SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STE145N65M5 STMicroelectronics Ste145n65m5 53.0800
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste145 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15112-5 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 650 V 143A (TC) 10V 15mohm @ 69a, 10v 5V @ 250 µA 414 NC @ 10 V ± 25V 18500 pf @ 100 V - 679W (TC)
STL105N8F7AG STMicroelectronics Stl105n8f7ag 2.4800
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STL105N8F7AGTR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 95A (TC) 10V 6.5mohm @ 25A, 10V 4.5V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 3475 pf @ 25 V - 127W (TC)
STF150N10F7 STMicroelectronics STF150N10F7 -
RFQ
 ECAD 9209 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF15 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15013-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 65a (TC) 10V 4.2mohm @ 55a, 10v 4.5V @ 250 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8115 pf @ 50 V - 35W (TC)
STWA72N60DM2AG STMicroelectronics Stwa72n60dm2ag 7.9990
RFQ
 ECAD 9425 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa72 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STWA72N60DM2AG EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 66a (TC) 10V 42mohm @ 33a, 10v 5V @ 250 µA 121 NC @ 10 V ± 25V 5508 pf @ 100 V - 446W (TC)
STW23N80K5 STMicroelectronics STW23N80K5 6.6700
RFQ
 ECAD 4382 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw23 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16331-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 16a (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10v 5V @ 100 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 100 V - 190W (TC)
STP150N3LLH6 STMicroelectronics STP150N3LLH6 3.0300
RFQ
 ECAD 233 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP150 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 20V 4040 pf @ 25 V - 110W (TC)
STL128DFP STMicroelectronics Stl128dfp 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stl128 30 W Un 220FP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 4 A 250 µA NPN 500mv @ 700 Ma, 3.5a 10 @ 2a, 5v -
PD57018-E STMicroelectronics PD57018-E 30.3600
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57018 945MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 2.5a 100 mA 18W 16.5dB - 28 V
T3035H-6I STMicroelectronics T3035H-6I 3.2000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T3035 Un 220b aislado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 60 Ma Alternista - Snubberless 600 V 30 A 1 V 270a, 284a 35 Ma
STL210N4F7 STMicroelectronics Stl210n4f7 0.9653
RFQ
 ECAD 7838 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet F7 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl210 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STL210N4F7 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 1.6mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 150W (TC)
TM8050H-8W STMicroelectronics TM8050H-8W 6.7100
RFQ
 ECAD 919 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TM8050 TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16558-5 EAR99 8541.30.0080 30 100 mA 800 V 80 A 1.5 V 670a, 731a 50 Ma 1.55 V 50 A 20 µA Puerta sensible
BUT90 STMicroelectronics Pero 90 -
RFQ
 ECAD 2147 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis TO-204AA, TO-3 Pero 90 250 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 125 V 50 A - NPN 900mv @ 7a, 70a - -
STPS3030CR STMicroelectronics Stps3030cr -
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STPS3030 Schottky I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 15A 490 MV @ 15 A 1 ma @ 30 V 150 ° C (Máximo)
STP15NM60ND STMicroelectronics Stp15nm60nd -
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp15n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 14a (TC) 10V 299mohm @ 7a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 25V 1250 pf @ 50 V - 125W (TC)
BTA08-800CRG STMicroelectronics BTA08-800CRG 1.7700
RFQ
 ECAD 827 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA08 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 25 Ma Estándar 800 V 8 A 1.3 V 80a, 84a 25 Ma
STD3NM60-1 STMicroelectronics Std3nm60-1 -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std3n Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 3A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10v 5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 30V 324 pf @ 25 V - 42W (TC)
STW4N150 STMicroelectronics Stw4n150 8.3200
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw4n150 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5092-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1500 V 4A (TC) 10V 7ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 25 V - 160W (TC)
STL25N15F4 STMicroelectronics Stl25n15f4 -
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl25 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 25A (TC) 10V 63mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 2710 pf @ 25 V - 80W (TC)
STI33N60M6 STMicroelectronics STI33N60M6 -
RFQ
 ECAD 9436 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI33 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STI33N60M6 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 33.4 NC @ 10 V ± 25V 1515 pf @ 100 V - 190W (TC)
STP30N20 STMicroelectronics STP30N20 -
RFQ
 ECAD 2221 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp30n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5129-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 30A (TC) 75mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V 1597 pf @ 25 V - 125W (TC)
STPS3045CGY-TR STMicroelectronics STPS3045CGY-TR 1.5700
RFQ
 ECAD 3869 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STPS3045 Schottky D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 570 MV @ 15 A 200 µA @ 45 V 200 ° C (Max)
STL19N60M6 STMicroelectronics Stl19n60m6 3.4600
RFQ
 ECAD 7747 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl19 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 308mohm @ 6.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 16.8 NC @ 10 V ± 25V 650 pf @ 100 V - 90W (TC)
STF14NM50N STMicroelectronics Stf14nm50n 3.8400
RFQ
 ECAD 960 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF14 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10v 4V @ 100 µA 27 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 50 V - 25W (TC)
STF46N60M6 STMicroelectronics STF46N60M6 7.3000
RFQ
 ECAD 7452 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF46 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STF46N60M6 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 36A (TC) 10V 80mohm @ 18a, 10v 4.75V @ 250 µA 53.5 NC @ 10 V ± 25V 2340 pf @ 100 V - 42W (TC)
STLD200N4F6AG STMicroelectronics Stld200n4f6ag 3.5600
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Stld200 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) Dual Side descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 120a (TC) 6.5V, 10V 1.5mohm @ 75a, 10v 4V @ 1MA 172 NC @ 10 V ± 20V 10700 pf @ 10 V - 158W (TC)
STL64N4F7AG STMicroelectronics Stl64n4f7ag 0.5928
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Stl64 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STL64N4F7AG EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 64a (TC) 10V 8.5mohm @ 32a, 10v 4V @ 250 µA 9.8 NC @ 10 V ± 20V 637 pf @ 25 V - 65W (TC)
ACS302-6T3 STMicroelectronics ACS302-6T3 -
RFQ
 ECAD 3026 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 20-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) ACS302 20-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 40 Formación 20 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 400 mA 900 MV 7.3a, 7.6a 5 Ma
2STN2340 STMicroelectronics 2STN2340 -
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 2º 1.6 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 40 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 350mv @ 150 mA, 3a 180 @ 1a, 2v 100MHz
STW72N60DM6AG STMicroelectronics Stw72n60dm6ag 10.2287
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw72 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STW72N60DM6AG EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 56a (TC) 10V 42mohm @ 28a, 10v 4.75V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 25V 4444 pf @ 100 V - 390W (TC)
ST05250 STMicroelectronics ST05250 145.2000
RFQ
 ECAD 6233 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo 90 V Monte del Chasis B4e ST052 1 GHz Ldmos B4e - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-ST05250 120 - - 250W 13.5dB -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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