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Productos de semiconductoros discretos (2287)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
NTE5087A	0.6000	RFQ	360	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			1 W	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5087A	EAR99	8541.10.0050	1																																				43 V	70 ohmios
NTE6121	239.3300	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			Apretar	Do-200ab, B-PUK		Estándar		Do-200ab	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE6121	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						1600 V		1.93 V @ 3770 A		30 mA @ 1600 V	-30 ° C ~ 175 ° C	1625A	-
1N5349B	0.7600	RFQ	5	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial			5 W	Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-1N5349B	EAR99	8541.10.0050	1																									1.2 v @ 1 a		2 µA @ 9.1 V									12 V	2.5 ohmios
2N6488	1.4300	RFQ	86	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			1.8 W	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-2N6488	EAR99	8541.29.0095	1																															80 V	15 A			1mera			NPN	3.5V @ 5a, 15a	20 @ 5a, 4V	5MHz
Nte5253ak	26.8600	RFQ	24	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE5253AK	EAR99	8541.10.0050	1																																				11 V	0.8 ohmios
NTE5081A	0.6000	RFQ	8	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			1 W	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5081A	EAR99	8541.10.0050	1																																				24 V	25 ohmios
NTE6206	21.6900	RFQ	9	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Estándar		A 3	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE6206	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																					1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.4 V @ 15 A	200 ns	5 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
NTE6120	134.0300	RFQ	3	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			Apretar	DO-200AA, A-PUK		Estándar		DO-200AA	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE6120	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						1600 V		1.4 V @ 500 A		15 Ma @ 1600 V	-30 ° C ~ 190 ° C	500A	-
NTE5404	1.3500	RFQ	27	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-40 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)				Un 92	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5404	EAR99	8541.30.0000	1			3 MA										200 V	800 Ma	800 MV	8A @ 60Hz	200 µA	1.7 V		200 µA	Puerta sensible
NTE5908	13.4800	RFQ	31	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		Do-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5908	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						800 V		1.23 V @ 50 A		12 Ma @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
TIP100	1.0400	RFQ	203	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			80 W	Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-tip100	EAR99	8541.29.0095	1																															60 V	8 A			50 µA			NPN - Darlington	2.5V @ 80MA, 8A	1000 @ 3a, 4v	4MHz
NTE5894	9.9300	RFQ	115	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		Do-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5894	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						100 V		1.23 V @ 50 A		12 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	16A	-
NTE615	0.5400	RFQ	3	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	7.57%	-20 ° C ~ 75 ° C	A Través del Aguetero	Axial			200 MW	-	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE615	EAR99	8542.31.0000	1																																				32.5 V
NTE88	7.9400	RFQ	138	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3			200 W	A 3	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE88	EAR99	8541.29.0095	1																															250 V	10 A			1mera			PNP	2.5V @ 400mA, 4A	20 @ 2a, 2v	4MHz
TIP150	2.3600	RFQ	248	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			80 W	Un 220	descascar	Rohs no conforme	2368-tip150	EAR99	8541.29.0095	1																															300 V	10 A			250 µA			NPN - Darlington	2V @ 250 Ma, 5a	150 @ 2.5a, 5V	-
NTE5416	3.1700	RFQ	78	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO25AA, A-126-3				A-126	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5416	EAR99	8541.30.0000	1			5 Ma										600 V		1 V	25a, 35a	200 µA	2.2 V	2.6 A	10 µA	Puerta sensible
NTE5092A	0.6000	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			1 W	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5092A	EAR99	8541.10.0050	1																																				68 V	150 ohmios
NTE6157	48.7500	RFQ	17	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-8, Semento		Estándar		Do-8	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE6157	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																						600 V		1.4 V @ 150 A		12 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
1N5366B	0.9200	RFQ	51	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial			5 W	Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-1N5366B	EAR99	8541.10.0050	1																									1.2 v @ 1 a		500 na @ 29.7 V									39 V	14 ohmios
NTE5124A	1.3000	RFQ	346	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			5 W	Do-35	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE5124A	EAR99	8541.10.0050	1																																				9.1 V	2 ohmios
TIP146	2.7200	RFQ	521	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 218-3			125 W	Un 218	descascar	Rohs no conforme	2368-tip146	EAR99	8541.29.0095	1																															80 V	10 A			-			PNP	-	1000 @ 5a, 4V	-
TIP115	0.9200	RFQ	394	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	2368-tip115	EAR99	8541.29.0095	1																															60 V				2mera			PNP - Darlington	2.5V @ 8MA, 2A	1000 @ 1a, 4V	25MHz
NTE613	3.0800	RFQ	283	NTE Electronics, Inc	-	Una granela	Activo		-	A Través del Aguetero	To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)				-	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE613	EAR99	8541.10.0080	1																														24.2pf @ 4V, 1MHz			Soltero	30 V								2.9	C2/C32	350 @ 4V, 50MHz
NTE5084A	0.6000	RFQ	26	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			1 W	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5084A	EAR99	8541.10.0050	1																																				30 V	40 ohmios
NTE6200	9.0700	RFQ	29	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Estándar		A 3	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE6200	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																					1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.4 V @ 15 A	200 ns	5 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N5379B	0.7600	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial			5 W	Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-1N5379B	EAR99	8541.10.0050	1																									1.2 v @ 1 a		500 na @ 83.6 V									110 V	125 ohmios
Nte5252ak	26.8600	RFQ	30	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5252AK	EAR99	8541.10.0050	1																																				10 V	0.6 ohmios
NTE5097A	0.9100	RFQ	22	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			1 W	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5097A	EAR99	8541.10.0050	1																																				120 V	700 ohmios
1N5362B	0.7600	RFQ	134	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial			5 W	Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-1N5362B	EAR99	8541.10.0050	1																									1.2 v @ 1 a		500 na @ 21.2 V									28 V	6 ohmios
2N7002	0.2800	RFQ	27	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23-3	descascar	Rohs no conforme	2368-2N7002	EAR99	8541.21.0095	1		N-canal		60 V	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 500 mA, 10V	2.5V @ 250 µA	± 20V	50 pf @ 25 V	-	200MW (TA)