar 600 V 4 A 1.3 V 15a, 16a 10 Ma
Z0405MB STMicroelectronics Z0405MB 0.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack2 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 5 Ma Estándar 600 V 4 A 1.3 V 15a, 16a 5 Ma
Z0402MH STMicroelectronics Z0402MH 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack2 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-Z0402MH EAR99 8541.30.0080 75 Soltero 5 Ma Estándar 600 V 4 A 1.3 V 15a, 16a 3 MA
SH68N65DM6AG STMicroelectronics Sh68n65dm6ag 35.4600
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-POWERSMD Sh68n65 Mosfet (Óxido de metal) 379W (TC) 9-acepto descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-sh68n65dm6agtr EAR99 8541.29.0095 200 2 Canales N (Medio Puente) 650V 64a (TC) 41mohm @ 23a, 10v 4.75V @ 250 µA 116nc @ 10V 5900pf @ 100V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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